KR970705187A - 중간 적외선 발광 다이오드(Mid infrared light emitting diode) - Google Patents

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마이클 죤 카네
데이비드 리
데이비드 로버트 와이트
죤 마이클 보우드
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엔 에이 리들
더 세크레터리 오브 스테이트 포 디펜스
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Abstract

본 발명은 중량으로 도핑되는 기판에 도입되어 모스-버스타인 시프트에 의한 디바이스에 의해 생성된 방사원에 대해 투명한 기판을 갖는 중간 적외선 발광 다이오드에 관한 것이다. 디바이스로부터의 방사는 금속 접촉에 의한 모호성의 회피로 인해 외부 효율에서 충분한 증가성을 갖는 기판에서 발생한다.

Description

중간 적외선 발광 다이오드(Mid infrared light emitting diode).
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 제안된 구조를 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 다층 반도체 재료와, 반도체 기판 및, 상기 디바이스를 교차하는 전압의 적용을 용이하게 하기 위해 배열된 한쌍의 전극을 포함하는 2.5 ×10-6m 내지 5 ×10-6m 파장 범위에서 방사원을 생성시키기 위한 발광 다이오드에 있어서, 상기 기판은 모스-버스타인 시프트에 의한 디바이스에 의해 생성되고, 기판 재료의 적합한 도핑에 의해 촉진되는 방사원에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 재료는 1018cm-3내지 5 ×1018cm-3범위내로 도핑되는 n-형 InAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 재료는 3 ×1018cm-3내지 5 ×1018cm-3범위내로 도핑되는 n-형 InAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다층 반도체 재료는 5 ×1017cm-3으로 도핑되는 n-형 InAs층 및 5 ×1018cm-3으로 도핑되는 p-형 InAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다층 반도체 재료는 1018cm의 레벨로 도핑되는 n-형 InAs층과, 도핑되지 않은 InAs층 및, 5 ×1018cm-3의 레벨로 도핑되는 p-형 InAs 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 렌즈에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970700669A 1994-08-01 1995-07-17 중간적외선발광다이오드 KR100358274B1 (ko)

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