KR970077764A - p- 전도형 3족질화물 반도체의 전극과 전극 형성 방법 및 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 p전도형 3족질화물 반도체에 대한 전극에 있어서, 오믹(ohmic)성의 개선, 저저항화, 접합 강도의 향상을 도모하는 것으로서, p+층(7)의 표면위에 니켈(Ni)층, 그 위에 금(Au)층을 형성하여 열처리에 의해 깊이방향의 원소의 분포를 반전시켜 표면측에서 니켈(Ni), 금(Au)의 순으로 원소가 존재하도록 구성시키는 것으로서, 전극은 보다 저저항으로 또한 오믹성이 향상되고, 접합강도가 높아지게된다.

Description

p-전도형 3족질화물 반도체의 전극과 전극 형성 방법 및 소자

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 발광소자의 구조를 나타낸 단면도.

Claims (10)

1. p전도형 3족질화물로 이루어지는 반도체의 전극에 있어서, 상기 반도체의 표면상에 적층하여 형성된 적어도 제1금속층과 제2금속층을 가지며, 상기 제1금속층의 구성원소는 상기 제2금속층의 구성원소보다도 이온화 포텐셜이 낮은 원소이며, 상기 제2금속층의 구성원소는 상기 반도체에 대한 오믹(ohmic)성이 상기 제1금속층의 구성원소보다도 양호한 원소이며, 열처리에 의해, 상기 반도체의 표면에서 깊이방향의 원소분포는, 상기 제2금속층의 구성원소쪽이 상기 제1금속층의 구성원소보다도 깊게 침투한 분포인 것을 특징으로 하는 p 전도형 3족질화물 반도체의 전극.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1금속층의 구성원소는, 니켈(Ni), 철(Fe), 동(Cu), 크롬(Cr), 탄탈 (Ta), 바나듐(V), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 은(Ag) 중 적어도 한 종류의 원소이고, 상기 제2금속층의 구성원소는, 파라듐(Pd), 금(Au), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 중 적어도 한 종류의 원소인 것을 특징으로 하는 P 전도형 3족질화물 반도체의 전극.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1금속층의 구성원소는 Ni 이며, 상기 제2금속층의 구성원소는 Au이며, 열처리에 의해 상기 반도체의 표면에서 깊이방향의 원소분포는, Ni보다도 Au가 깊게 침투한 분포인 것을 특징으로 하는 p전도형 3족 질화물 잔도체의 전극.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 400℃∼700℃로 행해지는 것을 특징으로 하는 p전도형 3족질화물 반도체의 전극.
5. 3족질화물 반도체로 이루어지는 소자층을 가지며, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 3족질화물 반도체소자.
6. 제5항에 있어서, 상기 3족질화물 반도체소자는 발광다이오드, 레이저 다이오드, 또는 트랜지스터등의 소자인 것을 특징으로 하는 3족질화물 반도체 소자.
7. p전도형 3족질화물로 이루어지는 반도체의 전극형성방법에 있어서, 제1금속층의 구성원소는 제2금속층의 구성원소보다도 이온화포텐셜이 낮은 원소로 하며, 제2금속층의 구성원소는 상기 반도체에 대한 오믹성이 제1금속층의 구성 원소보다도 양호한 원소로 하며, 상기 반도체의 표면상에, 차례로 제1금속층과 제2금속층을 적층시키고, 상기 반도체의 표면에서 깊이방향의 원소분포에 있어서, 상기 제2금속층의 구성원소 쪽을 상기 제1금속층의 구성원소보다도 깊게 침투한 분포로 하는 열처리를 시행하는 것을 특징으로 하는 p 전도형 3족질화물 반도체의 전극 형성방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 제1금속층의 구성원소는, Ni, Fe, Cu, Cr, Ta, V, Mn, Al, Ag 중 한 종류의 원소이고, 상기 제2금속층의 구성원소는, Pd, Au, Ir, Pt 중 한 종류의 원소인 것을 특징으로 하는 p 전도형 3족질화물 반도체의 전극 형성방법.
9. 제7항에 있어서, 상기 제1금속층의 구성원소는 Ni이며, 상기 제2금속층의 구성원소는 Au이며, 열처리에 의해, 상기 반도체의 표면에서 깊이방향의 원소분포를 Ni보다도 Au가 깊게 침투된 분포로 하는 것을 특징으로 하는 p전도형 3족질화물 반도체의 전극 형성방법.
10. 제7항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 400℃∼700℃으로 실행되어지는 것을 특징으로 하는 p 전도형 3족질화물 반도체의 전극 형성방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.