KR970074973A - 기화 장치 - Google Patents

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마에다 시게루
가부시키가이샤 에바라 세사쿠쇼
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Abstract

본 발명의 기화 장치는 기화 장치의 다공성 부재로 열이 효율적으로 공급될 수 있어서, 기화가 원활하고 효율적으로 수행될 수 있다. 기화 장치는 액체 수용면과 증기 배출면을 포함한 다공성 부재를 구비하는 기화부와; 액체원료를 다공성 부재의 액체 수용면으로 공급하는 원료공급부와; 다공성 부재와 열접촉하는 가열매체통로 및; 가열매체통로를 통해 액체원료의 기화온도보다 더 높은 온도의 가열매체를 유동시키는 가열매체 공급시스템을 포함한다.

Description

기화 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 기화 장치의 제1실시형태의 단면도이다.

Claims (18)

  1. 액체 수용면과 증기 배출면을 포함한 다공성 부재를 구비하는 기화부; 액체원료를 상기 다공성 부재의 상기 액체 수용면으로 공급하는 원료공급부; 상기 다공성 부재와 열접촉하는 가열매체통로 및; 상기 가열매체 통로를 통하여, 상기 액체원료의 기화온도보다 더 높은 온도의 가열매체를 유동시키는 가열매체 공급시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 기화장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열매체통로는 상기 다공성 부재의 측면을 둘러싼 외부 가열매체통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가열매체통로는 상기 다공성 부재를 통과하는 내부 가열매체통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내부 가열매체통로는 상기 다공성 부재의 축을 가로지르는 방향으로 연장하는 수평경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 내부 가열매체통로는 상기 다공성 부재의 축과 평행한 방향으로 연장하는 수직경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 내부 가열매체통로는 상기 다공성 부재의 중심영역에서 확장하는 정체부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 내부 가열매체통로는 상기 액체 수용부나 상기 증기 배출부 중 적어도 하나의 가장자리부를 둘러싸기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 외측 가열매체통로는 상기 다공성 부재의 가장자리부를 고정하기 위해 분할 부재로 구성된 재킷 수단에 포함되는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 장치에 상기 액체 수용면이나 상기 증기 배출면 중 적어도 하나의 중심부분을 둘러싸는 제2외부 가열매체통로가 제공되는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 다공성 부재는 칼럼형으로 형성된 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 다공성 부재는 디스크형으로 형성된 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 다공성 부재는 하류방향을 향해 확장되는 단면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 장치는 캐리어 기체를 상기 액체 수용면에 공급하는 캐리어 기체 공급 통로를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 원료공급부는 상기 기화로부터 열적으로 분리되고, 상기 액체원료의 기화온도를 넘지 않는 온도로 상기 가열매체통로를 유지하는 온도조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 원료공급통로는, 상기 기화부의 상류에 인접하게 배치되어 상기 원료의 압력을 조절하는 압력조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 압력조절부는 상기 압력조절부를 가열하거나 냉각하는 온도조절장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 온도조절장치는 열전달매체의 유체 성질을 사용하여, 가열이나 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 압력조절부는 액체원료의 기화온도를 초과하지 않는 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 기화 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970021433A 1996-05-24 1997-05-24 기화장치 KR100496914B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322411B1 (ko) * 2000-01-29 2002-03-18 손명호 액체원료 기화장치

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6497800B1 (en) * 2000-03-17 2002-12-24 Nutool Inc. Device providing electrical contact to the surface of a semiconductor workpiece during metal plating
US6610190B2 (en) * 2000-11-03 2003-08-26 Nutool, Inc. Method and apparatus for electrodeposition of uniform film with minimal edge exclusion on substrate
US6413388B1 (en) * 2000-02-23 2002-07-02 Nutool Inc. Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus
US6902659B2 (en) * 1998-12-01 2005-06-07 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6534116B2 (en) * 2000-08-10 2003-03-18 Nutool, Inc. Plating method and apparatus that creates a differential between additive disposed on a top surface and a cavity surface of a workpiece using an external influence
US6251235B1 (en) 1999-03-30 2001-06-26 Nutool, Inc. Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate
US6355153B1 (en) * 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures
US6299076B1 (en) 2000-03-10 2001-10-09 Jeffrey E. Sloan Steam cleaning system
US6852208B2 (en) 2000-03-17 2005-02-08 Nutool, Inc. Method and apparatus for full surface electrotreating of a wafer
US6921551B2 (en) * 2000-08-10 2005-07-26 Asm Nutool, Inc. Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece
US7754061B2 (en) * 2000-08-10 2010-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer
US20040170753A1 (en) * 2000-12-18 2004-09-02 Basol Bulent M. Electrochemical mechanical processing using low temperature process environment
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US7601225B2 (en) * 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
ATE418621T1 (de) * 2003-04-24 2009-01-15 Afshin Ahmadian Verfahren zur detektion allelspezifischer mutationen
US7064057B2 (en) * 2003-11-21 2006-06-20 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for localized material removal by electrochemical polishing
US20060183321A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-17 Basol Bulent M Method for reduction of gap fill defects
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
US7550070B2 (en) * 2006-02-03 2009-06-23 Novellus Systems, Inc. Electrode and pad assembly for processing conductive layers
US8500985B2 (en) * 2006-07-21 2013-08-06 Novellus Systems, Inc. Photoresist-free metal deposition
US7732329B2 (en) * 2006-08-30 2010-06-08 Ipgrip, Llc Method and apparatus for workpiece surface modification for selective material deposition
DE102006043755B4 (de) * 2006-09-13 2009-05-07 Eads Deutschland Gmbh Beschichtungssystem und Beschichtungsverfahren
US20080237048A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Ismail Emesh Method and apparatus for selective electrofilling of through-wafer vias
US20090065365A1 (en) * 2007-09-11 2009-03-12 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for copper electroplating
US8343583B2 (en) * 2008-07-10 2013-01-01 Asm International N.V. Method for vaporizing non-gaseous precursor in a fluidized bed
DE102009026808A1 (de) * 2009-06-08 2010-12-09 aDROP Feuchtemeßtechnik GmbH Vorrichtung zum Verdampfen von Flüssigkeiten
US8555809B2 (en) * 2010-01-14 2013-10-15 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Method for constant concentration evaporation and a device using the same
US9957612B2 (en) 2014-01-17 2018-05-01 Ceres Technologies, Inc. Delivery device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
CN107885251B (zh) * 2017-10-02 2020-11-06 美的集团电子商务有限公司 坐便器控制方法、控制器及存储介质

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4212663A (en) * 1978-01-26 1980-07-15 Corning Glass Works Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
JPH0795527B2 (ja) * 1991-02-05 1995-10-11 株式会社リンテック 液体原料用気化供給器
DE4124018C1 (ko) * 1991-07-19 1992-11-19 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322411B1 (ko) * 2000-01-29 2002-03-18 손명호 액체원료 기화장치

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EP0808916A3 (en) 1997-12-10
DE69704514T2 (de) 2001-11-08
TW373031B (en) 1999-11-01

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