KR970072483A - 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이 기판에 관한 것으로, 특히 박막트랜지스터 액정표시장치의 개구율을 향상시켜 높은 화면 휘도(brightness)와 저소비전력의 액정표시장치를 제공하기에 적합하도록, 기판과, 기판상에 형성된 적어도 하나 이상의 게이트 버스라인에 교차하도록 형성된 적어도 하나 이상의 데이터 버스라인과, 게이트 버스라인에 게이트 전극이 연결되고, 데이터 버스라인에 일체널 전극이 연결되도록 형성된 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터와, 적어도 데이터 버스라인 및 게이트 버스라인과 박막트랜지스터를 덮도록 형성된 수지차광막과, 수지차광막의 상부를 제외한 노출된 전표면에 패턴형성된 투명절연막과, 수지차광막 일부 및 투명절연막을 덮으며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결 형성된 화소전극을 포함하여 이루어진다.

Description

박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이 기판의 구조를 예시한 도면.

Claims (12)

  1. 기판과, 상기 기판상에 형성된 적어도 하나 이상의 게이트 버스라인과, 상기 게이트 버스라인에 교차하도록 형성된 적어도 하나 이상의 데이터 버스라인과, 상기 게이트 버스라인에 게이트 전극이 연결되고, 상기 데이터 버스라인에 일체널 전극이 연결되도록 형성된 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터와, 적어도 상기 데이터 버스라인 및 상기 게이트 버스라인과 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성된 수지차광막과, 상기 수지차광막의 상부를 제외한 노출된 전표면에 패턴형성된 투명절연막과, 상기 수지차광막 일부 및 상기 투명절연막을 덮으며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결 형성된 화소전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지차광막은 불투명 절연성 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명절연막은 투명 절연성 유기수지로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 투명 절연성 유기수지는 음성 감광특성을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수지차광막 하부에 동일 패턴의 보호막이 부가형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  6. 제1항에 있어서, 상기 수지차광막 하부 및 상기 투명절연막 하부에 보호막이 부가형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화소전극이 상기 데이터 바스라인의 일부와 중첩되도록 상기 수지차광막을 덮으면서, 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 상기 게이트 버스라인과는 중첩되지 않고, 상기 게이트 버스라인에 이웃하는 게이트 버스라인의 일부와 중첩되도록 상기 수지차광막을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판.
  8. 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법에 있어서, 1) 기판의 일부영역에 행렬로 배열된 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 게이트 버스라인과, 상기 게이트 버스라인과 교차하며 상기 박막트랜지스터의 소오스전극에 연결된 데이터 버스라인을 형성하는 단계와, 2) 상기 기판 상부의 노출된 전표면에 불투명 절연성 수지를 도포한 후, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극상부를제외한 상기 박막트랜지스터 및 상기 데이터 버스라인과 상기 게이트 버스라인의 상부에 상기 불투명 절연성 수지가 남도록 패터닝하여 수지차광막을 형성하는 단계와, 3) 상기 수지차광막 및 상기 기판 상부의 노출된 전표면에 투명 절연성 수지를 도포한 후, 패터닝하여 상기 수지차광막의 상부 및 상기 드레인전극이 노출되는 투명절연막을 형성하는 단계와, 4) 상기 투명절연막 및 상기 수지차광막의 노출된 표면에 투명도전물질을 적층한 후, 상기 드레인전극과 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 1)단계 및 2)단계 진행한 후, 상기 3)단계의 투명 절연성 수지로 음성 감광특성을 가지고 있는 물질을 도포한 후, 상기 기판 후면에서 레이저 등을 이용하여 노광한 후, 상기 수지차광막 상부에 도포된 상기 투명 절연성 수지를 제거하여 투명절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 1)단계 후, 상기 기판 상부의 노출된 전표면에 실리콘 질화막을 적층하는 단계를 부가한 후, 상기 2)단계에서, 상기 실리콘 질화막 상부에 불투명 절연물질을 적층하고, 상기 패터닝 하여 상기 수지차광막을 형성한 후, 상기 수지차광막을 마스크로 상기 실리콘 질화막을 패터닝하여 보호막을 형성하고, 상기 3)단계와 상기 4)단계를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 1)단계 후, 상기 기판 상부의 노출된 전표면에 실리콘 질화막을 적층하여 보호막을 형성하는 단계를 부가한 후, 상기 2)단계에서, 상기 보호막 상부에 불투명 절연물질을 적층하고, 패터닝하여 상기 수지차광막을 형성한 후, 상기 3)단계에서, 상기 수지차광막 및 상기 보호막 상부의 노출된 전표면에 상기 투명 절연성 수지를 도포하고, 상기 보호막 상부에 상기 투명절연막을 형성한 후, 상기 4)단계를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 4)단계에서, 상기 화소전극을 상기 데이터 버스라인의 일부와 전단(또는 후단)의 게이트 버스라인의 일부에 중첩되게, 상기 수지차광막 일부 및 상기 투명절연막의 상부를 덮도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판 제조방법.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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