KR970072113A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열산화막, 평탄화를 위한 불순물이 도핑된 제1절연막 및 상기 제1절연막에 외부의 수분이 흡착되는 것을 방지하는 제2절연막이 차례로 적층된 층간 절연막을 구비하는 반도체 장치 및 소정 패턴이 형성된 웨이퍼상에 불순물이 도핑된 절연막을 형성하는 단계; 상기 불순물이 도핑된 절연막상에 외부의 수분이 흡착되는 것을 방지하는 절연막을 형성하는 단계; 소정 가스 분위기에서 열처리하여 상기 불순물이 도핑된 절연막을 플로우시켜 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법에 관한 것으로, 비교적 낮은 온도에서 플로우시키는 방법으로, BPSG막내의 붕소나 인등의 불순물의 농도를 높여 증착하되, BPSG막 상부에 NSG막을 형성하여 BPSG막에 외부의 수분이 흡착되어 발생하게 되는 크리스탈 디펙트(Crystal Defect)를 방지하여 소자의 품질을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치 및 그 제조방법이다.
Claims (10)
- 반도체 장치에 있어서, 열산화막, 평탄화를 위한 불순물이 도핑된 제1절연막 및 상기 제1절연막에 외부의 수분이 흡착되는 것을 방지하는 제2절연막이 차례로 적층된 층간 절연막을 구비하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 NSG(Non-doped Silicate Glass)막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1절연막은 BPSG(Boro Phospho Silicate Glass)막, BSG(Boro Silicate Glass)막 및 PSG(Phospho Silicate Glass)막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치 제조방법에 있어서, 소정 패턴이 형성된 웨이퍼상에 불순물이 도핑된 절연막을 형성하는 단계; 상기 불순물이 도핑된 절연막상에 외부의 수분이 흡착된 것을 방지하는 절연막을 형성하는 단계; 소정 가스 분위기에서 열처리하여 상기 불순물이 도핑된 절연막을 플로우시켜 평탄화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 수분 흡착 방지를 위한 절연막은 NSG(Non-doped Silicate Glass)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 NSG막은 인-시츄(In-Situ)로 대기압의 증착 압력에서 증착하는 상압 화학증착법 즉, APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 NSG막은 200Å 내지 500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 불순물이 도핑된 절연막은 BPSG(Boro Phospho Silicate Glass)막, BSG(Boro Silicate Glass)막 및 PSG(Phospho Silicate Glass)막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 소정가스는 O2가스와 N2가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 열처리는 700℃ 내지 800℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019960011403A KR100223771B1 (ko) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
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| KR1019960011403A KR100223771B1 (ko) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072113A true KR970072113A (ko) | 1997-11-07 |
| KR100223771B1 KR100223771B1 (ko) | 1999-10-15 |
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ID=19455797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960011403A KR100223771B1 (ko) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100223771B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470185B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
-
1996
- 1996-04-16 KR KR1019960011403A patent/KR100223771B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100470185B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의층간절연막형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100223771B1 (ko) | 1999-10-15 |
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