KR970071488A - 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 - Google Patents

비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 Download PDF

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KR970071488A
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KR1019960012937A
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이성국
박성수
김용훈
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 비선형 단결정 소자의 일측면에 반반사 코팅층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명 방법은. 비선형 단결정 소자의 일측면에 전자빔 증착기로 비정질상의 SiO2막을 코팅하는 단계 및 상기 SiO2층에 전자 빔 증착기로 비정질상의 ZrO2를 코팅하는 단계를 포함하여 ZrO2의 상도 비결정질이 되므로써 모드 선택과 출력 안정화를 이룰 수 있다.

Description

비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 X-레이 회절 각에 대한 SiO2층에서 튀어나온 전자수의 변화를 보인 그래프이고, 제6도는 본 발명에 따른 X-레이 회절 각에 대한ZrO2층에서 튀어나온 전자수의 변화를 보인 그래프이고, 제7도는 본 발명에 따른 KTP 펠티어 전류에 대한 SHG 출력을 나타내는 그래프이다.

Claims (6)

  1. 비선형 단결정 소자의 일측면에 전자 빔 증착기로 비정질상의 SiO2막을 코팅하는 단계 및 상기 SiO2층에 전자 빔 증착기로 비정질상의 ZrO2막을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두 코팅 단계에서 진공도가 2.0 X 10-5토르인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 ZrO2층의 두께가 630Å인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 SiO2층의 두께가 1820Å인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 ZrO2코팅이 산소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 SiO2코팅이 공기 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960012937A 1996-04-25 1996-04-25 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 KR970071488A (ko)

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