KR970071488A - 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 - Google Patents
비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970071488A KR970071488A KR1019960012937A KR19960012937A KR970071488A KR 970071488 A KR970071488 A KR 970071488A KR 1019960012937 A KR1019960012937 A KR 1019960012937A KR 19960012937 A KR19960012937 A KR 19960012937A KR 970071488 A KR970071488 A KR 970071488A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- coating
- sio
- layer
- coating layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 비선형 단결정 소자의 일측면에 반반사 코팅층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명 방법은. 비선형 단결정 소자의 일측면에 전자빔 증착기로 비정질상의 SiO2막을 코팅하는 단계 및 상기 SiO2층에 전자 빔 증착기로 비정질상의 ZrO2를 코팅하는 단계를 포함하여 ZrO2의 상도 비결정질이 되므로써 모드 선택과 출력 안정화를 이룰 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 X-레이 회절 각에 대한 SiO2층에서 튀어나온 전자수의 변화를 보인 그래프이고, 제6도는 본 발명에 따른 X-레이 회절 각에 대한ZrO2층에서 튀어나온 전자수의 변화를 보인 그래프이고, 제7도는 본 발명에 따른 KTP 펠티어 전류에 대한 SHG 출력을 나타내는 그래프이다.
Claims (6)
- 비선형 단결정 소자의 일측면에 전자 빔 증착기로 비정질상의 SiO2막을 코팅하는 단계 및 상기 SiO2층에 전자 빔 증착기로 비정질상의 ZrO2막을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 두 코팅 단계에서 진공도가 2.0 X 10-5토르인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ZrO2층의 두께가 630Å인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SiO2층의 두께가 1820Å인 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 ZrO2코팅이 산소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 SiO2코팅이 공기 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960012937A KR970071488A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960012937A KR970071488A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970071488A true KR970071488A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960012937A KR970071488A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970071488A (ko) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122909A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ファラデ回転子の対接着剤用反射防止膜 |
JPH04156501A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Olympus Optical Co Ltd | 合成樹脂製光学部品への反射防止膜 |
KR930005304Y1 (ko) * | 1991-07-06 | 1993-08-13 | 편경식 | 자동차용 전구 소켓 |
JPH06208003A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-07-26 | Toshiba Corp | 反射防止膜及び表示装置 |
KR950012949A (ko) * | 1993-10-28 | 1995-05-17 | 김광호 | 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 반사방지막 |
KR960004250A (ko) * | 1994-07-08 | 1996-02-23 | 최영증 | 저반사 코팅유리 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-04-25 KR KR1019960012937A patent/KR970071488A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122909A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ファラデ回転子の対接着剤用反射防止膜 |
JPH04156501A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Olympus Optical Co Ltd | 合成樹脂製光学部品への反射防止膜 |
KR930005304Y1 (ko) * | 1991-07-06 | 1993-08-13 | 편경식 | 자동차용 전구 소켓 |
JPH06208003A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-07-26 | Toshiba Corp | 反射防止膜及び表示装置 |
KR950012949A (ko) * | 1993-10-28 | 1995-05-17 | 김광호 | 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 반사방지막 |
KR960004250A (ko) * | 1994-07-08 | 1996-02-23 | 최영증 | 저반사 코팅유리 및 그 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Nishida et al. | Quantum wire fabrication by e-beam elithography using high-resolution and high-sensitivity e-beam resist ZEP-520 | |
Bauer et al. | Tunable band structure in diamond–cubic tin–germanium alloys grown on silicon substrates | |
CA2281788A1 (en) | Method of producing silicon oxide film, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device | |
WO2002064853A3 (en) | Thin films and methods of making them using trisilane | |
Van Gogh et al. | Performance enhancement of metal-hydride switchable mirrors using Pd/AlO x composite cap layers | |
KR950009904A (ko) | 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조 방법 | |
KR970071488A (ko) | 비선형 단결정 소자에 반반사 코팅층을 형성하는 방법 | |
CA2238857A1 (en) | Ferroelectric material, method of manufacturing the same, semiconductor memory, and method of manufacturing the same | |
Green et al. | Optical properties of lithium tungsten bronze thin films | |
JP2000352700A (ja) | 光学導波路デバイス | |
JPS5619030A (en) | Production of liquid crystal display element | |
JPS6033320B2 (ja) | 半導体レ−ザ及びその製造方法 | |
KR960032571A (ko) | NbN 전극을 사용한 진공기밀소자 | |
Ebihara et al. | Influence of ambient gas on diamond-like carbon films prepared by KrF pulsed laser deposition | |
JP3213619B2 (ja) | 光導波路型デバイスの製造方法及び光導波路型デバイス | |
KR100251349B1 (ko) | 레이저 다이오드의 거울면 코팅 방법 | |
US5886459A (en) | Enhanced field emission from microtip structures | |
JPH02257123A (ja) | 薄膜非線形素子 | |
JPH0329259A (ja) | 半導体光電面構造 | |
US6873749B2 (en) | Optical devices | |
Fomin et al. | Surface topography and optical properties of thin AlN films produced on GaAs (100) substrate by reactive ion-plasma sputtering | |
JPS63260138A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
JPH11295770A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
Burton | Removable volatile protective coatings for aluminised mirrors used in far-ultraviolet space astronomy | |
JPS5635437A (en) | Manufacturing of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |