Claims (10)
웨이퍼 세척을 위한 세척조의 양단 외벽에 각각 전극판이 부착된 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 습식 세정장치.Wherein an electrode plate is attached to the outer wall at both ends of the cleaning tank for cleaning the wafer, respectively.
제1항에 있어서, 상기 각각의 전극판의 내면은 구리로 되어 있고, 외면은 스테인레스로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 습식 세정장치.The wet cleaning apparatus according to claim 1, wherein the inner surface of each electrode plate is made of copper and the outer surface is made of stainless steel.
제2항에 있어서, 상기 전극판의 내면은 상기 세척조의 외벽면에 접하는 부분인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 습식 세정장치.The wet cleaning apparatus according to claim 2, wherein the inner surface of the electrode plate is a portion contacting the outer wall surface of the cleaning tank.
제1항에 있어서, 상기 세척조의 하부로부터 순수가 공급되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 습식 세정장치.The wet cleaning apparatus according to claim 1, wherein pure water is supplied from a lower portion of the cleaning tank.
제1항에 있어서, 상기 세척조 양단의 전극판이 웨이퍼 세척시 각각(+)와 (-) 극성을 띠는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 습식 세정장치.The wet cleaning apparatus of claim 1, wherein the electrode plates at both ends of the cleaning tank have positive and negative polarities when the wafer is cleaned.
웨이퍼 세정을 위한 세척조내의 불순물입자 및 금속이온들을 전해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 습식 세정방법.And removing impurity particles and metal ions in the cleaning tank for wafer cleaning.
웨이퍼 세척을 위한 세척조의 양단 외벽에 각각 전극판이 부착된 습식 세정장치를 이용한 반도체장치의 습식 세정방법에 있어서, 상기 세척조의 하부로부터 순수를 공급하면서 상기 세척조내에 웨이퍼를 넣고 순수가 공급되는 동안 상기 양단의 전극판이 각각(+)와 (-)극성을 띠도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 습식 세정방법.A wet cleaning method for a semiconductor device using a wet cleaning apparatus having an electrode plate on both outer ends of a cleaning tank for cleaning wafers, the method comprising: supplying pure water from a lower portion of the cleaning tank while feeding wafers into the cleaning tank; (+) And (-) polarities of the electrode plate of the semiconductor device.
제7항에 있어서, 상기 전극판에 각각(+)와 (-)직류전압을 인가하여 (+)와 (-)극성을 띠도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 습식 세정방법.The wet cleaning method of a semiconductor device according to claim 7, wherein positive and negative DC voltages are applied to the electrode plate so as to have positive and negative polarities.
제7항에 있어서, 상기 (+)와 (-)극성을 띤 전극판에 의해 상기 순수내에 함유된 금속이온들 및 상기 웨이퍼 표면에 흡착되어 있는 불순물 입자가 상기 전극판에 부착된 세척조의 내벽에 흡착됨으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 습식 세정방법.The cleaning method according to claim 7, wherein the metal ions contained in the pure water and the impurity particles adsorbed on the wafer surface are cleaned by the electrode plate having the (+) and (- Wherein the semiconductor wafer is removed by adsorption.
제7항에 있어서, 상기 웨이퍼의 세정을 마친후, 웨이퍼를 세척조밖으로 빼낸 다음 상기 전극판의 극성을 제거하고 순수의 오버플루우를 실시하여 상기 세척조의 내벽에 흡착된 불순물입자 및 금속이온들을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 습식 세정방법.The cleaning method according to claim 7, wherein after the cleaning of the wafer is completed, the wafer is taken out of the washing tank, and the polarity of the electrode plate is removed, and pure water is overflowed to remove impurity particles and metal ions adsorbed on the inner wall of the washing tank Wherein the wet cleaning method comprises the steps of: