KR970067590A - 하전빔 노광 시스템 및 하전빔 노광 방법 - Google Patents
하전빔 노광 시스템 및 하전빔 노광 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970067590A KR970067590A KR1019970012138A KR19970012138A KR970067590A KR 970067590 A KR970067590 A KR 970067590A KR 1019970012138 A KR1019970012138 A KR 1019970012138A KR 19970012138 A KR19970012138 A KR 19970012138A KR 970067590 A KR970067590 A KR 970067590A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- charged beam
- aperture
- specimen
- current density
- exposure time
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명에 따라, 전류밀도 측정기를 사용하지 않고 애퍼처를 형상화하는 NA에 따라 하전빔의 전류밀도를 조정할 수 있는 하전 빔 노광 시스템이 제공된다. 이 시스템은 제1애퍼처 마스크상에 형성된 제1애퍼처와 제2애퍼처 마스크상에 형성된 제2애퍼처를 포함한다. 전류밀도 측정기는 하전빔의 전류밀도를 조정한다. 제2애퍼처 선택기는 제2애퍼처중의 하나를 선택한다. 노광시간 측정기는 하전빔에 시편을 노광시키는 시간을 조정한다. 전류 검출기는 하전빔에 의해 발생된 전류를 검출한다. 수정 데이타 발생기는 전류를 예비설정치 이하로 제한하기 위해 수정 데이터를 발생한다. 하전빔은 제1애퍼처의 형상을 갖는 제1애퍼처를 통과한다. 제1애퍼처의 형상을 갖는 하전빔을 제1애퍼처와 제2애퍼처의 선택된 하나와의 복합 형상을 갖도록 제2애퍼처 중의 선택된 하나를 통과한다. 복합 형상을 갖는 하전된 빔은 시편위에 방사되어 복합 형상의 영상을 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자 빔 노광 시스템의 구성을 보여주는 개략도.
Claims (7)
- 하전빔 노광 시스템(charged-beam exposure system)에 있어서, 하전빔을 방출하는 하전빔 공급원과; 하전빔을 제1형상으로 형상화하기 위한 제1애퍼처를 갖는 제1애퍼처(aperture) 마스크와; 하전빔을 제2형상으로 선택적으로 형상화하기 위한 제2애퍼처를 갖는 제2애퍼처 마스크와; 하전빔의 전류밀도를 조정하기 위한 전류밀도 측정기와; 제2애퍼처중에서 하나를 선택하기 위한 제2애퍼처 선택기와; 시편을 하전빔에 노광시키는 시간을 조정하기 위한 노광시간 측정기와; 하전빔에 의해 발생된 전류를 검출하는 전류 검출기; 및 전류밀도 수정 데이터와 노광 시간 수정 데이터를 발생하는 수정 데이터 발생기를 포함하고, 하전빔은 제1형상으로 형상화된 제1애퍼처에 방사되고, 상기 제1형상으로 형성화된 하전빔이 제2형상들 중의 하나에 해당하는 것으로 형상화될 제2애퍼처중에서 선택된 것에 더 방사됨으로써, 하전빔을 제1애퍼처와 제2애퍼처의 복합형상에서 선택된 것으로 형상화하고, 상기 복합 형상으로 형상화된 하전빔은 시편위에 복합 형상의 영상을 형성하도록 시편에 방사되고, 전류검출기에 의해 검출된 전류의 값이 예비설정(preset)값을 초과하면, 수정 데이터 발생기는, 하전빔의 전류밀도는 그 예비설정치 이하로 감소되고 시편의 노광시간은 증가되어 실질적으로 노광량을 변화시키지 않도록 하는 방법으로, 전류밀도 수정 데이터와 노광시간 수정 데이터를 발생하고, 상기 전류밀도 측정기는 전류밀도 수정 데이터에 따라 하전빔의 전류밀도를 조정하고, 상기 노광시간 측정기는 노광시간 수정 데이터에 따라 시편의 노광시간을 조정하는 것을 특징으로 하는 하전빔 노광 시스템.
- 제1항에 있어서, 검출기로서 패러데이 컵이 사용되고, 그 페러데이 컵은 제2애퍼처 중에서 선택된 하나를 통과하는 하전빔이 만나는 곳에 위치한 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 검출기로서 전류계가 사용되고, 그 전류계는 상기 제2애퍼처 마스크에 의해 하전빔의 산란된 성분에 의해서 발생된 전류를 검출하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 검출기로서 전류계가 사용되고, 그 전류계는 제2애퍼처의 선택된 하나로 흐르는 전류를 검출하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 하전빔 노광 방법에 있어서, 하전빔은 제1형상으로 형상화될 제1애퍼처 마스크 상에 형성된 제1애퍼처로 방사되고, 제1형상과 함께하전빔은 다음에 제2형상으로 형상화될 제2애퍼처 상에 형성된 제2애퍼처 중의 선택된 하나에 방사됨으로써, 하전빔을 상기 제1애퍼처와 상기 제2애퍼처 중에서 선택된 하나의 복합 형상으로 형상화하고, 복합 형상을 갖는 상기 하전빔은 시편에 방사됨으로써, 시편 위로 복합형상을 이전하는, 하전빔 노광 방법으로서, (a) 시편의 노광 전에 하전빔에 의해 발생된 전류를 검출하는 단계와, (b) 검출된 전류의 값을 예비설정치와 비교하는 단계와, (c) 검출된 전류의 값이 예비설정치를 초과하면, 하전빔의 전류밀도가 그 예비설정치 이하로 감소되고 시편의 노광시간이 증가되어 노광량이 변화되지 않게 유지하도록 하는 방법으로, 전류밀도 수정 데이터와 노광시간 수정 데이터를 발생하는 단계와, (d) 전류밀도 수정 데이터와 노광시간 수정 데이터에 따라서 하전빔의 전류밀도와 시편의 노광시간을 수정하는 단계. 및 (e) 수정된 노광시간을 위한 수정된 전류밀도에서 시편에 하전빔을 방사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전빔 노광 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 단계 (a) 내지 단계 (d)는, 제2형상의 각각에 대해 시편에 제1노광을 하기 바로 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 단계 (a) 내지 단계 (d)는, 제2형상의 모두에 대해 시편의 노광을 시작하기 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08074086A JP3082662B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 荷電ビーム露光装置および露光方法 |
JP96-74086 | 1996-03-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970067590A true KR970067590A (ko) | 1997-10-13 |
KR100237098B1 KR100237098B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=13537020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970012138A KR100237098B1 (ko) | 1996-03-28 | 1997-03-28 | 하전빔 노광 시스템 및 하전빔 노광방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5932884A (ko) |
JP (1) | JP3082662B2 (ko) |
KR (1) | KR100237098B1 (ko) |
GB (1) | GB2311650B (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284385A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Nec Corp | 電子線描画方法 |
JP3478058B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-12-10 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線描画装置 |
JPH11186150A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置並びにそのマスクアライメント方法及び装置較正方法 |
US6200709B1 (en) * | 1999-01-15 | 2001-03-13 | Custom One Design, Inc. | Photolithographic mask and apparatus and method of use thereof |
US6538255B1 (en) * | 1999-02-22 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Electron gun and electron-beam optical systems and methods including detecting and adjusting transverse beam-intensity profile, and device manufacturing methods including same |
US6414313B1 (en) * | 1999-06-01 | 2002-07-02 | Nikon Corporation | Multiple numerical aperture electron beam projection lithography system |
US6483117B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-11-19 | Nikon Corporation | Symmetric blanking for high stability in electron beam exposure systems |
JP3414337B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2003-06-09 | 日新電機株式会社 | 電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置 |
JP2001237161A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 荷電粒子線光学系及び電子光学系 |
DE10147133A1 (de) * | 2000-10-03 | 2002-06-13 | Advantest Corp | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung |
US6822248B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | Spatial phase locking with shaped electron beam lithography |
JP4558240B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2010-10-06 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
DE10312989A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Toshiba Kk | Lithographiesystem mit Strahl aus geladenen Teilchen, Lithographieverfahren, das einen Strahl aus geladenen Teilchen verwendet, Verfahren zum Steuern eines Strahls aus geladenen Teilchen, und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils |
JP2006032613A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画方法および装置 |
JP2006079911A (ja) | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器 |
JP2007043078A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画方法 |
JP2008176984A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工装置 |
US8294125B2 (en) * | 2009-11-18 | 2012-10-23 | Kla-Tencor Corporation | High-sensitivity and high-throughput electron beam inspection column enabled by adjustable beam-limiting aperture |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52119185A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure equipment |
JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
JPS63119530A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Jeol Ltd | 荷電ビ−ム描画方法 |
JPH0314219A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置 |
JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
US5811823A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP08074086A patent/JP3082662B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-27 US US08/827,088 patent/US5932884A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-27 GB GB9706458A patent/GB2311650B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-28 KR KR1019970012138A patent/KR100237098B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9706458D0 (en) | 1997-05-14 |
KR100237098B1 (ko) | 2000-01-15 |
JP3082662B2 (ja) | 2000-08-28 |
JPH09266152A (ja) | 1997-10-07 |
GB2311650A (en) | 1997-10-01 |
GB2311650B (en) | 2000-10-18 |
US5932884A (en) | 1999-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970067590A (ko) | 하전빔 노광 시스템 및 하전빔 노광 방법 | |
Fusco-Femiano et al. | Hard X-ray radiation in the Coma cluster spectrum | |
JP2002358919A (ja) | X線発生装置 | |
EA200100423A1 (ru) | Фотополимерные композиции, формирующие изображения при ионизирующем облучении | |
US4097740A (en) | Method and apparatus for focusing the objective lens of a scanning transmission-type corpuscular-beam microscope | |
Rattner et al. | Kinetochore structure: electron spectroscopic imaging of the kinetochore. | |
AU2001226369A1 (en) | Automated calibration adjustment for film dosimetry | |
US4937458A (en) | Electron beam lithography apparatus including a beam blanking device utilizing a reference comparator | |
US5933217A (en) | Electron-beam projection-microlithography apparatus and methods | |
Fraix-Burnet et al. | Quantitative analysis of the optical jet in the QSO 3 C273 | |
Nürnberg | Laser-accelerated proton beams as a new particle source | |
GB1570314A (en) | Device for scanning a target with a beam of charged particles | |
US2440640A (en) | Electron microanalyzer | |
JPH06138297A (ja) | 低速陽電子ビーム発生装置 | |
Spear | Investigation of Electron Optical Properties of an Electrostatic Focusing System | |
Gúrpide et al. | Quasi-isotropic UV Emission in the ULX NGC 1313 X–1 | |
Gaines et al. | An improved annular-shaped electron gun for an X-ray generator | |
KR970049066A (ko) | 전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 | |
JPH0888098A (ja) | サイクロトロン及びその加速方法 | |
JP2705189B2 (ja) | 粒子分析装置 | |
JPS61288364A (ja) | イオン打ち込み方法 | |
JPS5878356A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
White | A study of small angle radiative Bhabha scattering and measurement of the luminosity at SLD | |
JPH01124949A (ja) | 二次電子検出器 | |
Firth et al. | The" screening" of neutral particles in high voltage ion accelerator tubes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |