KR970049066A - 전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 - Google Patents
전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 Download PDFInfo
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Abstract
전자빔 노광장비를 이용한 노광공정에 있어서, 포토마스크 상의 어드레스 사이즈(address size) 및 빔 스팟 사이즈(beam spot size)를 인자로 하여 유도한 강도 함수에 의거하여 균일한 패턴을 얻을 수 있는 최적 노광 조건을 결정한 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 가우시간 빔 에너지 분포를 가지는 전자빔 노광 장치를 이용하여 xy 평면상에 균일한 패턴을 노광하기 위한 최적의 노광 조건을 결정하는 방법에 있어서, 마스크 상의 어드레스 사이즈와 빔 스팟 사이즈를 포함하는 인자와 소정의 경계 조건으로부터 가우시간 분포에 의거한 강도의 함수 및 그 미분 함수를 유도하는 단계, 및 패턴의 경계면에서 강도 함수의 변화량(@) 및 미분함수(kI/KX 및KI/KY)이 작은 값으로부터 적정 노광조건을 결정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 우수한 패턴 균일도 및 에지 프로파일을 얻을수 있는 최적의 노광 조건을 결정할 수 있으며, 노광 공정에 소요되는 시간을 절약할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 빔 스팟 사이즈가 B인 전자 빔(E-beam)이 x와 y방향으로 사이즈가 A인 어드레스의 중앙에 노광될때의 xy평면 상의 좌표를 나타내는 도면이다,
제2도는 마스크의 xy평면 상에서의 노광 영역을 각각의 어드레스로 구분하여 좌표로서 나타낸 그래프이다.
Claims (1)
- 가우시간 빔 에너지 분포를 가지는 전자빔 노광 장치를 이용하여 xy 평면상에 균일한 패턴을 노광하기 위한 최적의 노광 조건을 결정하는 방법에 있어서, 마스크 상의 어드레스 사이즈와 빔 스팟 사이즈를 포함하는 인자와 소정의 경계 조건으로부터 가우시간 분포에 의거한 강도의 함수 및 그 미분 함수를 유도하는 단계, 및 패턴의 경계면에서 강도 함수의 변화량(△I) 및 미분함수(kI/KX 및KI/KY)이 작은 값으로부터 적정 노광조건을 결정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광조건 결정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067021A KR970049066A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067021A KR970049066A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049066A true KR970049066A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950067021A KR970049066A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 전자빔 노광장치에서의 최적 노광조건 결정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970049066A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673152B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| KR100843437B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 소형 카메라 모듈의 색수차 보정 방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067021A patent/KR970049066A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100673152B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| KR100843437B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 소형 카메라 모듈의 색수차 보정 방법 |
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