KR970063559A - 가스 분산기 및 플라즈마 처리장치 - Google Patents

가스 분산기 및 플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970063559A
KR970063559A KR1019970002518A KR19970002518A KR970063559A KR 970063559 A KR970063559 A KR 970063559A KR 1019970002518 A KR1019970002518 A KR 1019970002518A KR 19970002518 A KR19970002518 A KR 19970002518A KR 970063559 A KR970063559 A KR 970063559A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
disperser
processing apparatus
plasma processing
dispersing
Prior art date
Application number
KR1019970002518A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100229181B1 (ko
Inventor
수주끼세쯔
노보루 도꾸마쯔
가즈오 마에다
쥬 니츠 아오끼
Original Assignee
다케모토 히데하루
캐논 한바이 가부시키가이샤
가즈오 마에다
가부시키가이샤 한도타이 프로세스 겐큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8016502A external-priority patent/JP2978974B2/ja
Priority claimed from JP8016503A external-priority patent/JP2975885B2/ja
Application filed by 다케모토 히데하루, 캐논 한바이 가부시키가이샤, 가즈오 마에다, 가부시키가이샤 한도타이 프로세스 겐큐쇼 filed Critical 다케모토 히데하루
Publication of KR970063559A publication Critical patent/KR970063559A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100229181B1 publication Critical patent/KR100229181B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

반응가스를 플리즈마화하여 필름 형성과 에칭을 플라즈마 가스로 수행하게 되는, 대향전극 중의 하나로서의 기능을 가진 가스 분산기를 제공한다. 그 가스 분산기는 그의 중앙부의 리세스 부와 그 리세스 부에 가스를 도입하는 관통공을 가진 기체, 방사방향에 가스를 도입하는, 그 리세스 부에 마련된 가스 분배판, 및 가스 분배 판에 의해 도입되는 가스를 분산하는 환상의 가스 분산 부재로 이루어져 있다.

Description

가스 분산기 및 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1 실시의 형태에 관계되는 플라즈마 CVD장치의 전체 구성에 대하여 보이는 측면도이다.

Claims (23)

  1. 플라즈마 처리 장치로서, (a) 반응가스를 분산하며, 제1의 전극의 대용이 되는, 가스 분산기; (b) 처리할 기판이 재치되며 환상으로 배열된 재치부를 가진, 상기 가스 분산기를 면하는 상태로 회전하는 재치대; (c) 상기 재치부 아래에 배치되어, 상기 재치부에 재치된 기판에 대해 공통으로 제2의 전극의 대용이 되는 단일의 도전판; 및 (d) 상기 반응가스를 플라즈마화하게 전력을 공급하고, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극중의 하나에 접속되고 있는, 고주파 전력공급장치로 이루어지는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 판에 재치돼 있는 상기 기판에 바이어스 전입을 공급하며, 상기 제2의 전극에 접속되고 있는 AC 전력 공급장치를 더 함유하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 재치부 아래와 상기 재치부에 재치된 상기 기판에 공통하여 마련돼 있는 단일의 히터를 더 포함하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 단일의 도전판과 상기 단일의 히터가 상기 재치대에 묻혀 있는 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 단일의 도전판과 상기 히터가 그들 간에 배치된 상기 절연물질에 의하여 상호 절연돼 있는 플라즈마 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 테이블과 그리고 상기 재치부에 대응하는 위치들에 따로따로 묻혀 있는 복수의 히터를 더 포함하는, 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 도전판이 상기 테이블에 묻혀 있고, 상기 도전판과 상기 복수의 히터가 그들간에 배치된 상기 절연물질의 의하여 절연돼 있는 플라즈마 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 가스 분산기가 상기 반응가스를 도입하는 가스도입구와 상기 테이블의 상기 재치부에 대향하는 가스 분산구를 가지며, 상기 가스도입구와 상기 가스분산구를 잇고 코일상(狀)의 배관부를 부분적으로 가지고 있는 도전성 가스배관이 더 마련돼 있는, 플라즈마 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가스 분산기와 상기 테이블을 받으며 압력이 감소될 수 있는 처리실과, 상기 재치대에 고정되어 상기 처리실의 외측에 연장하며, 상기 플라즈마 처리장치의 상기 외측에 회전가능하게 지지돼 있는 회전축을 더 함유하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 가스 분산기가 상기 반응가스를 도입하는 가스도입구와, 상기 테이블의 상시 재치부에 대향하도록 배열돼 있는 환상의 가스 분산구, 및 상기 환상의 가스 분산구를 상기 가스 도입구에 연결하는 가스 흐름 경로를 더 함유하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 환상의 가스분산구가 복수의 가스 분산구멍을 가지고 있는 플라즈마 처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 가스 분산기가, 상호 결리돼 있는 복수의 가스도입구와, 상기 테이블의 상기 재치부에 대향하도록 환상으로 배열돼 있는 복수의 가스 분산구, 및 상호 격리돼 있으며 상기 각각의 가스분산구를 상기 각각의 가스 도입구에 잇는 복수의 가스 흐름 경로를 더 포함하고 있는 플라즈마 처리장치.
  13. 제14항에 있어서, 상기 가스분산구들의 각각이 복수의 가스분산 구멍을 가지고 있는 플라즈마 처리장치.
  14. 플라즈마 처리장치에 있어서의 제1의 전극의 대용이 되는 가스 분산기로서, (a) 가스 분산구; (b) 상기 가스 분산기의 중앙부에 가스를 도입하며, 상기 가스 도입구에 연결되는 제1의 가스 흐름 경로; (c) 상기 제1의 가스 흐름 경로에 접속되고, 상기 가스를 상기 중앙부에 방사방향으로 분할하며, 다음 상기 일단 분할한 가스를 상기 중앙부와 상기 중앙부와 상기 주변부 사이의 중간부의 상기 가스 분산기의 주변부에 향해 재분할하는 제2의 가스 흐름 경로; 및 (d) 상기 재분할 가스를 분산하며 상기 제2의 가스 흐름 경로에 접속된 환상의 가스 분산구로 이루어지는 가스 분산기.
  15. 가스 분산기로사, (a) 가스 도입구를 거친 기체와, 기체의 중앙부의 리세스 부 및 상기 가스 도입구를 상기 리세스 부에 잇는 제1의 가스 흐름 경로; (b) 상기 리세스 부에 마련되어, 상기 기체와 가스 분배판과의 사이의 제2의 가스 흐름 경로 로 작용하는 극간을 형성하는 가스 분배판; 및 (c) 상기 가스를 분산하며, 상기 가스 분배판과 상기 환상의 가스 분산부재와의 사이의 상기 제2의 가스 흐름 경로의 또 다른 부분으로 작용하는 또 다른 극간을 형성하는 환상의 가스 분산 부재로 이루어지는 가스 분산기.
  16. 제15항에 있어서, 상기 환상의 가스 분산 부재가 그의 외측 주변부에서 상기 기체를 접촉하며 상기 가스 분배판을 경유하여 그의 내측 주변부에서 상기 기체를 접촉하는 가스 분산기.
  17. 제15항에 있어서, 상기 환상의 가스 분산 부재가 복수의, 환상의 지역에 분배되는 가스 분산 구멍을 가지고 있는 가스 분산기.
  18. 플라즈마 처리장치로서, (a) 가스 분산기는 (1) 가스도입구를 가진 기체와, 그 기체의 중앙부의 리세스 및 상기 가스도입구를 상기 리세스 부에 잇는 제1의 흐름 경로, (2) 상기 리세스 부에 마련되어, 상기 기체와 상기 가스 분배판과의 사이의 제2의 가스 흐름 경로로서 작용하는 극간을 형성하는 가스 분배판, 및 (3) 상기 가스를 분산하며, 상기 가스 분배판과 환상의 가스 분산 부재와의 사이의 상기 제2의 가스 흐름 경로의 또 다른 부분으로서 작용하는 또 다른 극간을 형성하는 환상의 가스 분산 부재가 마련되고; 또 (b) 재치대는 제2의 전극으로서 작용하고, 처리할 기판들을 재치하는 복수의 재치부를 가지며, 상기 재치부들은 상기 가스 분산 부재에 대향하여 배열되고 있는 플라즈마 처리장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 가스 분산기의 가스 분산 부재가 그의 외측 주변부에서 상기 기체를 접촉하며 그의 내측 주변부에서 상기 가스 분배판을 경유하여 상기 기체를 접촉하는 플라즈마 처리장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 가스 분산기의 환상의 가스 분산 부재가 복수의, 상기 재치대의 상기 재치부에 측면을 면하는 상태에 배열돼 있는, 가스 분산 구멍들을 가지고 있는 플라즈마 처리장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 환상의 가스 분산 부재를 상기 가스 분산기와 함께 환상의 방향에 따라 회전하는 회전 수단을 더 함유하는, 플라즈마 처리장치.
  22. 제18항에 있어서, 상기 가스를 플라즈마화하게 상기 가스 분산기에 접속된 고주파 전원을 더 함유하는, 플라즈마 처리장치.
  23. 제18항에 있어서, 상기 재치대에 재치되는 상기 기판에 바이어스 전압을 적용하게 상기 재치대에 접속된 AC 전원을 더 함유하는, 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970002518A 1996-02-01 1997-01-29 가스분산기 및 플라즈마 처리장치 KR100229181B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8016502A JP2978974B2 (ja) 1996-02-01 1996-02-01 プラズマ処理装置
JP8-16502 1996-02-01
JP8-16503 1996-02-01
JP8016503A JP2975885B2 (ja) 1996-02-01 1996-02-01 ガス分散器及びプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970063559A true KR970063559A (ko) 1997-09-12
KR100229181B1 KR100229181B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=26352850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970002518A KR100229181B1 (ko) 1996-02-01 1997-01-29 가스분산기 및 플라즈마 처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5834730A (ko)
EP (1) EP0788137A3 (ko)
KR (1) KR100229181B1 (ko)
TW (1) TW340957B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3396399B2 (ja) * 1997-06-26 2003-04-14 シャープ株式会社 電子デバイス製造装置
US6139678A (en) 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6287976B1 (en) * 1999-05-19 2001-09-11 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
KR100416308B1 (ko) * 1999-05-26 2004-01-31 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
US6531069B1 (en) 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections
US6749764B1 (en) * 2000-11-14 2004-06-15 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed
DE10153463A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-15 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
JP3940095B2 (ja) * 2003-05-08 2007-07-04 忠弘 大見 基板処理装置
JP2005174974A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層圧電体部品の製造方法
KR100610019B1 (ko) * 2005-01-11 2006-08-08 삼성전자주식회사 플라즈마 분배장치 및 이를 구비하는 건식 스트리핑 장치
JP4584722B2 (ja) * 2005-01-13 2010-11-24 シャープ株式会社 プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
JP2006196681A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Sharp Corp プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
US8058585B2 (en) * 2006-03-13 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus and storage medium
US20070261726A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Rye Jason A Multiple workpiece processor
WO2009008659A2 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Sosul Co., Ltd. Plasma etching apparatus and method of etching wafer
JP4971078B2 (ja) * 2007-08-30 2012-07-11 東京応化工業株式会社 表面処理装置
US20110000432A1 (en) * 2008-06-12 2011-01-06 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research One atmospheric pressure non-thermal plasma reactor with dual discharging-electrode structure
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
WO2019212059A1 (ja) * 2018-05-02 2019-11-07 東京エレクトロン株式会社 上部電極およびプラズマ処理装置
KR102675856B1 (ko) * 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198822A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Anelva Corp ドライエツチング装置
US4750980A (en) * 1986-11-07 1988-06-14 Texas Instruments Incorporated Process for etching tin oxide
US5091217A (en) * 1989-05-22 1992-02-25 Advanced Semiconductor Materials, Inc. Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor
US5432315A (en) * 1991-05-31 1995-07-11 Hitachi, Ltd. Plasma process apparatus including ground electrode with protection film
US5266153A (en) * 1992-06-16 1993-11-30 National Semiconductor Corp. Gas distribution head for plasma deposition and etch systems
JPH06283435A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Sanyo Electric Co Ltd プラズマcvdによるアモルファスシリコンの成膜方法
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP3144665B2 (ja) * 1993-09-17 2001-03-12 東京エレクトロン株式会社 処理用ガスの供給方法
KR100302167B1 (ko) * 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd

Also Published As

Publication number Publication date
EP0788137A3 (en) 2000-09-27
EP0788137A2 (en) 1997-08-06
KR100229181B1 (ko) 1999-11-01
TW340957B (en) 1998-09-21
US5834730A (en) 1998-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970063559A (ko) 가스 분산기 및 플라즈마 처리장치
US6042686A (en) Power segmented electrode
RU2163044C2 (ru) Устройство для зажима электрода, способ его сборки и использования
KR101083624B1 (ko) 균일성 제어를 위한 분할형 무선 주파수 전극 장치 및 방법
JPH11158633A (ja) Cvd反応及びpecvd反応で反応物ガスの早期混合を防止するための装置並びに方法
KR20010043913A (ko) 플라스마 방전 기체가 처리 챔버로 주입되는 고전력 rf전극을 절연시키는 방법 및 장치
JP4437351B2 (ja) プラズマエッチング装置
JPH088239A (ja) ウェーハ処理装置
US20140083615A1 (en) Antenna assembly and a plasma processing chamber having the same
JP2004342704A (ja) 上部電極及びプラズマ処理装置
JPH10313044A (ja) 半導体ウェーハ処理システム内のペデスタルにウェーハを機械的及び静電的にクランプする方法及び装置
TW202114044A (zh) 基板支持器及電漿處理裝置
TWI547591B (zh) 電漿處理裝置及電漿cvd裝置及在電漿處理裝置中形成薄膜的製造方法
KR970077336A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법
KR20010014867A (ko) 기판 처리챔버용 안테나 코일 조립체
US6468386B1 (en) Gas delivery system
WO2022211220A1 (ko) 기판 처리 장치
JP7373963B2 (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置
JP2000030894A (ja) プラズマ処理方法および装置
TW464969B (en) Simultaneous discharge device
JPH1074738A (ja) ウェーハ処理装置
TW202329196A (zh) 電漿處理裝置
KR20050024949A (ko) 플라즈마 식각 장치
JPH02268430A (ja) プラズマ処理装置
JPS62281427A (ja) 放電加工用電極

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030728

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee