KR970063536A - 반도체장치의 클리닝(Cleaning) 방법 - Google Patents
반도체장치의 클리닝(Cleaning) 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 클리닝 방법에 관한 개시하다. 본 발명에 의한 클리닝 방법은 불산(HF)을 포함하는 식각용액을 사용하는 반도체장치의 클리닝 방법에 있어서, 싱기 식각용액으로는 일정량의 과산화 수소수(H2O2)와 순수(DI)를 섞은 혼합용액에 수산화 칼륨(KOH)과 이.디.티.에이(EDTA: Ethylene-Dianine-Tetraacetic-Acid)를 일정량 용해시킨 혼합용액을 사용한다.
본 발명에 의한 습식식각 용액은 종래 기술의 습식식각 용액에 포함된 불산을 사용하지 않는다. 따라서 본 발명에 의한 식각액을 사용하여 금속막을 습식시각하면, 반도체기판 상의 보호막의 약화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 식각과정에서 인체에 유해한 가스가 발생되지 않으므로 클리닝 효율을 높일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 불산(HF)를 포함하는 식각용액을 사용하는 반도체장치의 클리닝 방법에 있어서, 상기 식각용액으로는 일정량의 과산화 수소수(H2O2)와 순수(DI)를 섞은 혼합용액에 수산화 칼륨(KOH)과 이.디.티.에이(EDTA : Ethylene-Dianine-Tetraacetic-Acid)를 일정량 용해시킨 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 클리닝 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합용액을 형성하기 위해 상기 수산화 칼륨, EDTA, 과산화 수소수 및 순수를 각각 1,500그람(g), 400그람(g), 10리터(ℓ) 및 20리터(ℓ) 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 클리닝 방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004429A KR970063536A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체장치의 클리닝(Cleaning) 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004429A KR970063536A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체장치의 클리닝(Cleaning) 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063536A true KR970063536A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66221644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004429A KR970063536A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체장치의 클리닝(Cleaning) 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063536A (ko) |
-
1996
- 1996-02-24 KR KR1019960004429A patent/KR970063536A/ko not_active Application Discontinuation
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