KR970062783A - 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970062783A KR970062783A KR1019960005306A KR19960005306A KR970062783A KR 970062783 A KR970062783 A KR 970062783A KR 1019960005306 A KR1019960005306 A KR 1019960005306A KR 19960005306 A KR19960005306 A KR 19960005306A KR 970062783 A KR970062783 A KR 970062783A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- gate
- electrode
- pattern
- forming
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 유리기판 위에 형성된 게이트전극; 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연막; 게이트절연막 위에 형성된 반도체막; 반도체막 위에 소정의 패턴으로 형성된 식각저지막; 식각저지막 위에 반도체막과 연결되도록 형성된 오믹층 패턴; 오믹층 패턴 위에 형성된 소오스전극/드레인전극, 및 상기 소오스전극/드레인전극과 동일선상의 게이트절연막 위에 형성된 게이트패드; 게이트전극 및 게이트패드의 일부분은 노출됨과 동시에 소오스전극/드레인 전극은 덮여지도록 형성된 보호막 패턴; 및 노출된 게이트전극과 게이트패드가 연결되도록 형성된 반사판을 구비하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자에 있어서, 반사판 하부에, 보호막 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 차광막 패턴을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 콘트라스트 비를 증가시킬 수 있으며, 5차의 사진식각공정을 기본 골격으로 한 제조방법으로 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자의 제작이 가능하며, 공정시간의 단축화와 생산비의 절감등을 성취할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 의한 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시소자의 단면도들이다.
Claims (4)
- 유리기판 위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 위에 형성된 반도체막; 상기 반도체막 위에 소정의 패턴으로 형성된 식각저지막; 상기 식각저지막 위에 상기 반도체막과 연결되도록 형성된 오믹층패턴; 상기 오믹층 패턴 위에 형성된 소오스전극/드레인전극 및 상기 소오스전극/드레인전극과 동일선상의 상기 게이트절연막 위에 형성된 게이트패드; 상기 게이트전극 및 게이트패드의 일부분은 노출됨과 동시에 상기 소오스전극/드레인 전극은 덮여지도록 형성된 보호막 패턴; 및 상기 노출된 게이트전극과 게이트패드가 연결되도록 형성된 반사판을 구비하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자에 있어서, 상기 반사판 하부에, 상기 보호막 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 차광막 패턴을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 아트라퀴니원, 질소화합물, 프탈옥시아닌등을 포함한 블랙 폴리이미드 계통의 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자.
- 유리기판 상에 제1금속막을 형성한 후 1차의 사진식각공정을 통하여 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극이 형성된 결과물 전면에 게이트절연막 및 반도체막을 차례로 형성하는 단계; 상기 반도체막 위에 제1절연막을 형성한 후 2차의 사진식각공정을 통하여 식각저지막을 형성하는 단계; 상기 식각저지막이 형성된 결과물 전면에 오믹층 및 제2금속막을 차례로 형성한 후 상기 식각저지막의 일부분이 노출되도록 3차의 사진식각공정을 실시함으로써 소오스전극, 드레인전극 및 게이트패드를 형성하는 단계; 상기 3차의 사진식각공정 후 결과물 전면에 보호막을 형성한 후, 4차의 사진식각공정을 통하여 상기 게이트전극과 게이트패드의 일부분이 노출되도록 하는 단계; 및 상기 4차의 사진식각공정 후 결과물 전면에 제3금속막을 형성한 후, 5차의 사진식각공정을 통하여 상기 노출된 게이트전극과 게이트패드를 연결시켜 줌과 동시에 화소전극으로 사용되는 반사판을 형성하는 단계를 구비하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자의 제조방법에 있어서, 상기 4차의 사진식각공정은, 상기 보호막위에 차광막을 더 형성한 후 실시하는 것을 특징으로 하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 안트라퀴니원, 질소화합물, 프탈옥시아닌등을 포함한 블랙 폴리이미드 계통의 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960005306A KR100219477B1 (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960005306A KR100219477B1 (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970062783A true KR970062783A (ko) | 1997-09-12 |
KR100219477B1 KR100219477B1 (ko) | 1999-09-01 |
Family
ID=19452214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960005306A KR100219477B1 (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100219477B1 (ko) |
-
1996
- 1996-02-29 KR KR1019960005306A patent/KR100219477B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100219477B1 (ko) | 1999-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970062784A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR970076040A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치 | |
KR970048718A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR970022459A (ko) | 액정표시장치 | |
KR970053623A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR960029834A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR970067944A (ko) | 액정 디스플레이 디바이스의 tft판 및 그 제조방법 | |
KR970076033A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR970062775A (ko) | 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법 | |
KR940020147A (ko) | 액정표시소자 | |
US8094251B2 (en) | Method for manufacturing lower substrate of liquid crystal display device | |
KR970028767A (ko) | 액정표시장치의 구조 및 그 제조 방법 | |
KR980003736A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
US7179673B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
US7518675B2 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display device | |
KR970062783A (ko) | 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 | |
KR970028753A (ko) | 액정 표시 소자의 제조 방법 | |
KR100542307B1 (ko) | Tft-lcd의 제조방법 | |
KR970054526A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR970062782A (ko) | 반사형 박막 트랜지스터-액정 표시 소자 및 그 제조방법 | |
KR980003734A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시소자의 제조방법 및 그 구조 | |
KR940015621A (ko) | 액정 표시 판넬 제작방법 및 전극 패드 구조 | |
KR19990026638A (ko) | 반사형 액정표시소자의 반사판 및 그 제조방법 | |
KR980003743A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치 | |
KR980003744A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080528 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |