KR970053234A - 화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법 - Google Patents

화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 MOCVD 방법으로 반도체 이종구조를 성장함에 있어서 레이저를 이용한 실시간 분석장치를 사용하여 반도체에 도핑된 불순물의 농도를 실시간으로 알아내는 방법과 고핑으로 인한 성장조건의 변화중 성장속도의 시간에 따른 변화를 감지한 방법이다. 실시간 분석장치로 알아낸 성장중의 반사신호는 에피층오가 기판에서의 레이저 간섭신호에 의해 반사신호가 주기적 성향을 띠며, 에피층에 흡수가 있을 경우 반사신호의 진폭변화는 흡수계수에 의해 결정됨을 이용하고 흡수계수와 불순물농도의 관계를 이용하여 불순물의 농도를 계산할 수 있다. 또한 반사신호에 나타나는 개개의 피크를 독립적으로 분석하여 보면 시간에 따른 성장속도를 일일이 계산할 수 있는데 탄소도핑된 알루미늄비소층에서 성장속도의 시간에 따른 감속이 감지되었다.

Description

화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 성장되는 화합물 반도체층의 도핑특성을 분석하는데 통상적으로 사용되는 실시간 반사율 측정장치와 실시예를 나타낸 개략도.

Claims (5)

  1. 화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법에 있어서, 에피택시장치의 성장실(100) 내부에 화합물 반도체기판(130)을 실장하고 반응개스를 주입하여 이종구조의 화합물 반도체 체층을 성장시키는 동시에 성장실(100)내의 화합물 반도체 체기판(130)의 표면에 레이저장치(10)로부터 헬륨-네온 레이저광과 다이오드 레이저 광을 동시에 주사하여 반사되는 레이저광의 반사율과 에피층의 굴절율의 변화를 분석하여 성장되는 화합물 반도체의 도핑농도와 성장속도를 실시간으로 분석함을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성장속도(G)는 λ/2nT의 수식으로 산출되며, λ는 레이저의 파장, n은 성장되는 에피층의 굴절 율, T는 반사신호의 주기인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이종구조의 화합물 반도체층은 알루미늄 비소층(140)과 갈륨 비소층(150)층을 형성하는 2단계의 에피텍시공정으로 형성되어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 성장속도는 헬륨-네온 레이저 또는 다이오드 레이저중 어느 하나를 이용하여 측정됨을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도핑특성은 성장되는 에피층의 레이저광의 흡수계수에 의해 측정됨을 특징으로 하는 화합물 반도체의 도핑 특성을 실시간으로 감지하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052674A 1995-12-20 1995-12-20 화합물 반도체의 도핑특성을 실시간으로 감지하는 방법 KR970053234A (ko)

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