KR970053235A - 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료를 실시간으로 감지하는 방법 - Google Patents

열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료를 실시간으로 감지하는 방법 Download PDF

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KR970053235A
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백종협
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최성우
이진홍
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양승택
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Abstract

본 발명은 반도체 및 초전도체등에서 단결정 상태의 성장 즉, 에피성장시 기판으로 사용되는 재표의 표면에는 존재하는 산화층을 열식각으로 제거하는데 있어 제거의 완료시점을 실시간으로 감지하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 산화층 제거완료를 실시간으로 감지방법은 반도체기판과 굴절율 차이가 있는 기판표면의 산화층이 고온에서 열식각될때 산화층의 두께가 감소함에 따라 레이저 빔의 반사신호가 주기적신호를 나타내며, 이산호의 주기를 이용하여 상대적 식각속도와 식각완료 시점을 규명할 수 있다.

Description

열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료를 실시간으로 감지하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 갈륨비소산화층의 식각진행시간에 따른 레이저빔의 반사율의 변화를 나타낸 그래프.

Claims (3)

  1. 산화층이 형성된 반도체기판을 성장실에 실장하고 소정의 온도를 기판에 가한상태에서 산화층 식각개스를 주입하는 동시에 레이저빔을 기판상에 주사하여 기판으로부터 반사된 레이저빔의 반사신호 주기를 분석하여 산화층의 식각완료를 감지하는 것을 특징으로 열식각에 의한 기판의 산화층 제거 완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저빔을 헬륨-네온 레이저빔을 사용함을 특징으로 하는 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사신호의 주기 Tp=L/2nG에 의해 계산되며, L은 레이저의 파장, n은 산화층의 유효굴적율, G는 식각속도를 나타내는 것을 특징으로 하는 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052675A 1995-12-20 1995-12-20 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료를 실시간으로 감지하는 방법 KR970053235A (ko)

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