JPH0290644A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0290644A JPH0290644A JP24501788A JP24501788A JPH0290644A JP H0290644 A JPH0290644 A JP H0290644A JP 24501788 A JP24501788 A JP 24501788A JP 24501788 A JP24501788 A JP 24501788A JP H0290644 A JPH0290644 A JP H0290644A
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- Japan
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- etching
- thin film
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 9
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に薄膜の堆積
あるいはエツチング時間の制御方法に関する。
あるいはエツチング時間の制御方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程における薄膜の堆積または
エツチングは、あらかじめ使用する装置によって特定の
ガス、ＲＦパワー、真空度及び温度における堆積速度ま
たはエツチング速度を測定しておき、目的とする堆積膜
厚またはエツチングの深さに加工するのに必要な処理時
間を設定し、この設定時間だけ堆積またはエツチングす
るという方法が用いられていた。
エツチングは、あらかじめ使用する装置によって特定の
ガス、ＲＦパワー、真空度及び温度における堆積速度ま
たはエツチング速度を測定しておき、目的とする堆積膜
厚またはエツチングの深さに加工するのに必要な処理時
間を設定し、この設定時間だけ堆積またはエツチングす
るという方法が用いられていた。
上述した従来の半導体装置の製造工程における薄膜の堆
積または薄膜のエツチングは、あらかじめ特定の条件で
の堆積速度またはエツチング速度を測定しておき、その
測定値を基にして、処理時間を設定するため、温度変化
等の外乱あるいは被加工物の製品間のばらつき等によっ
て希望の膜厚だけ正確に制御することは困難であるため
、半導体装置の特性がばらつき、製造歩留りが低下する
という欠点を有していた。
積または薄膜のエツチングは、あらかじめ特定の条件で
の堆積速度またはエツチング速度を測定しておき、その
測定値を基にして、処理時間を設定するため、温度変化
等の外乱あるいは被加工物の製品間のばらつき等によっ
て希望の膜厚だけ正確に制御することは困難であるため
、半導体装置の特性がばらつき、製造歩留りが低下する
という欠点を有していた。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置上に薄膜
を堆積させる工程または半導体基板上の薄膜をエツチン
グする工程を有する半導体装置の製造方法において、前
記薄膜に単色光を入射させ、薄膜により干渉を受けた反
射光の強度を測定することにより薄膜の堆積時間または
薄膜のエツチング時間を制御するものである。
を堆積させる工程または半導体基板上の薄膜をエツチン
グする工程を有する半導体装置の製造方法において、前
記薄膜に単色光を入射させ、薄膜により干渉を受けた反
射光の強度を測定することにより薄膜の堆積時間または
薄膜のエツチング時間を制御するものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図及び第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例を説明するためのエツチング槽の断面図及び工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図は第１の実施例に
おける反射光の強度とエツチング時間との関係を示す図
である。本節１の実施例は、トレンチアイソレーション
工程における清の埋め込み後の埋込膜のエツチングの終
点検出の場合を示している。
例を説明するためのエツチング槽の断面図及び工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図は第１の実施例に
おける反射光の強度とエツチング時間との関係を示す図
である。本節１の実施例は、トレンチアイソレーション
工程における清の埋め込み後の埋込膜のエツチングの終
点検出の場合を示している。
まず、第２図（ａ＞に示すように、半導体基板１２に溝
２０を形成したのち、全面に酸化膜２３及び窒化膜２２
を順次形成する０次で多結晶シリコン等の埋込膜２１を
厚く形成し、講２０を埋める。
２０を形成したのち、全面に酸化膜２３及び窒化膜２２
を順次形成する０次で多結晶シリコン等の埋込膜２１を
厚く形成し、講２０を埋める。
次に、この埋込膜２１が形成された半導体基板１２を第
１図に示したエツチング槽に入れ、エツチング液１５に
浸してエツチングを行う。この時、水銀ランプやレーザ
等を用いた単色光源１１より単色光１０を半導体基板］
２上の埋込膜２１に入射させ、埋込膜２１により干渉を
受けた反射光１０Ａを光検出器１３により検出し、その
信号をレコーダー１４で記録する。
１図に示したエツチング槽に入れ、エツチング液１５に
浸してエツチングを行う。この時、水銀ランプやレーザ
等を用いた単色光源１１より単色光１０を半導体基板］
２上の埋込膜２１に入射させ、埋込膜２１により干渉を
受けた反射光１０Ａを光検出器１３により検出し、その
信号をレコーダー１４で記録する。
埋込膜２１の屈折率をｎ、単色光１０の波長を＾とする
と、埋込膜２１の干渉効果により反射光１０Ａの強度（
Ｉｄ）は、第３図に示すように、周期がλ／ ２ ｎの
正弦波状に変化する。
と、埋込膜２１の干渉効果により反射光１０Ａの強度（
Ｉｄ）は、第３図に示すように、周期がλ／ ２ ｎの
正弦波状に変化する。
第２図（ｂ）は、溝２０以外の埋込膜２１を除去した場
合であり、この時点でエツチングを終了させることが望
ましい。
合であり、この時点でエツチングを終了させることが望
ましい。
第２図（ｃ）はオーバーエツチングした場合であり、溝
２０中の埋込膜２１までエツチングした場合を示してい
る。
２０中の埋込膜２１までエツチングした場合を示してい
る。
第２図（ａ）〜（ｃ）に示したように、埋込膜２１をエ
ツチングして行くと、その時の反射光１０Ａの強度は第
３図に示すとおりとなる。
ツチングして行くと、その時の反射光１０Ａの強度は第
３図に示すとおりとなる。
すなわち、第２図（ａ）〜（ｃ）に示したよ・うに、埋
込膜２１の面積が広い状態から狭い状態に変化するのに
従い、反射光１０Ａの強度は第３図におけるＡ−４Ｂ−
＋Ｃのように振幅が変化する０反射光強度Ａは埋込膜２
１の面積が広い場合であり、一方反射光強度Ｃは埋込１
１！２１の面積が狭い場合である。従ってＢ点における
反射光強度は反射光強度ＡとＣとの変化点を示しており
、この時点でエツチングを終了させることにより渭１０
への膜の埋込は完了する。
込膜２１の面積が広い状態から狭い状態に変化するのに
従い、反射光１０Ａの強度は第３図におけるＡ−４Ｂ−
＋Ｃのように振幅が変化する０反射光強度Ａは埋込膜２
１の面積が広い場合であり、一方反射光強度Ｃは埋込１
１！２１の面積が狭い場合である。従ってＢ点における
反射光強度は反射光強度ＡとＣとの変化点を示しており
、この時点でエツチングを終了させることにより渭１０
への膜の埋込は完了する。
このように第１の実施例によれば、レコーダー１４に記
録される反射光強度の振幅変化を検出することにより、
容易にエツチングの終点を知ることができる。従って半
導体装置の特性のばらつきは小さくなり、製造歩留りは
向上する。
録される反射光強度の振幅変化を検出することにより、
容易にエツチングの終点を知ることができる。従って半
導体装置の特性のばらつきは小さくなり、製造歩留りは
向上する。
第４図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図であり、
ＣＶＤ法により半導体基板上に薄膜を形成する時の膜厚
制御の場合を示している。
るための工程順に示した半導体チップの断面図であり、
ＣＶＤ法により半導体基板上に薄膜を形成する時の膜厚
制御の場合を示している。
まず第４図（ａ）に示すように、消２０が形成された半
導体基板１２をＣＶＤ装置にセットし、その表面に第１
図に示した単色光源１１により単色光１０を入射させ、
その反射光１０Ａを光検出器１３で検出し、その信号を
レコーダー１４で記録する。
導体基板１２をＣＶＤ装置にセットし、その表面に第１
図に示した単色光源１１により単色光１０を入射させ、
その反射光１０Ａを光検出器１３で検出し、その信号を
レコーダー１４で記録する。
次に第４図（ｂ）に示すように、ｆｆ１２０を含む全面
に堆積膜３２を形成し、次で第４図（Ｃ）に示すように
、清２０を堆積Ｍ３２により埋める。
に堆積膜３２を形成し、次で第４図（Ｃ）に示すように
、清２０を堆積Ｍ３２により埋める。
このように堆積膜３２を半導体基板１２上に形成して行
った場合、その時の反射光の強度は第５図に示すように
、初期の段階からＤ−＋Ｅ−＋Ｆのように振幅が変化す
る。従って反射光の強度がＦになった場合で膜の堆積を
終了とすればよい。
った場合、その時の反射光の強度は第５図に示すように
、初期の段階からＤ−＋Ｅ−＋Ｆのように振幅が変化す
る。従って反射光の強度がＦになった場合で膜の堆積を
終了とすればよい。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に薄膜を堆
積させる工程または薄膜をエツチングする工程において
、薄膜に単色光を入射させ、薄膜により干渉を受けた反
射光を検出することにより、薄膜の堆積時間または薄膜
のエツチング時間を正確にしかも容易に検出できるので
、特性のばらつきが少なく１．製造歩留りの向上した半
導体装置が得られる。
積させる工程または薄膜をエツチングする工程において
、薄膜に単色光を入射させ、薄膜により干渉を受けた反
射光を検出することにより、薄膜の堆積時間または薄膜
のエツチング時間を正確にしかも容易に検出できるので
、特性のばらつきが少なく１．製造歩留りの向上した半
導体装置が得られる。
第１図及び第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施
例を説明するためのエツチング槽の断面図及び半導体チ
ップの断面図、第３図は第１の実施例における反射光の
強度とエツチング時間との関係を示す図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための半導
体チップの断面図、第５図は第２の実施例における反射
光の強度と堆積時間との関係を示す図である。 １０・・・単色光、１０Ａ・・・反射光、１１・・・単
色光源、１２・・・半導体基板、１３・・・光検出器、
１４・・・レコーダー、１５・・・エツチング液、１６
・・・エツチング槽、２０・・・溝、２１・・・埋込膜
、２２・・・窒化膜、２３・・・酸化膜、３２・・・堆
積膜。 ゛！人弁理士 内厚 晋 來 図 １７＋ンτ８！問 ！ 図 誰Ｒ時間
例を説明するためのエツチング槽の断面図及び半導体チ
ップの断面図、第３図は第１の実施例における反射光の
強度とエツチング時間との関係を示す図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための半導
体チップの断面図、第５図は第２の実施例における反射
光の強度と堆積時間との関係を示す図である。 １０・・・単色光、１０Ａ・・・反射光、１１・・・単
色光源、１２・・・半導体基板、１３・・・光検出器、
１４・・・レコーダー、１５・・・エツチング液、１６
・・・エツチング槽、２０・・・溝、２１・・・埋込膜
、２２・・・窒化膜、２３・・・酸化膜、３２・・・堆
積膜。 ゛！人弁理士 内厚 晋 來 図 １７＋ンτ８！問 ！ 図 誰Ｒ時間
Claims (1)
- 半導体基板上に薄膜を堆積させる工程または半導体基板
上の薄膜をエッチングする工程を有する半導体装置の製
造方法において、前記薄膜に単色光を入射させ、薄膜に
より干渉を受けた反射光の強度を測定することにより薄
膜の堆積時間または薄膜のエッチング時間を制御するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24501788A JPH0290644A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24501788A JPH0290644A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290644A true JPH0290644A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17127337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24501788A Pending JPH0290644A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290644A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295225A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Semiconductor Res Found | 薄膜の形成方法 |
| FR2694133A1 (fr) * | 1992-07-22 | 1994-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Cellule solaire à film mince et procédé de production d'une telle cellule, ainsi qu'un procédé d'attaque, un dispositif d'attaque automatique et un procédé pour produire un dispositif semi-conducteur. |
| JP2002313779A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Promos Technol Inc | 食刻深度の制御方法 |
| JP2006114551A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体素子構造およびエッチング方法 |
| KR100609932B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2006-09-22 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 습식에칭공정을위한종말점검출방법 |
| JP2008504975A (ja) * | 2004-06-29 | 2008-02-21 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重化エッチング処理時にアスペクト比に依存するエッチングを低減する方法と装置 |
| CN112697680A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24501788A patent/JPH0290644A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295225A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Semiconductor Res Found | 薄膜の形成方法 |
| FR2694133A1 (fr) * | 1992-07-22 | 1994-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Cellule solaire à film mince et procédé de production d'une telle cellule, ainsi qu'un procédé d'attaque, un dispositif d'attaque automatique et un procédé pour produire un dispositif semi-conducteur. |
| US5963790A (en) * | 1992-07-22 | 1999-10-05 | Mitsubshiki Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing thin film solar cell |
| KR100609932B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2006-09-22 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 습식에칭공정을위한종말점검출방법 |
| JP2002313779A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Promos Technol Inc | 食刻深度の制御方法 |
| JP2008504975A (ja) * | 2004-06-29 | 2008-02-21 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重化エッチング処理時にアスペクト比に依存するエッチングを低減する方法と装置 |
| JP2006114551A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体素子構造およびエッチング方法 |
| CN112697680A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
| CN112697680B (zh) * | 2019-10-23 | 2023-04-28 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种玻璃化学蚀刻速率在线检测装置和方法 |
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