JP2594773B2 - 金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置 - Google Patents
金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置Info
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- JP2594773B2 JP2594773B2 JP6317198A JP31719894A JP2594773B2 JP 2594773 B2 JP2594773 B2 JP 2594773B2 JP 6317198 A JP6317198 A JP 6317198A JP 31719894 A JP31719894 A JP 31719894A JP 2594773 B2 JP2594773 B2 JP 2594773B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＣＶＤ（metalorg
anic chemical vapor deposition）によって結晶薄膜を
成長させるとき、ある要因によって発生することができ
る膜の厚さと組成の変化を膜成長工程から実時間的に感
知し、これをその工程遂行途中に調整することができる
ようにする膜のモニタリング装置に関するものである。
anic chemical vapor deposition）によって結晶薄膜を
成長させるとき、ある要因によって発生することができ
る膜の厚さと組成の変化を膜成長工程から実時間的に感
知し、これをその工程遂行途中に調整することができる
ようにする膜のモニタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＣＶＤによって成長される膜を実時
間的に（その成長工程の遂行中に）モニタリングする方
法としては、楕円偏光法（ellipsometry）、レーザー反
射法（laser reflectometry）が使用されている。
間的に（その成長工程の遂行中に）モニタリングする方
法としては、楕円偏光法（ellipsometry）、レーザー反
射法（laser reflectometry）が使用されている。
【０００３】１９８０年に、F.Hotter, J.HallaisとF.S
imomdetは、既存の複雑な楕円偏光法より大変単純な構
造および解釈によって、シミュレーションを通じなくて
も実時間的に膜の厚さおよび組成を測定することができ
る技術を開示している（In-situ monitoring by ellips
ometry of metalorganic epitaxy of GaAlAs-GaAs supe
rlattice, 51(3),1599.）。
imomdetは、既存の複雑な楕円偏光法より大変単純な構
造および解釈によって、シミュレーションを通じなくて
も実時間的に膜の厚さおよび組成を測定することができ
る技術を開示している（In-situ monitoring by ellips
ometry of metalorganic epitaxy of GaAlAs-GaAs supe
rlattice, 51(3),1599.）。
【０００４】また、１９９１年に、N.C.Frateschi, S.
G.HummelとP.D.Dapkusは、レーザービームをサンプルに
投射して反射されたビームの干渉パターン周期の変化を
利用するレーザー反射法による膜のモニタリング技術を
開示している（In-situ laser reflectometry applied
to the growth of AlxGal-xAs Braff reflectors bymet
alorganic chemical vapor deposition, Electronic Le
tter, 27. 155.）。
G.HummelとP.D.Dapkusは、レーザービームをサンプルに
投射して反射されたビームの干渉パターン周期の変化を
利用するレーザー反射法による膜のモニタリング技術を
開示している（In-situ laser reflectometry applied
to the growth of AlxGal-xAs Braff reflectors bymet
alorganic chemical vapor deposition, Electronic Le
tter, 27. 155.）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記N. C. Fr
ateschi等の従来技術によると、薄膜が正常的に成長さ
れる場合には薄膜の厚さを測定することができるが、そ
の組成が変化される場合にはその組成の変化をモニタリ
ングすることができないので、膜の成長中に発生する反
射されたレーザービームの干渉パターン周期の変化が膜
の成長速度によるものであるか、またはその組成変化に
よるものであるかが確認されないという問題点がある。
ateschi等の従来技術によると、薄膜が正常的に成長さ
れる場合には薄膜の厚さを測定することができるが、そ
の組成が変化される場合にはその組成の変化をモニタリ
ングすることができないので、膜の成長中に発生する反
射されたレーザービームの干渉パターン周期の変化が膜
の成長速度によるものであるか、またはその組成変化に
よるものであるかが確認されないという問題点がある。
【０００６】本発明の目的は、上記問題点に鑑みなされ
たものであり、ＭＯＣＶＤによる結晶薄膜の成長時にそ
の膜の厚さおよび組成変化を正確にモニタリングして成
長途中に一番適合な成長条件を探すことができるように
するものである。
たものであり、ＭＯＣＶＤによる結晶薄膜の成長時にそ
の膜の厚さおよび組成変化を正確にモニタリングして成
長途中に一番適合な成長条件を探すことができるように
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の装置は、サンプルの表面に金属有機物の結晶
薄膜を化学蒸着により成長させる膜成長工程中におい
て、成長条件の変化により生じる前記結晶薄膜の膜厚の
変化と組成の変化とをモニタリングする装置であって、
所定の第１波長をもつ第１レーザービームを発生する第
１レーザービーム発生手段と、前記所定の第１波長と相
異な所定の第２波長をもつ第２レーザービームを発生す
る第２レーザービーム発生手段と、前記第１レーザービ
ームを所定の比率に分割するビーム分割手段と、前記第
１レーザービーム発生手段からの前記第１レーザービー
ムを通過させ、そして前記第２レーザービーム発生手段
からの前記第２レーザービームを反射させ、前記第１お
よび第２レーザービームがチャンバ内に配設された前記
サンプルの表面にそれぞれ入射されるようにする第１フ
ィルター手段と、前記サンプルの前記表面から反射され
る前記第１レーザービームの反射光を通過させ、前記サ
ンプルの前記表面から反射される前記第２レーザービー
ムの反射光を反射させる第２フィルター手段と、前記第
２フィルター手段からの前記第１レーザービームの前記
反射光を検出してそれに対応される電気信号を出力する
第１光検出手段と、前記第２フィルター手段からの前記
第２レーザービームの前記反射光を検出してそれに対応
される電気信号を出力する第２光検出手段と、前記第１
および第２各光検出手段からの前記電気信号を受け入れ
て、前記第１レーザービームの前記反射光及び前記第２
レーザービームの前記反射光のそれぞれに対する干渉パ
ターンの周期の変化率を求め、両変化率の間に線形的な
関係が成立するか否かを比較分析する演算手段とを備え
る。
の本発明の装置は、サンプルの表面に金属有機物の結晶
薄膜を化学蒸着により成長させる膜成長工程中におい
て、成長条件の変化により生じる前記結晶薄膜の膜厚の
変化と組成の変化とをモニタリングする装置であって、
所定の第１波長をもつ第１レーザービームを発生する第
１レーザービーム発生手段と、前記所定の第１波長と相
異な所定の第２波長をもつ第２レーザービームを発生す
る第２レーザービーム発生手段と、前記第１レーザービ
ームを所定の比率に分割するビーム分割手段と、前記第
１レーザービーム発生手段からの前記第１レーザービー
ムを通過させ、そして前記第２レーザービーム発生手段
からの前記第２レーザービームを反射させ、前記第１お
よび第２レーザービームがチャンバ内に配設された前記
サンプルの表面にそれぞれ入射されるようにする第１フ
ィルター手段と、前記サンプルの前記表面から反射され
る前記第１レーザービームの反射光を通過させ、前記サ
ンプルの前記表面から反射される前記第２レーザービー
ムの反射光を反射させる第２フィルター手段と、前記第
２フィルター手段からの前記第１レーザービームの前記
反射光を検出してそれに対応される電気信号を出力する
第１光検出手段と、前記第２フィルター手段からの前記
第２レーザービームの前記反射光を検出してそれに対応
される電気信号を出力する第２光検出手段と、前記第１
および第２各光検出手段からの前記電気信号を受け入れ
て、前記第１レーザービームの前記反射光及び前記第２
レーザービームの前記反射光のそれぞれに対する干渉パ
ターンの周期の変化率を求め、両変化率の間に線形的な
関係が成立するか否かを比較分析する演算手段とを備え
る。
【０００８】
【実施例】以下、添付の図面を参照しながら、本発明に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【０００９】ＭＯＣＶＤ成長装置に置かれているサンプ
ルの薄膜に二つの異なる波長のレーザービームを薄膜表
面の垂直方向に対して所定の角度でそれぞれ入射させる
とき、反射されて出るビームの干渉パターンの周期を分
析すると薄膜の成長速度を知ることができる。
ルの薄膜に二つの異なる波長のレーザービームを薄膜表
面の垂直方向に対して所定の角度でそれぞれ入射させる
とき、反射されて出るビームの干渉パターンの周期を分
析すると薄膜の成長速度を知ることができる。
【００１０】具体的には、成長される薄膜の厚さが増加
する程、反射されたビームの強度（即ち、ビームの反射
率）は干渉によって変化される、このように反射率が変
化される各ビームの干渉パターンの周期は一定の厚さを
意味するものである。
する程、反射されたビームの強度（即ち、ビームの反射
率）は干渉によって変化される、このように反射率が変
化される各ビームの干渉パターンの周期は一定の厚さを
意味するものである。
【００１１】図１は本発明による膜のモニタリング装置
の構成を図示しているものである。
の構成を図示しているものである。
【００１２】同図において、参照番号１はサンプル２が
入っているＭＯＣＶＤ装置のチャンバを示しており、３
は演算手段たるコンピューターを示している。参照番号
１０および２０は所定の第１波長及び所定の第２波長の
レーザービームをそれぞれ発生する第１レーザービーム
発生器および第２レーザービーム発生器をそれぞれ示し
ており、３０は第１レーザービーム発生器１０からのレ
ーザービームを所定の比率に分割するビーム分割器、４
０および５０は第１フィルターおよび第２フィルターを
それぞれ示している。参照番号６０、７０、８０及び９
０は、第１、第２、第３及び第４光検出器をそれぞれ示
している。
入っているＭＯＣＶＤ装置のチャンバを示しており、３
は演算手段たるコンピューターを示している。参照番号
１０および２０は所定の第１波長及び所定の第２波長の
レーザービームをそれぞれ発生する第１レーザービーム
発生器および第２レーザービーム発生器をそれぞれ示し
ており、３０は第１レーザービーム発生器１０からのレ
ーザービームを所定の比率に分割するビーム分割器、４
０および５０は第１フィルターおよび第２フィルターを
それぞれ示している。参照番号６０、７０、８０及び９
０は、第１、第２、第３及び第４光検出器をそれぞれ示
している。
【００１３】〈望ましい実施例〉第１レーザービーム発
生器１０は、０．６３２８μｍの波長をもつＨｅ−Ｎｅ
レーザービーム発生器から構成される。
生器１０は、０．６３２８μｍの波長をもつＨｅ−Ｎｅ
レーザービーム発生器から構成される。
【００１４】第２レーザービーム発生器２０は、１．５
３０４μｍの波長をもつ半導体レーザーダイオードから
構成される。
３０４μｍの波長をもつ半導体レーザーダイオードから
構成される。
【００１５】第１および第２フィルター４０，５０のそ
れぞれは、波長１．５３０４μｍの光を反射し残りの波
長の光を通過させるフィルターから構成される。
れぞれは、波長１．５３０４μｍの光を反射し残りの波
長の光を通過させるフィルターから構成される。
【００１６】第１および第２光検出器６０，７０のそれ
ぞれは、第１レーザービーム発生器１０からの短波長の
光を感知することが可能なシリコン検出器（Si detecto
r）から構成される。
ぞれは、第１レーザービーム発生器１０からの短波長の
光を感知することが可能なシリコン検出器（Si detecto
r）から構成される。
【００１７】第３および第４光検出器８０，９０のそれ
ぞれは、第２レーザービーム発生器２０からの長波長の
光を感知することが可能なＧｅ（germanium）検出器（G
e detctor）から構成される。
ぞれは、第２レーザービーム発生器２０からの長波長の
光を感知することが可能なＧｅ（germanium）検出器（G
e detctor）から構成される。
【００１８】本例からは、チャンバ１内からＧａＡｓ基
板上にＧａＡｓ薄膜を形成し、その上にＡｌＡｓ薄膜を
成長させる。
板上にＧａＡｓ薄膜を形成し、その上にＡｌＡｓ薄膜を
成長させる。
【００１９】図１を参照して、第１および第２レーザー
ビーム発生器１０，２０からの二つのレーザービームの
それぞれは、サンプル２の表面の垂直方向に対して７１
゜の角度に入射される。サンプル２の表面からそれぞれ
反射されて出る、お相互に相異な波長をもつ二つのビー
ム（第１レーザービーム発生器１０からのビームと第２
レーザービーム発生器２０からのビーム）のそれぞれ
は、第２フィルター５０によって正確に第２光検出器７
０（第１光検出手段に該当）および第４光検出器９０
（第２光検出手段に該当）にそれぞれ提供される。
ビーム発生器１０，２０からの二つのレーザービームの
それぞれは、サンプル２の表面の垂直方向に対して７１
゜の角度に入射される。サンプル２の表面からそれぞれ
反射されて出る、お相互に相異な波長をもつ二つのビー
ム（第１レーザービーム発生器１０からのビームと第２
レーザービーム発生器２０からのビーム）のそれぞれ
は、第２フィルター５０によって正確に第２光検出器７
０（第１光検出手段に該当）および第４光検出器９０
（第２光検出手段に該当）にそれぞれ提供される。
【００２０】したがって、第２光検出器７０は第１レー
ザービーム発生器１０からの光を感知することができ、
又、第４光検出器９０は第２レーザービーム発生器２０
からの光を感知することができる。
ザービーム発生器１０からの光を感知することができ、
又、第４光検出器９０は第２レーザービーム発生器２０
からの光を感知することができる。
【００２１】各光検出器６０，７０，８０，９０からの
信号は、コンピューター３に入力されて比較分析され
る。
信号は、コンピューター３に入力されて比較分析され
る。
【００２２】図２は、ＡｌＡｓ薄膜をＧａＡｓ基板に成
長させながらその厚さが大きくなることによって発生す
る干渉効果を第２光検出器７０と第４光検出器９０を通
じて同時に感知して成長時間による反射率を記録した図
表である。
長させながらその厚さが大きくなることによって発生す
る干渉効果を第２光検出器７０と第４光検出器９０を通
じて同時に感知して成長時間による反射率を記録した図
表である。
【００２３】図２において、二つの信号中の下側に図示
の、相対的に干渉パターンの周期が小さい信号は第２光
検出器７０によって感知された第１レーザービーム発生
器１０からの０．６３２８μｍレーザービームの反射信
号であり、その上側に図示の、相対的に干渉パターンの
周期が大きい信号は第４光検出器９０によって感知され
た第２レーザービーム発生器２０からの１．５３０４μ
ｍのレーザービームの反射信号である。
の、相対的に干渉パターンの周期が小さい信号は第２光
検出器７０によって感知された第１レーザービーム発生
器１０からの０．６３２８μｍレーザービームの反射信
号であり、その上側に図示の、相対的に干渉パターンの
周期が大きい信号は第４光検出器９０によって感知され
た第２レーザービーム発生器２０からの１．５３０４μ
ｍのレーザービームの反射信号である。
【００２４】反復的に示す干渉パターンの周期が漸次小
さくなると膜の成長速度が増加したものであり、反対に
大きくなると成長速度は減少したものである。
さくなると膜の成長速度が増加したものであり、反対に
大きくなると成長速度は減少したものである。
【００２５】このとき、各波長に対する干渉パターンの
周期Ｔ1とＴ2及び成長速度Ｇは、次の数１のような関係
をもっている。
周期Ｔ1とＴ2及び成長速度Ｇは、次の数１のような関係
をもっている。
【００２６】
【数１】
【００２７】数１から、ｎ1，ｎ2は成長された薄膜材料
の組成により敏感に変化し、二つのレーザービームの波
長λ1，λ2による媒質の有効屈折率である。
の組成により敏感に変化し、二つのレーザービームの波
長λ1，λ2による媒質の有効屈折率である。
【００２８】したがって、光の波長による媒質の有効屈
折率の値を正確に計算することができると、薄膜の組成
を感知することができる。
折率の値を正確に計算することができると、薄膜の組成
を感知することができる。
【００２９】この場合に、波長λ1とλ2は、それぞれ
０．６３２８μｍと１．５３０４μｍである。
０．６３２８μｍと１．５３０４μｍである。
【００３０】
【数２】
【００３１】上記の数２は、ｎ1とｎ2が関数関係をもっ
ていることを示している。
ていることを示している。
【００３２】成長途中に、ある要因によって成長条件が
変わると、成長速度や組成が変化されて干渉パターンの
周期Ｔ1，Ｔ2がそれぞれＴ1＋δＴ1，Ｔ2＋δＴ2の変化
を発生させる。
変わると、成長速度や組成が変化されて干渉パターンの
周期Ｔ1，Ｔ2がそれぞれＴ1＋δＴ1，Ｔ2＋δＴ2の変化
を発生させる。
【００３３】このとき、成長厚さの変化のみ発生する場
合には、ｎ1とｎ2の変化はないので、数１によって、変
化率δＴ1とδＴ2の間には線形的な関係が成立される。
合には、ｎ1とｎ2の変化はないので、数１によって、変
化率δＴ1とδＴ2の間には線形的な関係が成立される。
【００３４】ところが、組成の変化のいる場合には、ｎ
1とｎ2が変化するようになるので、変化率δＴ1とδＴ2
の間には線形的な関係が成立されない。
1とｎ2が変化するようになるので、変化率δＴ1とδＴ2
の間には線形的な関係が成立されない。
【００３５】したがって、二つの波長に対する干渉パタ
ーン周期の変化率を観察することによって、上記二つの
式、即ち数１及び数２を通じて厚さと組成の変化を感知
することができる。
ーン周期の変化率を観察することによって、上記二つの
式、即ち数１及び数２を通じて厚さと組成の変化を感知
することができる。
【００３６】また、数１によって、ｎ1値を知っている
と、波長λ2から媒質の有数屈折率を容易に知ることが
できる。
と、波長λ2から媒質の有数屈折率を容易に知ることが
できる。
【００３７】これを基本として常温からの波長λ2に対
する媒質の屈折率を求めることができる。
する媒質の屈折率を求めることができる。
【００３８】
【発明の効果】以上より、本発明は、他の実時間モニタ
リング（in-situ monitoring）の方法よりも比較的に単
純な構造と解釈方法をもっており、薄膜の成長途中に実
時間（real-time）的に薄膜の厚さと組成を確認するこ
とができる。
リング（in-situ monitoring）の方法よりも比較的に単
純な構造と解釈方法をもっており、薄膜の成長途中に実
時間（real-time）的に薄膜の厚さと組成を確認するこ
とができる。
【００３９】これをもって、願う構造の成長の全ての段
階からバッファ成長を通じて多層薄膜構造の成長速度と
組成を調節して必要な正確な成長条件を探すことがで
き、成長過程から発生する組成と厚さの変化を感知する
ことができる。
階からバッファ成長を通じて多層薄膜構造の成長速度と
組成を調節して必要な正確な成長条件を探すことがで
き、成長過程から発生する組成と厚さの変化を感知する
ことができる。
【００４０】また、波長λ1から有効屈折率を感知して
いると波長λ2から媒質の有効屈折率を容易に知ること
ができ、これを基本として常温からの波長λ2に対する
媒質の屈折率を求めることができる。
いると波長λ2から媒質の有効屈折率を容易に知ること
ができ、これを基本として常温からの波長λ2に対する
媒質の屈折率を求めることができる。
【図１】 本発明による膜モニタリング装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】 サンプルから反射されたレーザービームの干
渉パターンを示す説明図である。
渉パターンを示す説明図である。
１ チャンバ ２ サンプル ３ コンピューター １０ 第１レーザービーム発生器 ２０ 第２レーザービーム発生器 ３０ ビーム分割器 ４０ 第１フィルター ５０ 第２フィルター ６０ 第１光検出器 ７０ 第２光検出器 ８０ 第３光検出器 ９０ 第４光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−103004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−36105（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 サンプルの表面に金属有機物の結晶薄膜
を化学蒸着により成長させる膜成長工程中において、成
長条件の変化により生じる前記結晶薄膜の膜厚の変化と
組成の変化とをモニタリングする装置であって、 所定の第１波長をもつ第１レーザービームを発生する第
１レーザービーム発生手段と、 前記所定の第１波長と相異な所定の第２波長をもつ第２
レーザービームを発生する第２レーザービーム発生手段
と、 前記第１レーザービームを所定の比率に分割するビーム
分割手段と、 前記第１レーザービーム発生手段からの前記第１レーザ
ービームを通過させ、そして前記第２レーザービーム発
生手段からの前記第２レーザービームを反射させ、前記
第１および第２レーザービームがチャンバ内に配設され
た前記サンプルの表面にそれぞれ入射されるようにする
第１フィルター手段と、 前記サンプルの前記表面から反射される前記第１レーザ
ービームの反射光を通過させ、前記サンプルの前記表面
から反射される前記第２レーザービームの反射光を反射
させる第２フィルター手段と、 前記第２フィルター手段からの前記第１レーザービーム
の前記反射光を検出してそれに対応される電気信号を出
力する第１光検出手段と、 前記第２フィルター手段からの前記第２レーザービーム
の前記反射光を検出してそれに対応される電気信号を出
力する第２光検出手段と、 前記第１および第２各光検出手段からの前記電気信号を
受け入れて、前記第１レーザービームの前記反射光及び
前記第２レーザービームの前記反射光のそれぞれに対す
る干渉パターンの周期の変化率を求め、両変化率の間に
線形的な関係が成立するか否かを比較分析する演算手段
とを備える、 金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置。 - 【請求項２】 前記第１および第２レーザービームはチ
ャンバ内に位置した前記サンプルの前記表面の垂直方向
に対して７１゜の角度に入射されることを特徴とする請
求項１記載の金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリ
ング装置。 - 【請求項３】 前記第２レーザー発生手段は１．６３２
８μｍの波長をもつＨｅ−Ｎｅレーザー発生器であり、 第２レーザー発生手段は１．５３０４μｍの波長をもつ
半導体レーザダイオードであることを特徴とする請求項
２記載の金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング
装置。 - 【請求項４】 前記第１光検出手段はシリコン検出器で
あり、 前記第２光検出手段はゲルマニウム検出器であることを
特徴とする請求項１記載の金属有機物の化学蒸着による
膜のモニタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317198A JP2594773B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317198A JP2594773B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193813A JPH08193813A (ja) | 1996-07-30 |
| JP2594773B2 true JP2594773B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=18085560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6317198A Expired - Fee Related JP2594773B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 金属有機物の化学蒸着による膜のモニタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594773B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4830358B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-12-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
| JP2014090014A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Fujifilm Corp | 化合物薄膜成膜方法及び化合物薄膜成膜装置 |
| JP6800800B2 (ja) | 2017-04-06 | 2020-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成長速度測定装置および成長速度検出方法 |
| US11022428B2 (en) | 2019-03-14 | 2021-06-01 | Nuflare Technology, Inc. | Growth rate detection apparatus, vapor deposition apparatus, and vapor deposition rate detection method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103004A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Kawasaki Steel Corp | Method for measuring film thickness of surface |
| JPS6336105A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 膜厚測定装置 |
| JPS63122906A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-26 | Toshiba Corp | 膜厚測定装置 |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP6317198A patent/JP2594773B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08193813A (ja) | 1996-07-30 |
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