KR970052931A - 텅스텐 질화박막 형성방법 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 - Google Patents

텅스텐 질화박막 형성방법 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

매끄러운 표면을 갖는 텅스텐 질화박막을 이용한 반도체 장치의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계와, 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리에 의하여 표면이 매끄러운 텅스텐 질화박막을 형성함으로써 상기 텅스텐 질화박막 상에 형성되는 금속 배선층의 단차도포성을 개선하여 신뢰성 있는 반도체 장치를 제조할 수 있다.

Description

텅스텐 질화박막 형성방법 및 이를 이용한 금속배선 형성방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 텅스텐 질화박막을 이용한 반도체 장치의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (13)

  1. 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 저압화학기상중착법(LPCVD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 WF6, NH3및 H2가스를 사용하여 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 0.01∼1Torr의 압력 및 200∼700℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 불활성 가스를 사용한 RF플라즈마 또는 ECR플라즈마를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막을 형성하는 단계 후, 상기 텅스텐 질화박막 상에 유전막 및 도전막을 순차적으로 중착하여 커패시터를 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 유전막은 Ta2O5, BaSrTiO3, SrTiO3으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 절연막이 형성된 기판에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 절연막이 형성된 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화 박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 텅스텐 질화 박막을 형성하는 단계 후, 상기 텅스텐 질화 박막 상에 금속 박막을 중착하여 금속 배선을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴 (Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 상기 반도체 기판의 불순물 확산 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성되어 있는 반도체 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 상기 플라즈마 처리된 반도체 기판의 전면에 텅스텐 질화 박막을 중착하여 장벽층을 형성하는 단계; 및 상기 장벽층 상에 금속 박막을 중착하여 금속 배선을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴 (Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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