KR970052931A - 텅스텐 질화박막 형성방법 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
매끄러운 표면을 갖는 텅스텐 질화박막을 이용한 반도체 장치의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계와, 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리에 의하여 표면이 매끄러운 텅스텐 질화박막을 형성함으로써 상기 텅스텐 질화박막 상에 형성되는 금속 배선층의 단차도포성을 개선하여 신뢰성 있는 반도체 장치를 제조할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 텅스텐 질화박막을 이용한 반도체 장치의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (13)
- 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 저압화학기상중착법(LPCVD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 WF6, NH3및 H2가스를 사용하여 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막은 0.01∼1Torr의 압력 및 200∼700℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 불활성 가스를 사용한 RF플라즈마 또는 ECR플라즈마를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 질화박막을 형성하는 단계 후, 상기 텅스텐 질화박막 상에 유전막 및 도전막을 순차적으로 중착하여 커패시터를 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 유전막은 Ta2O5, BaSrTiO3, SrTiO3으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 절연막이 형성된 기판에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 절연막이 형성된 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 기판의 전면에 텅스텐 질화 박막을 중착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 텅스텐 질화 박막을 형성하는 단계 후, 상기 텅스텐 질화 박막 상에 금속 박막을 중착하여 금속 배선을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴 (Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 상기 반도체 기판의 불순물 확산 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성되어 있는 반도체 기판의 전면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계; 상기 플라즈마 처리된 반도체 기판의 전면에 텅스텐 질화 박막을 중착하여 장벽층을 형성하는 단계; 및 상기 장벽층 상에 금속 박막을 중착하여 금속 배선을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴 (Mo), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 플라티늄(Pt) 등과 같은 순수 금속, 그들의 실리사이드 화합물 및 그들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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