KR970051278A - 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치 - Google Patents

서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970051278A
KR970051278A KR1019950066937A KR19950066937A KR970051278A KR 970051278 A KR970051278 A KR 970051278A KR 1019950066937 A KR1019950066937 A KR 1019950066937A KR 19950066937 A KR19950066937 A KR 19950066937A KR 970051278 A KR970051278 A KR 970051278A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
repeater
signal
pxi
driver
Prior art date
Application number
KR1019950066937A
Other languages
English (en)
Inventor
윤세승
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950066937A priority Critical patent/KR970051278A/ko
Publication of KR970051278A publication Critical patent/KR970051278A/ko

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 서브워드 라인드라이버에서 피엑스아이 리피터 제어 장치에 관한 것이다.
대기전류 불량을 방지하는 다수개의 워드라인과 다수개의 비트라인, 다수개의 메모리셀을 갖는 메모리의 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치는 서브워드라인 드라이버 수단; 로우 어드레스 중에서 일부를 입력으로 하여 제1PXi신호를 발생하는 수단 ; PXi신호를 입력으로 하여 SWD로 PXiD신호를 보내주기 위한 리피터수단 ;PXi 리피터의 전원부를 제1전원전압과 제2전원 전압으로 공급하기 위한 드라이버수단; 및 상기 드라이버수단을 제어하기 위한 신호를 발생하는 수단으로 구성됨을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 코어 영영에 있는 VPP전원을 필요로 하는 부분에 대기상태시에는 VCC전원을 공급하고 액티브상태에서 선택된경우에만 VPP전원으로 변환시켜 줌으로써 VPP라인의 쇼트에 의한 대기전류 불량을 최소화 할 수 있으며 메모리가 고집적화될 수 있도록 더욱 큰 효과를 볼 수 있다.

Description

서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 따른 실시예를 보이는 회로도이다.
제8도는 본 발명에 따른 블록선택 신호인 pblsi발생기를 보이는 회로도이다.
제9도는 본 발명에 따른 VCC 및 VPP전원 인에이블 제어회로이다.

Claims (6)

  1. 대기전류 불량을 방지하는 다수개의 워드라인과 다수개의 비트라인, 다수개의 메모리셀을 갖는 메모리의 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치에 있어서 서브워드라인 드라이버 수단; 로우 어드레스 중에서 일부를 입력으로 하여 제 1PXi 신호를 발생하는 수단;상기 PXi 신호를 입력으로 하여 SWD로 PXiD신호를 보내주기 위한 리피터 수단 ; 상기 PXi리피터의 전원부를 제1전원잔업과 제2전원전압으로 공급하기 위한 드라이버 수단 ; 및 상기 드라이버 수단을 제어하기 위한 신호를 발생하는 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 서브워드 라이드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기드라이버수단은 PMOS로 구성되며 게이트는 드라이버 제어신호에 의하여 제어됨을 특징으로 하는 서브워드 라인드라버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전압은 VCC 또는 내부 전원 전압 발생기를 사용할 경우에는 내부 전원전압을 특징으로 하는 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2전원 전압은 내부 승압전원인 VPP임을 특징으로 하는 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기드라이버 제어신호는 블록정보를 받아서 생성함을 특징으로 하는 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 PXi 리피터는 인버터로 구성됨을 특지응로 하는 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치.
    참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950066937A 1995-12-29 1995-12-29 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치 KR970051278A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950066937A KR970051278A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950066937A KR970051278A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970051278A true KR970051278A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66638125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950066937A KR970051278A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970051278A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100389036B1 (ko) * 2000-03-06 2003-06-25 삼성전자주식회사 서브 워드 라인 드라이버의 안정된 부스팅 마진을 얻을 수있는 반도체 메모리 장치
KR100388319B1 (ko) * 1998-12-30 2003-10-10 주식회사 하이닉스반도체 로우디코딩어레이의출력신호배치구조
US7869241B2 (en) 2007-07-31 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory core and semiconductor memory device having the same
US8749270B2 (en) 2011-03-31 2014-06-10 SK Hynix Inc. Driver circuit of semiconductor apparatus and method for controlling the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100388319B1 (ko) * 1998-12-30 2003-10-10 주식회사 하이닉스반도체 로우디코딩어레이의출력신호배치구조
KR100389036B1 (ko) * 2000-03-06 2003-06-25 삼성전자주식회사 서브 워드 라인 드라이버의 안정된 부스팅 마진을 얻을 수있는 반도체 메모리 장치
US7869241B2 (en) 2007-07-31 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory core and semiconductor memory device having the same
US8050071B2 (en) 2007-07-31 2011-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory core and semiconductor memory device having the same
US8749270B2 (en) 2011-03-31 2014-06-10 SK Hynix Inc. Driver circuit of semiconductor apparatus and method for controlling the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960015579A (ko) 저전압 동작 마진이 큰 스태틱형 반도체 메모리 장치
KR19980082461A (ko) 반도체 메모리 소자의 전압 조정회로
KR100812936B1 (ko) 스탠바이 모드에서 누설전류가 감소된 내부전원전압발생회로
KR20030084145A (ko) 이중 전압 포트를 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는메모리 시스템
JPH1069771A (ja) 半導体メモリ装置
KR20060135367A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970029795A (ko) 반도체 기억장치
KR860008561A (ko) 부우스터(booster)회로
US7382677B2 (en) Memory device having internal voltage supply providing improved power efficiency during active mode of memory operation
KR960025732A (ko) 동작전류 소모를 줄인 반도체 메모리 소자
KR970051278A (ko) 서브워드 라인드라이버에서의 피엑스아이 리피터 제어장치
US7564732B2 (en) Internal voltage generation circuit for semiconductor device
KR960042726A (ko) 외부제어신호에 적응 동작하는 승압회로를 갖는 반도체 메모리 장치
JPS6322387B2 (ko)
KR970017589A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로
KR100228769B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 워드라인 구동회로
KR20010059291A (ko) 내부 전원전압 발생장치
KR19990083168A (ko) 외부 마스킹 신호에 응답하여 데이타 포트가 고-임피던스 상태가 되게 하는 반도체 동기 메모리 장치 및 이를 제어하기 위한 방법
KR960042725A (ko) 외부전원전압을 워드라인구동전압으로 사용하는 반도체 메모리
KR100434967B1 (ko) 센스 앰프 구동장치
KR980004934A (ko) 어레이회로 제어용 내부전압을 이용한 승압전원 발생장치
KR0184147B1 (ko) 웨이퍼 번 인 제어 회로
KR20020047521A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR0170699B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 비트 라인 충전용 전압 발생기
KR100821581B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 워드라인 구동회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination