KR20020047521A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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KR20020047521A
KR20020047521A KR1020000075983A KR20000075983A KR20020047521A KR 20020047521 A KR20020047521 A KR 20020047521A KR 1020000075983 A KR1020000075983 A KR 1020000075983A KR 20000075983 A KR20000075983 A KR 20000075983A KR 20020047521 A KR20020047521 A KR 20020047521A
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flash memory
voltage
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standby
pumping
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KR1020000075983A
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Inventor
황태선
정원화
Original Assignee
박종섭
주식회사 하이닉스반도체
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 스탠바이 상태에서 스탠바이 전류를 줄이기 위해 긴 주기의 클럭 신호를 발생시키기 위한 오실레이터와, 상기 오실레이터에서 발생된 클럭 신호에 따라 소정 전위의 펌핑 전압을 생성시키기 위한 펌핑 회로와, 기준 전압을 발생시키기 위한 기준 전압 발생기와, 상기 기준 전압 발생기에서 발생된 기준 전압에 따라 상기 펌핑 회로에서 생성된 펌핑 전압을 조절하여 소정 전위를 갖는 부스팅 전압을 발생시켜 스탠바이 상태에서 플래쉬 메모리 셀의 데이터를 독출하도록 함으로써 독출 시간을 줄일 수 있어 속도를 향상시킬 수 있는 플래쉬 메모리 장치가 제시된다.

Description

플래쉬 메모리 장치{Flash memory device}
본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 스탠바이 상태에서 부스팅 전압을 생성함으로써 메모리 셀의 독출 속도를 향상시킬 수 있는 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
저전압용 플래쉬 메모리 장치는 낮은 전원 전압으로 동작하기 때문에 메모리 셀의 데이터를 독출하기 위해서는 소정의 전압으로 부스팅(boosting)된 전압을 워드라인에 인가하여야 한다. 이러한 부스팅 전압을 발생시키기 위해서는 소정의 펌핑 회로를 구비하여야 한다. 즉, 펌핑 회로는 낮은 전원 전압을 소정의 부스팅 전압으로 펌핑하고, 이 부스팅 전압을 워드라인에 인가하여 선택된 셀의 데이터를 독출하게 된다.
그런데, 플래쉬 메모리 장치에서 부스팅 전압을 생성하기 위해 소요되는 시간은 필수적으로 증가하게 되고, 이에 따라 셀의 데이터를 독출하는 시간마저 증가하게 된다. 결과적으로, 플래쉬 메모리 장치의 구동 시간을 저하시키게 된다.
본 발명의 목적은 저전압 플래쉬 메모리 장치에서 메모리 셀의 데이터를 독출하기 위해 워드라인에 인가하는 부스팅 전압의 발생 시간만큼을 줄여줌으로써 독출 시간을 줄일 수 있는 플래쉬 메모리 장치를 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 플래쉬 메모리 셀 어레이와, 스탠바이 상태에서 스탠바이 전류를 줄이기 위해 긴 주기의 클럭 신호를 발생시키기 위한 오실레이터와, 상기 오실레이터에서 발생된 클럭 신호에 따라 소정 전위의 펌핑 전압을 생성시키기 위한 펌핑 회로와, 기준 전압을 발생시키기 위한 기준 전압 발생기와, 상기 기준 전압 발생기에서 발생된 기준 전압에 따라 상기 펌핑 회로에서 생성된 펌핑 전압을 조절하여 소정 전위를 갖는 부스팅 전압을 발생시켜 스탠바이 상태에서 상기 플래쉬 메모리 셀의 데이터를 독출하도록 하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 일부 구성을 나타낸 블록도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 스탠바이 구동 시스템200 : 메모리 셀 어레이
11 : 오실레이터12 : 펌핑 회로
13 : 기준 전압 발생기14 : 레귤레이터
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 일부 구성을 나타낸 블록도로서, 스탠바이 상태에서 부스팅 전압을 발생시키는 스탠바이 구동 시스템과 메모리 셀 어레이를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치는 부스팅 전압을 출력하는 종래의 펌핑 회로 대신에 스탠바이 상태에서 부스팅 전압을 출력하는 스탠바이 구동 시스템이 추가된다.
본 발명에 따른 스탠바이 구동 시스템(100)은 오실레이터(11), 펌핑 회로(12), 기준 전압 발생기(13) 및 레귤레이터(14)로 구성된다.
오실레이터(11)는 스탠바이 상태에서 스탠바이 전류를 줄이기 위해 긴 주기의 클럭 신호를 발생시킨다. 펌핑 회로(12)는 오실레이터(11)에서 발생된 클럭 신호에 따라 소정 전위의 펌핑 전압을 생성한다. 레귤레이터(14)는 기준 전압 발생기(13)에서 생성된 기준 전압에 따라 펌핑 회로(12)에서 생성된 펌핑 전압을 소정의 전위를 갖는 부스팅 전압으로 레귤레이션한다. 레귤레이터(14)에서 레귤레이션된 부스팅 전압은 메모리 셀 어레이(200)의 워드라인에 인가되어 소정의 메모리 셀을 독출하는데 이용된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 스탠바이 상태에서 부스팅 전압을 생성함으로써 메모리 셀의 독출 속도를 향상시킬 수 있어 저전압 고속 플래쉬 메모리 장치를 구현할 수 있다.

Claims (2)

  1. 플래쉬 메모리 장치에 있어서,
    플래쉬 메모리 셀 어레이와,
    스탠바이 상태에서 상기 플래쉬 메모리 셀의 데이터를 독출하도록 하는 부스팅 전압을 생성하기 위한 스탠바이 구동 시스템을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스탠바이 구동 시스템은 스탠바이 상태에서 스탠바이 전류를 줄이기 위해 긴 주기의 클럭 신호를 발생시키기 위한 오실레이터와,
    상기 오실레이터에서 발생된 클럭 신호에 따라 소정 전위의 펌핑 전압을 생성시키기 위한 펌핑 회로와,
    기준 전압을 발생시키기 위한 기준 전압 발생기와,
    상기 기준 전압 발생기에서 발생된 기준 전압에 따라 상기 펌핑 회로에서 생성된 펌핑 전압을 조절하여 소정 전위를 갖는 부스팅 전압을 발생시키기 위한 레귤레이터로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
KR1020000075983A 2000-12-13 2000-12-13 플래쉬 메모리 장치 KR20020047521A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100469376B1 (ko) * 2002-06-29 2005-02-02 매그나칩 반도체 유한회사 플래쉬 메모리 장치
KR100491418B1 (ko) * 2002-11-01 2005-05-25 주식회사 하이닉스반도체 부스팅 회로
US8339889B2 (en) 2009-04-30 2012-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device

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