KR970051092A - 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터 - Google Patents
반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 :
본 발명은 반도체 메모리장치의 기판으로 소정의 음전압을 공급하는 백바이어스 제너레이터에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 :
종래의 반도체 메모리장치에서 다수의 리프레시사이클을 옵션으로 사용하게 되는데, 이 경우, 리프레시 한 사이클에서 동작하는 트랜지스터의 갯수에 의해 기판으로 흐르는 전류의 양이 변하게 된다. 예를 들어, 4킬로리프레시동작시에는 1킬로리프레시동작에 비하여 리프레시 한 사이클에서 동작하는 트랜지스터의 갯수가 25퍼센트정도만 사용되어도 무방하다. 왜냐하면 백바이어스 제너레이터의 4킬로리프레시일때의 펌핑능력이 1킬로리프레시일때의 펌핑능력에 비해 적어도 목표레벨을 유지할 수 있기 때문이다. 그러나 종래의 경우 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터에서는 펌핑되는 백바이어스 제너레이터의 갯수를 고정시켜 사용하므로써 리프레시사이클의 변화에 적응적으로 동작하지 못하게 된다. 이 결과로 펌핑효율이 떨어지게 된다. 따라서 본 발명의 과제는 리프레시사이클의 변화에 적응적으로 동작하여 펌핑효율을 높인 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터를 구현하는 것이다.
3. 발명의 해결방법의 요지 :
다수의 오실레이터와 다수의 펌핑회로로 구성되는 다수의 백바이어스전압 공급수단과, 상기 다수의 백바이어스수단을 구성하는 다수의 펌핑회로의 출력단과 다수의 펌핑회로의 궤환경로사이에 접속되어 상기 소정의 제어신호를 출력하는 디텍터와, 상기 다수의 백바아어스전압 공급수단중 일부의 백바이어스전압 공급수단의 입력단에 접속되며 소정의 기준신호와 상기 디텍터에서 출력되는 소정의 제어신호를 논리조합하여 소정의 인에이블신호를 출력하며 구동제어수단을 구비하며, 소정의 제1상태에서는 상기 구동수단의 동작에 따라 소정의 제1갯수의 백바이어스전압 공급수단이 동작하고, 소정의 제2상태에서는 상기 구동수단의 동작에 따라 소정의 제2갯수의 백바이어스전압 공급수단이 동작함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터를 구현하므로써 상기 본 발명의 과제를 달성하게 된다.
4. 발명의 중요한 용도 :
리프레시사이클의 변화에 적응적으로 동작하여 펌핑효율을 높인 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 실시예에 따른 백바이어스 제너레이터의 구성도.
제8도는 제7도에 따른 동작파형도.
Claims (4)
- 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터에 있어서, 다수의 오실레이터와 다수의 펌핑회로로 구성되는 다수의 백바이어스 전압 공급수단과, 상기 다수의 백바이어스수단을 구성하는 다수의 펌핑회로의 출력단과 다수의 펌핑회로의 궤환경로사이에 접속되어 상기 소정의 제어신호를 출력하는 디텍터와, 상기 다수의 백바이어스전압 공급수단중 일부의 백바이어스전압 공급수단의 입력단에 접속되며 소정의 기준신호와 상기 디텍터에서 출력되는 소정의 제어신호를 논리조합하여 소정의 인에이블신호를 출력하며 구동제어수단을 구비하며, 소정의 제1상태에서는 상기 구동수단의 동작에 따라 소정의 제1갯수의 백바이어스전압 공급수단이 동작하고, 소정의 제2상태에서는 상기 구동수단의 동작에 따라 소정의 제2갯수의 백바이어스전압 공급수단이 동작함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 제1 및 제2상태가 1킬로 및 4킬로리프레시사이클 상태임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 백바이어스 제너레이터.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 제1 및 제2갯수가 상기 다수의 백바이어스전압 공급수단의 전부 및 일부임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터.
- 제1항에 있어서, 상기 구동제어수단이 상기 소정의 기준신호가 입력단에 접속되는 제1 및 제2인버터와, 상기 제1 및 제2인버터의 출력단과 상기 디텍터의 출력단이 각각 논리조합되는 제1 및 제2낸드게이트와, 상기 낸드게이트의 출력단이 입력단에 접속되고 출력단이 상기 다수의 백바이어스전압 공급수단중 일부의 백바이어스전압 공급수단의 입력단과 접속되는 제3 및 제4인버터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 백바이어스전압 공급수단.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061228A KR0172341B1 (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061228A KR0172341B1 (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051092A true KR970051092A (ko) | 1997-07-29 |
| KR0172341B1 KR0172341B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19445836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950061228A KR0172341B1 (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 메모리장치의 백바이어스 제너레이터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0172341B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557981B1 (ko) * | 1999-02-05 | 2006-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기판전압발생장치 |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950061228A patent/KR0172341B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557981B1 (ko) * | 1999-02-05 | 2006-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기판전압발생장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0172341B1 (ko) | 1999-03-30 |
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