KR970048996A - 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 종래의 하드 마스크(Hard Mask)용 물질인 산화막과 ARC로 쓰이던 TiN을 대신하여 Hard Mask와 ARC의 기능을 모두 지닌 물지인 a-SiON:H를 Al또는 W 위에 증착하므로써, ARC 및 하드 마스크용 필름의 중착, 식각공정을 줄이므로 공정을 단순화시키고, 오염 밀도를 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 방법에 따른 미세패턴 형성 공정단계를 도시한 단면도.
Claims (7)
- 웨이퍼기판 상부에 알루미늄 또는 텅스텐을 소정 두께로 증착하는 단계와, 전체 상부에 a-SiON:H를 소정두께로 증착하는 단계와, 상기 a-SiON:H층 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 노광 마스크로 상기 포토레지스트를 노광하는 단계와, 상기 노광된 부분의 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 a-SiON:H층을 식각하는 단계와, 상기 포토 레지스트 패턴과 a-SiON:H를 마스크로 하여 하부의 알루미늄 또는 텅스텐 금속층을 식각하여 최종 알루미늄 또는 텅스텐 금속패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 Al 또는 W위에 하드 마스크 기능을 가진 ARC 물질인 a-SiON:H 또는 a-SiC을 약 100∼2000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 포토레지스트 증착시 증착두께는 0.5∼2.0㎛로하고, 소프트 베이크를 실시하여 솔벤트를 증발시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 현상공정시 TMAH로 현상하고 초순수 세척한 다음 건조시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 Al 또는 W의 식각조건은 첫단계에서 11mTorr의 압력, 500-1,500W의 소스 파워, 100-500W 바이어스 파워, BU325-100sccm, cl230-80sccm, N2l-5sccm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 상기 제1항에 있어서 상기 a-SiON:H의 증착조건은 PECVD공정으로 SiH4:0∼500sccm, N2O:0∼1000sccm, N2:0∼5000sccm, 압력 5∼10Torr, 온도; 상온∼500℃, RF:13.56MHz, RF 파워 :50∼100W인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 Al은 100∼200℃에서 5∼10KW의 파워로 4000∼6000Å의 두께로 증착함을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950050484A KR970048996A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950050484A KR970048996A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970048996A true KR970048996A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66595031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950050484A KR970048996A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970048996A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7452807B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a metal wiring in a semiconductor device |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR1019950050484A patent/KR970048996A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7452807B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a metal wiring in a semiconductor device |
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