KR970048929A - 부분 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 패턴 형성방법에 대해 기재되어 기재되어 있다.
이는, 라인/스페이서와 같이 반복되는 패턴에 있어서, 패턴의 폭이 좁은 부위와 그 이웃하는 패턴의 인접부위에 위상 쉬프터를 설치하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 패턴의 라인이 가늘어지는 부분의 위상을 반전시켜 줌으로써, 라인이 끊어지거나 인접하는 라인간의 브리지를 줄일 수 있어 미세패턴 형성이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 부분 위상반전 마스크를 설명하기 우하여 도시한 레이아웃도.
Claims (1)
- 라인/스페이스와 같이 반복되는 패턴에 잇어서, 패턴의 폭이 좁은 부위와, 그 이웃패턴의 인접부위에 위상 쉬프터를 삽입하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057158A KR970048929A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 부분 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057158A KR970048929A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 부분 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048929A true KR970048929A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057158A KR970048929A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 부분 위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048929A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057158A patent/KR970048929A/ko not_active Application Discontinuation
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