KR970028850A - 폴리 (페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법 - Google Patents

폴리 (페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970028850A
KR970028850A KR1019960054765A KR19960054765A KR970028850A KR 970028850 A KR970028850 A KR 970028850A KR 1019960054765 A KR1019960054765 A KR 1019960054765A KR 19960054765 A KR19960054765 A KR 19960054765A KR 970028850 A KR970028850 A KR 970028850A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
poly
layer
phenylene vinylene
derivative
derivatives
Prior art date
Application number
KR1019960054765A
Other languages
English (en)
Inventor
스티픈 피. 라저스
케빈 제이. 노드퀴스트
Original Assignee
인그라시아 빈센트 비.
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인그라시아 빈센트 비., 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 인그라시아 빈센트 비.
Publication of KR970028850A publication Critical patent/KR970028850A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0384Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the main chain of the photopolymer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/093Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

본 발명은 PPV 유도체의 용해성 전구체 층의 형성과, 가속 전자를 사용하여 원하는 패턴으로 상기 층의 일부에 대한 조사(照射)와, 전자 빔 노광 시스템을 사용하여, 층의 조사된 부분을 PPV 유도체의 공액 중합체로의 전환 및 메탄올과 같은 용제로서 PPV 유도체의 용해성 전구체 층의 미전환 부분의 제거를 포함하는 PPV 유도체의 전구체를 전환 및 패터닝하는 방법에 관한 것이다.

Description

폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 공액 PPV 중합체를 사용한 발광 소자의 간이 종단면도.

Claims (4)

  1. 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법에 있어서, 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 층을 형성하는 공정과; 가속 전자로써 원하는 패턴으로 층의 일부를 조사하여 층의 조사된 부분을 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 공액 중합체로 전환하는 공정; 그리고, 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 용액으로 층의 미전환된 부분을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법.
  2. 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법에 있어서, 100Å 내지 400Å 범위의 두께를 가지는 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 층을 형성하는 공정과; 40μC/㎠ 내지 80μC/㎠의 적합한 전하 밀도로 10keV 내지 20keV의 적합한 범위의 가속 포텐셜로 가속뒨 가속 전자를 이용하여 층의 조사된 일부를 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 공액 중합체로 전환하기 위해 원하는 패턴으로 층의 일부를 조사하는 공정과; 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 용액을 이용하여 비전환된 층의 일부를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법.
  3. 유기 발광 소자를 제작하는 방법에 있어서, 평면을 가진 기판을 제공하는 공정과; 상기 평면에 제1종 전도성을 가지는 제1전기 전도층을 형성하는 공정과; 상기 제1전기 전도층에 폴리(페닐렌 비닐렌)의 용해성 전구체 층을 지지하는 공정과; 가속 전자를 사용하여 원하는 패턴으로 층의 일부를 조사하여 조사된 층의 일부를 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 공액 중합체로 전환하는 공정과; 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 용액으로 층의 미전환된 부분을 제거하는 공정과; 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체 소재의 조사된 부분에 제2종 .
  4. 포토 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 평면 기판을 제공하는 공정과 ; 상기 평면 기판에 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 층을 증착하는 공정과; 가속 전자를 이용하여 원하는 패턴으로 층의 일부를 조사하여, 층의 조사된 부분을 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 공액 중합체로 전환하는 공정; 그리고, 폴리(페닐렌 비닐렌) 유도체의 용해성 전구체 용액으로 층의 미전환 부분을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크를 제조하는 방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960054765A 1995-11-13 1996-11-12 폴리 (페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법 KR970028850A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US55740495A 1995-11-13 1995-11-13
US557,404 1995-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970028850A true KR970028850A (ko) 1997-06-24

Family

ID=24225248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960054765A KR970028850A (ko) 1995-11-13 1996-11-12 폴리 (페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0773479A1 (ko)
KR (1) KR970028850A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1292496C (zh) * 2001-05-23 2006-12-27 造型逻辑有限公司 器件的图案形成
NL1023125C2 (nl) * 2003-04-08 2004-10-13 Tno Methode voor het bewerkstelligen van een gestructureerde polymere halfgeleider, en een lichtemitterende diode, transistor, fotodiode of sensor omvattende een gestructureerde polymere halfgeleider zoals verkregen met de methode.
DE102016101636A1 (de) * 2016-01-29 2017-08-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Einstellen der Emission einer OLED

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198153A (en) * 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric
JP3019506B2 (ja) * 1991-08-13 2000-03-13 東レ株式会社 二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法
FR2699542B1 (fr) * 1992-12-21 1995-01-20 Thomson Csf Procédé d'obtention de polymères conducteurs de type polyarylène vinylène.
US5700696A (en) * 1993-11-08 1997-12-23 Lucent Technologies Inc. Method for preparation of conjugated arylene or heteroarylene vinylene polymer and device including same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0773479A1 (en) 1997-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1955112B1 (en) A method of patterning a thin film
KR100375864B1 (ko) 3차원 도전성 또는 반도전성 구조물을 형성하는 방법 및상기 구조물을 제거하는 방법
US8878162B2 (en) Method of depositing organic layers onto a substrate
US8709529B2 (en) Optoelectronic devices and a method for producing the same
US6429450B1 (en) Method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
KR100870250B1 (ko) 전자 디바이스를 형성하는 방법, 상기 방법에 의해 형성된 전자 디바이스, 상기 전자 디바이스를 포함하는 논리회로, 디스플레이 및 메모리, 그리고 상기 전자 디바이스 형성에 사용되는 미세절단 도구
US6117344A (en) Method for manufacturing low work function surfaces
Abdou et al. Laser, direct-write microlithography of soluble polythiophenes
US20050208779A1 (en) Imprint lithography process
JPH10326675A (ja) ポリマー電界発光デバイスおよびその製造方法
EP0364368A3 (en) Electrically conductive layer-providing composition and process for formation of resist patterns
KR970028850A (ko) 폴리 (페닐렌 비닐렌) 유도체의 전구체를 중합체 전환 및 패터닝하는 방법
Emah et al. Interfacial surface modification via nanoimprinting to increase open-circuit voltage of organic solar cells
US20090302279A1 (en) Method of Obtaining Patterns In an Organic Conductor Substrate and Organic Material Thus Obtained
US5445997A (en) Patterning method
KR970077121A (ko) 고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템
US6168907B1 (en) Method for etching semiconductor device
Baumann et al. Conducting polymer patterns via laser processing
KR100730294B1 (ko) 자기조립 리소그래피 회로형성 방법, 상기 방법으로 제조된회로 및 상기 회로의 응용
JP3157288B2 (ja) パターン形成方法
JP2001272769A (ja) フォトマスクおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
KR960008420A (ko) 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법
ATE268916T1 (de) Elektronenstrahlresist
KR980003857A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR980005530A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid