KR970023956A - 플라즈마 에칭이 광 방사를 모니터하므로써 제어되는 디바이스 제조방법(A process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission) - Google Patents
플라즈마 에칭이 광 방사를 모니터하므로써 제어되는 디바이스 제조방법(A process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission) Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 패턴이 포토레지스트 마스크로 부터 이산화 실리콘 층아래로 전송되는 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. 탄화 플루오르 가스를 함유하는 플라즈마는 상기 패턴을 기본 이산화 실리콘 층에서 에칭시키기 위해 사용된다. 플라즈마는 상기 에칭 공정의 제어를 수행하기 위해 광 방사 분광기를 사용하여 모니터된다. 포토레지스트 에칭율의 관측에 의거한 상기 공정은 제어하기 위하여 두개의 파장이 모니터된다. 하나는 포토레지스트와 플라즈마간의 상호 작용에 의해 발생되는 종에 관련된 것이고, 다른 하나는 플라즈마 강도에 관련된 종에 관한 것이다. 이들 두 파장에서 광 강도 비율은 처리중의 실시간에 결정되고, 상기 비율은 특정 비율과 소정 세트의 공정 조건에 의한 특정 포토레지스트 에칭율에 관련된 소정 캘리브레이션 곡선으로 참조하므로써 수용가능한 공정 상태와 관련된다. 상기 비율이 수용가능한 공정 조건을 나타내기 위해 결정된 일정한 범위의 비율내에 있지 않는 것이 관측된다면, 플라즈마 상태는 상기 비율이 소정 범위내로 다시 복귀되어 변경되거나 또는 상기 문제가 수정될때까지 상기 공정이 정지된다. 접점 구멍 에칭율의 관측에 의한 상기 공정을 제어하기 위해 플라즈마내에서 한 종와 관련된 파장은 에칭중에 두가지 다른 시간에서 모니터된다. 이틀 두가지 다른 시간에 측정된 강도의 비율이 얻어진다. 캘리브레이션 정보는 상기 비율이 적합하게 진행되는 것을 상기 공정으로 나타낸다면 결정하기 위해 사용된다. 상기 비율이 수용가능한 범위내에 있지 않다면, 수정 작용이 취해진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 이산화 실리콘 층을 중복시켜서 포토레지스트 마스크를 갖는 웨이퍼를 에칭시키기 위해 사용되는 C2F6플라즈마의 OES 스펙트럼을 도시한 그래프,
도 2는 포토레지스트 코팅 웨이퍼, 산화 코팅 실리콘 웨이퍼 및 베어 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭중에 515nm 초과시간에서 C2방사 강도의 트레이스를 도시한 그래프,
도 3은 포토레지스트 코팅 웨이퍼, 산화 코팅 실리콘 웨이퍼 및 베어 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭중에 440nm 초과시간에서 SiF 방사 강도의 트레이스를 도시한 그래프,
도 4는 포토레지스트 코팅, 산화 코팅 및 베어 실리콘 웨이퍼에 의한 C2및 SiF 방사율과 에칭율간의 관계를 도시한 그래프,
도 5는 베어 실리콘 웨이퍼에 의해 동일한 비율로 분할된 포토레지스트 코팅 웨이퍼에 의한 C2및 SiF 방사율과 에칭율간의 관계를 도시한 그래프.
Claims (12)
- 플라즈마 발생을 위해 채용된 반응실에 기판을 배치하는 단계와, 상기 반응실안으로 탄화 플루오르 함유가스를 도입하는 단계와, 상기 기판 표면으로 부터 마스크를 통해서 노출된 이산화 실리콘을 제거하기 위해 반응실에서 플라즈마를 발생하는 단계와, 상기 플라즈마의 광 방사를 모니터하고 플라즈마에서 종과 관련된 파장의 발광 강도를 측정하는 단계와, 상기 측정된 발광 강도로 부터 값을 계산하는 단계와, 상기 계산된 값을 소정값과 비교하는 단계 및, 상기 비교에 의거하여 상기 공정을 제어하는 단계를 포함하고, 상기 기판은 그 일 표면중 적어도 일부분상의 이산화 실리콘 층과, 상기 이산화 실리콘 층의 적어도 일부분이 마스크를 통해서 노출되는 이산화 실리콘 층에 걸친 포토레지스트 마스크를 가지며, 상기 소정 값 각각은 포토레지스트 마스크와 이산화 실리콘 층으로 구성된 그룹중 하나의 에칭율과 관련된 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 공정은 상기 계산된 값이 수용가능한 소정 값의 소정 범위내에 있지 않다면 처리 변수를 조정하므로써 제어되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마에서 한쌍의 종의 발광 강도는 모니터되고, 하나의 종은 포토레지스트와 플라즈마 사이에서의 상호 작용과 관련되며, 다른 종은 상기 계산된 값이 제 1 종과 관련된 강도와 에칭중에 단부 지점에서 제 2 종과 관련된 강도의 비율인 플라즈마의 강도와 관련되고, 상기 소정 값은 제 1 종과 관련된 강도와 제 2 종과 관련된 강도의 소정 비율이며, 상기 각 소정 비율은 에칭율과 관련이 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 종은 C2이고 상기 제 2 종은 SiF, Si 및, F로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 종은 515nm에서 모니터된 C2이고 상기 제 2종은 440nm에서 모니터된 SiF인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 소정 범위의 비율은 주어진 세트의 공정 조건에 의해 특정 비율을 특정 포토레지스트 에칭율과 관련된 캘리브레이션 곡선으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 비율이 소정 범위의 비율내에 있지않는 것이 관측된다면 플라즈마 에칭 조건을 조정하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마에서 종의 발광 강도는 초과시간동안 모니터되고, 상기 계산된 값은 시간(t1)에서 종과 관련된 강도와 시간(t2)에서 종과 관련된 강도의 비율이며, 양 시간(t1및 t2)은 에칭의 지속 내구성중에 발생되고, 상기 강도의 소정 비율은 시간(t1및 t2)에서 종과 관련되며, 상기 각 소정 값은 에칭율과 관련된 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제어된 에칭율은 접점 구멍 에칭율인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 종은 C2및 SiF로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 소정 범위의 비율은 주어진 세트의 공정 조건에 의한 특정 접점 구멍 에칭율을 갖는 특정 비율과 관련된 캘리브레이션 곡선으로 부터 결정되는 짓을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 비율이 소정 범위의 비율내에 있지 않는 것이 관측된다면 플라즈마 에칭 조건을 조정하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US703,756 | 1991-10-12 | ||
| US08/703,756 US5877032A (en) | 1995-10-12 | 1996-08-27 | Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023956A true KR970023956A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66314344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960045189A KR970023956A (ko) | 1991-10-12 | 1996-10-11 | 플라즈마 에칭이 광 방사를 모니터하므로써 제어되는 디바이스 제조방법(A process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023956A (ko) |
-
1996
- 1996-10-11 KR KR1019960045189A patent/KR970023956A/ko not_active Application Discontinuation
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