KR970023801A - 웨이퍼 연마 방법 및 웨이퍼 연마 장치 - Google Patents

웨이퍼 연마 방법 및 웨이퍼 연마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970023801A
KR970023801A KR1019960046889A KR19960046889A KR970023801A KR 970023801 A KR970023801 A KR 970023801A KR 1019960046889 A KR1019960046889 A KR 1019960046889A KR 19960046889 A KR19960046889 A KR 19960046889A KR 970023801 A KR970023801 A KR 970023801A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
abrasive
wafer
polishing
polishing table
gas
Prior art date
Application number
KR1019960046889A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100403255B1 (ko
Inventor
노리오 기무라
가쯔유끼 아오끼
구니오 다떼이시
호쯔미 야스다
아끼라 이소베
Original Assignee
마에다 시게루
가부시키 가이샤 에바라 세사쿠쇼
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마에다 시게루, 가부시키 가이샤 에바라 세사쿠쇼, 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 마에다 시게루
Publication of KR970023801A publication Critical patent/KR970023801A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100403255B1 publication Critical patent/KR100403255B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

연마 테이블 상에 연마제를 계속해서 유출시키면서 상기 연마 테이블과 같은 방향으로 회전하는 웨이퍼를 상기 연마 테이블에 대향하여 가압하므로써 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 방법에 있어서, 상기 연마 테이블의 외부로 부터 상기 연마 테이블을 향하여 기체는 계속 분출시켜 상기 연마제의 유실을 억제한다.
이 방법에 따르면, 연마제의 유실이 적절하게 억제되어, 연마제의 보유에 기인한 연마제의 열화를 야기시키지 않으면서 종래에 비해 연마제의 유실이 감소되어, CMP의 운용 비용을 저감시킨다.
상기 방법을 실행하는 웨이퍼 연마 장치는 회전 수단을 갖는 연마 테이블, 연마 테이블 상에 연마제를 공급하는 연마제 공급 수단, 회전 수단 및 수직 구동 기구를 갖고 웨이퍼를 연마 테이블에 대향하여 지지하는 웨이퍼 지지 수단, 및 연마 테이블의 외부로부터 연마 테이블을 향하여 기체를 분출하는 기체 분출 수단을 포함한다.
이러한 연마 장치에서는 연마제의 유실이 적절하게 억제되어 연마제의 보유에 따른 연마제의 열화를 방지함과 동시에, 연마제의 유실을 종래보다 감소시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 연마 방법 및 웨이퍼 연마 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 연마 장치의 단면도.

Claims (6)

  1. 연마 테이블 상에 연마제를 계속해서 유출시키면서 상기 연마 테이블과 같은 방향으로 회전하는 웨이퍼를 상기 연마 테이블에 대향하여 가압하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 방법에 있어서, 상기 연마 테이블의 외부로부터 상기 연마 테이블을 향하여 기체를 계속 분출시켜 상기 연마제의 유실을 억제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 테이블 상에서의 상기 연마제의 분포가 상기 연마제의 유량 및 분출되는 기체의 강도를 조정함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 연마 테이블 상으로의 상기 연마제의 공급은 미리 개시되며, 상기 연마 테이블에 대향하여 웨이퍼를 가압 및 기체를 분출하는 것이 거의 동시에 개시되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  4. 회전 수단을 갖는 연마 테이블, 상기 연마 테이블 상에 연마제를 공급하는 연마제 공급수단, 회전 수단 및 수직 구동 기구를 갖고, 웨이퍼를 상기 연마 테이블에 대향하여 지지하는 웨이퍼 지지 수단, 및 상기 연마 테이블의 외부로부터 상기 연마 테이블을 향하여 기체를 분출하는 기체 분출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기체 분출수단이 기체 분출량의 제어 수단 및/또는 기체 분출각도제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기체 분출 수단이 편평하게 형성된 선단부(distal end portion)의 분출구를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960046889A 1995-10-19 1996-10-18 웨이퍼연마방법및웨이퍼연마장치 KR100403255B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29494695A JP2833552B2 (ja) 1995-10-19 1995-10-19 ウェハ研磨方法および研磨装置
JP7-296108 1995-10-19
JP95-294946 1995-10-19
JP7-296107 1995-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023801A true KR970023801A (ko) 1997-05-30
KR100403255B1 KR100403255B1 (ko) 2003-12-18

Family

ID=17814335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960046889A KR100403255B1 (ko) 1995-10-19 1996-10-18 웨이퍼연마방법및웨이퍼연마장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5702291A (ko)
JP (1) JP2833552B2 (ko)
KR (1) KR100403255B1 (ko)
GB (1) GB2306359B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5993298A (en) * 1997-03-06 1999-11-30 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface
JPH10329011A (ja) * 1997-03-21 1998-12-15 Canon Inc 精密研磨装置及び方法
SG70097A1 (en) * 1997-08-15 2000-01-25 Disio Corp Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface
JP3291701B2 (ja) * 1997-11-17 2002-06-10 日本ミクロコーティング株式会社 研磨テープ
US6007406A (en) * 1997-12-04 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Polishing systems, methods of polishing substrates, and method of preparing liquids for semiconductor fabrication process
US5957750A (en) 1997-12-18 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
JP2000006010A (ja) * 1998-06-26 2000-01-11 Ebara Corp Ｃｍｐ装置及びその砥液供給方法
US6439977B1 (en) * 1998-12-07 2002-08-27 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Rotational slurry distribution system for rotary CMP system
US6126515A (en) * 1999-12-15 2000-10-03 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Liquid slurry containing polyhedral monocrystalline alumina
US6443810B1 (en) * 2000-04-11 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing
US6458020B1 (en) * 2001-11-16 2002-10-01 International Business Machines Corporation Slurry recirculation in chemical mechanical polishing
US7452264B2 (en) * 2006-06-27 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Pad cleaning method
JP2008103496A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Elpida Memory Inc 研磨方法および研磨装置
JP5722619B2 (ja) * 2010-12-28 2015-05-27 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
CN111341856A (zh) * 2020-02-28 2020-06-26 通威太阳能(眉山)有限公司 一种制绒的脱水烘干方法
CN114833725B (zh) * 2022-05-18 2023-04-07 北京晶亦精微科技股份有限公司 研磨液供给装置及研磨机

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156530A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Toshiba Corp 半導体基板の鏡面研磨加工方法
US5154021A (en) * 1991-06-26 1992-10-13 International Business Machines Corporation Pneumatic pad conditioner
US5308438A (en) * 1992-01-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing
US5310455A (en) * 1992-07-10 1994-05-10 Lsi Logic Corporation Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers
US5299393A (en) * 1992-07-21 1994-04-05 International Business Machines Corporation Slurry containment device for polishing semiconductor wafers
EP0589434B1 (en) * 1992-09-24 1998-04-08 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH0794452A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Toshiba Corp 研磨方法及び研磨装置
JP3272835B2 (ja) * 1993-11-04 2002-04-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR0132274B1 (ko) * 1994-05-16 1998-04-11 김광호 웨이퍼 연마 설비
JPH08124885A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Toshiba Corp 半導体基板研磨装置
JP2983905B2 (ja) * 1995-09-08 1999-11-29 松下電器産業株式会社 半導体基板の研磨方法及びその装置
KR970018240A (ko) * 1995-09-08 1997-04-30 모리시다 요이치 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5702291A (en) 1997-12-30
GB2306359B (en) 1999-05-26
GB2306359A (en) 1997-05-07
KR100403255B1 (ko) 2003-12-18
GB9621879D0 (en) 1996-12-11
JP2833552B2 (ja) 1998-12-09
JPH09109019A (ja) 1997-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970023801A (ko) 웨이퍼 연마 방법 및 웨이퍼 연마 장치
KR940022743A (ko) 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치
KR950034447A (ko) 웨이퍼 연마 설비
TW367540B (en) Photoresist coating apparatus and method thereby
KR960030344A (ko) 폴리싱장치
KR100493251B1 (ko) 웨이퍼형물품처리장치
CA2150011A1 (en) Apparatus for cleaning objects in movement
CA2157832A1 (en) Application unit for the direct or indirect application of a liquid or pasty medium onto a moving material web
TW200531793A (en) Polishing apparatus and polishing method
EP1018377A3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Entzundern einer Oszillationsmarken aufweisenden Oberfläche eines Gussstranges aus einer Stranggiessanlage
KR100335890B1 (ko) 차량의 글래스 실러 도포장치
US20230302604A1 (en) Substrate polishing apparatus and polishing liquid discharge method in substrate polishing apparatus
JPH04211909A (ja) スライシングマシンの切断方法
CA2209877A1 (en) A liquid discharging method accompanied by the displacement of a movable member, a liquid jet head for implementing such method, and a liquid jet apparatus for the implementation thereof
GB1528875A (en) Air driven centrifuge
EP0816087A3 (en) Discharging method, liquid discharging head and head cartridge and recording apparatus using the same
JP2002110591A (ja) ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
KR970052710A (ko) 회전식 기판건조장치
US10828746B2 (en) Dressing method and dressing apparatus
JPH07304028A (ja) スライシングマシン
JPH11121420A (ja) 基板洗浄方法及びその装置
EP1107289A3 (en) Planarization apparatus
CN111976043B (zh) 一种晶棒切割装置及晶棒切割方法
EP1059141A4 (en) MANUAL SCRAPER POLISHING UNIT AND POLISHING APPARATUS
JP2664862B2 (ja) 水研磨用サンダー

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee