KR970023767A - 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔 - Google Patents

웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔 Download PDF

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KR970023767A
KR970023767A KR1019950036799A KR19950036799A KR970023767A KR 970023767 A KR970023767 A KR 970023767A KR 1019950036799 A KR1019950036799 A KR 1019950036799A KR 19950036799 A KR19950036799 A KR 19950036799A KR 970023767 A KR970023767 A KR 970023767A
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KR1019950036799A
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김상근
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

이 발명은 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔에 관한 것으로서, 강한 전계를 발생시켜 플라즈마를 형성시 키는 고주파발생부와; 웨이퍼상의 감광막을 제거하는 가스를 주입하는 가스주입부와; 웨이퍼가 직접 놓여져 있어 상기 가스와 감광막이 서로 작용하게되 감광막이 제거되고, 사용된 가스와 기타 불순물이 배출되는 제거배출부와; 상기 고주파발생부의 알루미늄 전극과 상기 가스 주입부가 장착되고, 고주파에 의해 플라즈마가 형성되는 장소가 되며, 외부와 차폐를 하는 석영챔버와; 상기 고주파에 의해 발생된 전계가 웨이퍼가 있는 곳까지 미치지 못하게 차단하는 고주파 차폐로 이루어지는데, 고주파 방전으로 형성된 전계가 웨이퍼가 있는 곳까지 미치지 못하도록 고주파 차폐를 설치하여, 전계로 인해 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하는 효과를 가진 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔의 사시도이다.

Claims (4)

  1. 강한 전계를 발생시켜 플라즈마를 형성시키는 고주파발생부와; 웨이퍼상의 감광막을 제거하는 가스를 주입하는 가스주입부와; 웨이퍼가 직접 놓여져 있어 상기 가스와 감광막이 서로 작용하게되 감광막이 제거되고, 사용된 가스와 기타 불순물이 배출되는 제거배출부와; 상기 고주파발생부의 알루미늄 전극과 상기 가스 주입부가 장착되고, 고주파에 의해 플라즈마가 형성되는 장소가 되며, 외부와 차폐를 하는 석영챔버와; 상기 고주파에 의해 발생된 전계가 웨이퍼가 있는 곳까지 미치지 못하게 차단하는 고주파 차폐로 이루어지는 것은 특징으로 하는 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 고주파차폐는, 상기 석영챔버내에 위치하고 상기 고주파발생부의 두 알루미늄전극과 웨이퍼 사이에 위치하며, 석영챔버 내부벽에 부착되어 상기 고주파발생부의 알루미늄이 있는 공간과 웨이퍼가 있는 공간을 분리시키도록 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 고주파차폐는, 도전성 재질로 된, 원 모양 또는 다각형 모양으로 형성된 그물구조를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 고주파차폐는, 도전성 재질로 된, 판 모양으로 된 트랩(trap)구조를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036799A 1995-10-24 1995-10-24 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 장치가 설치된 다운스트림 플라즈마 애셔 KR970023767A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100371024B1 (ko) * 1997-07-14 2003-02-06 램 리서치 코포레이션 콤팩트 마이크로웨이브 다운스트림 플라즈마 시스템
KR100474133B1 (ko) * 2002-05-02 2005-03-08 주성엔지니어링(주) 플라즈마화학기상증착장치

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