Claims (4)
반도체장치의 전극으로 사용된 금속막(3)을 소정 기판상에 형성하는 공정과; 상기 금속막(3)상에 산화막(4)을 형성하는 공정과; 상기 산화막(4)상에 소정 패턴의 감광막(5)을 형성하는 공정과; 상기 감광막(5)을 마스크로 사용하여 상기 산화막(4)과 상기 금속막(3)의 일부를 식각하여서 상기 산화막(4)의 측면하부에서 상기 금속막(3)이 과식각되게 하는 공정과; 상기 감광막(5)의 제거 후, 산화막(6)을 그 위에 형성 및 식각하여 상기 금속막(3)의 과식각된 부분에 상기 산화막(6)이 남아 있도록 하는 공정과; 상기 산화막(4)괴, (6)을 마스크로 사용하여 상기 남아있는 금속막(3)을 식각하여, 금속전극을 형성하는 공정과; 상기 남아 있는 산화막(4, 6)을 모두 제거하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.Forming a metal film (3) used as an electrode of the semiconductor device on a predetermined substrate; Forming an oxide film (4) on the metal film (3); Forming a photosensitive film (5) having a predetermined pattern on the oxide film (4); Etching the oxide film (4) and a part of the metal film (3) using the photosensitive film (5) as a mask to cause the metal film (3) to be overetched under the side surface of the oxide film (4); After removing the photosensitive film (5), forming and etching an oxide film (6) thereon so that the oxide film (6) remains in the overetched portion of the metal film (3); Etching the remaining metal film (3) using the oxide film (4) ingot and (6) as a mask to form a metal electrode; And removing all remaining oxide films (4, 6).
제1항에 있어서, 상기 산화막(6)의 식각공정은 비등방성 식각에 의해 실행되는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the etching process of the oxide film (6) is performed by anisotropic etching.
제1항에 있어서, 상기 금속막(3)은 Cr, Ar, Ti 및 Al합금중 하나로 형성되는 반도체장치의 제조방법.A method according to claim 1, wherein the metal film (3) is formed of one of Cr, Ar, Ti and Al alloys.
반도체장치의 전극으로 사용된 금속막(3)을 소정 기판상에 형성하는 공정과; 상기 금속막(3)상에 TiN막을 형성하는 공정과; 상기 Ti 막상에 소정 패턴의 감광막(5)을 형성하는 공정과; 상기 감광막(5)을 마스크로 사용하여 상기 TiN막과 상기 금속막(3)의 일부를 식각하여서 상기 TiN막의 측면하부에서 상기 금속막(3)이 과식각되게 하는 공정과; 상기 감광막(5)의 제거후, 산화막(6)을 그 위에 형성 및 식각하여 상기 금속막(3)의 과식각된 부분에 상기 산화막(6)이 남아있도록 하는 공정과, 상기 Ti 막과 상기 산화막(6)을 마스크로 사용하여 상기 남아 있는 금속막(3)을 식각하여, 금속전극을 형성하는 공정과; 상기 남아 있는 산화막(6)과 TiN막을 모두 제거하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.Forming a metal film (3) used as an electrode of the semiconductor device on a predetermined substrate; Forming a TiN film on the metal film (3); Forming a photosensitive film (5) of a predetermined pattern on the Ti film; Etching the TiN film and a part of the metal film (3) using the photosensitive film (5) as a mask to cause the metal film (3) to be over-etched under the side surface of the TiN film; After removal of the photosensitive film 5, an oxide film 6 is formed and etched thereon so that the oxide film 6 remains in an overetched portion of the metal film 3, and the Ti film and the oxide film Etching the remaining metal film (3) using (6) as a mask to form a metal electrode; And removing the remaining oxide film (6) and the TiN film.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.