KR970023718A

KR970023718A - Patterning method of semiconductor device

Info

Publication number: KR970023718A
Application number: KR1019950036247A
Authority: KR
Inventors: 김세진
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-10-19
Filing date: 1995-10-19
Publication date: 1997-05-30

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 패턴닝 방법에 관한 것으로, 특히 일회의 감광액 마스킹(Masking)으로 드라이 에칭(Dry Etching)과 웨트 에칭(Wet Etching)을 연속적으로 진행하는 경우 두 공정 사이에 적절한 산소 플라즈마(Oxygen Plasma) 공정의 실시에 의해 웨트 에칭시에 언웨치를 유발하는 폴리머(Polymer)를 제거하여 완전한 에칭을 실현할 수 있는 반도체 장치의 패턴닝 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a patterning method of a semiconductor device, and in particular, when dry etching and wet etching are successively performed by one time of photoresist masking, an appropriate oxygen plasma (Oxygen) is performed between two processes. The present invention relates to a patterning method of a semiconductor device capable of realizing a complete etching by removing a polymer causing unwedge upon wet etching by performing a plasma process.

본 발명의 패턴닝 방법은 하지층 상에 형성된 이중막을 단일 감광막 마스킹 패턴을 이용하여 패터닝하는 반도체 장치의 패터닝 방법에 있어서, 상기 감광막 마스킹 패턴을 이용하여 드라이 에칭을 실시하여 마스킹 패턴 하부의 노출된 제1피에칭막을 제거하는 단계와; 상기 제1피에칭막 하부의 노출된 제2피에칭 막에 남아 있는 잔류 폴리머를 산소 플라즈마 공정에 의해 제거하는 단계와; 상기 감광막 마스킹 패턴과 제1피에칭막을 이용하여 웨트 에칭에 의해 상기 노출된 제2피에칭막을 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.The patterning method of the present invention is a patterning method of a semiconductor device for patterning a double layer formed on a base layer by using a single photoresist masking pattern, wherein a dry etching is performed using the photoresist masking pattern to expose an exposed material under the masking pattern. Removing the etching target film; Removing residual polymer remaining in the exposed second etching layer under the first etching layer by an oxygen plasma process; And removing the exposed second etching layer by wet etching using the photoresist masking pattern and the first etching layer.

Description

Patterning method of semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제2도 (가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 패턴닝 공정도이다.2A to 2D are patterning process diagrams of a semiconductor device according to the present invention.

Claims

A method of patterning a semiconductor device in which a double layer formed on a base layer is patterned using a single photoresist masking pattern, wherein the first etching layer under the masking pattern is removed by performing dry etching using the photoresist masking pattern. Wow; Removing residual polymer remaining in the exposed second etching layer under the first etching layer by an oxygen plasma process; And removing the exposed second etching layer by wet etching using the photoresist masking pattern and the first etching layer.

※ Note: The disclosure is based on the initial application.