KR970023505A - 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법 - Google Patents

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유인경
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Abstract

본 발명의 임프린트를 이용한 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 상기 방법은 분극이 존재하는 상태와 분극이 존재하지 않는 상태를 갖도록 강유전체 캐패시터를 제작하는 단계; 및 상기 두개의 분극상태를 메모리 논리로 사용하여 파셜스위칭 신호를 연속적으로 인가하는 단계를 포함함으로써 강유전체 캐패시터의 분극감퇴를 방지하여 피로특성을 개선시킬 수 있고, 궁극적으로 그 수명을 연장시킬 수 있는 잇점이 있다.

Description

강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가), (나) 및 (다)는 파셜 스위칭 원리를 나타낸 것이며,
제3도의 (가), (나)및 (다)는 캐패시터 박막층 구조와 이력곡선과의 관계를 나타낸 것이며,
제4도는 본 발명에 따른 캐패시터의 이력곡선,
제5도의 (가) 및 (나)는 본 발명에 따른 캐패시터의 피로특성을 측정한 그래프.

Claims (6)

  1. a) 분극이 존재하는 상태와 분극이 존재하지 않는 상태를 갖도록 강유전체 캐패시터를 제작하는 단계; 및 b) 상기 두개의 분극상태를 메모리 논리로 사용하여 파셜스위칭 신호를 연속적으로 인가하는 단계를 포함하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 a) 단계의 강유전체 캐패시터는 상ㆍ하 전극중 일측전극과 강유전체 사이에 삽입층이 형성된 비대칭 다층막 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 삽입층 물질이 전도성 세라믹, 금속 및 폴리머로 구성된 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 삽입층 물질이 전도성 세라믹인 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 상부전극과 하부전극이 동일한 물질이거나, 또는 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 b) 단계에서 분극이 존재하는 상태에서는 정상적인 신호를 인가하고 분극이 존재하지 않는 상태에서는상기 정상신호보다 낮은 전압의 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터의 분극감퇴 방지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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