KR970017915A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 제조 공정 중 배선을 위하여 증착되는 알루미늄 금속막 중 에지부분이 스트레스를 인가하여 상부 보호막을 손상시키는 것을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 공정은, 금속배선물질이 전면에 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여 사진식각 공정에 의하여 금속배선을 형성한 후 보호막을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 사진식각공정은 칩이 형성되는 웨이퍼의 패턴셀 외에 웨이퍼의 에지 부분에도 칩으로 제조되지 않을 무용의 더미셀(Oummy Cell)을 형성하도록 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 알루미늄 금속막의 스트레스로 인한 웨이퍼 에지 부분의 보호막 균열 또는 파손이 방지될 수 있으므로 반도체 웨이퍼의 품질이 향상되고, 제품에 대한 신뢰성이 극대화될 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 금속배선물질이 전면에 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여 사진식각 공정에 의하여 금속배선을 형성한 후 보호막을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 사진식각 공정은 칩이 형성되는 웨이퍼의 패턴셀 외에 웨이퍼의 에지 부분에도 칩으로 제조되지 않을 무용의 더미셀(Dummy Cell)을 형성토록 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴셀과 더미셀에 대하여 동일한 금속배선 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속배선 물질은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032524A KR0181900B1 (ko) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950032524A KR0181900B1 (ko) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
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| KR970017915A true KR970017915A (ko) | 1997-04-30 |
| KR0181900B1 KR0181900B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19428288
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| KR1019950032524A KR0181900B1 (ko) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0181900B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431527B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 최외각 영역에 더미패턴을 포함하는반도체장치의 형성방법 |
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1995
- 1995-09-28 KR KR1019950032524A patent/KR0181900B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0181900B1 (ko) | 1999-04-15 |
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