KR970013224A - 레이저 퓨즈를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

단순한 공정으로 안정된 퓨즈를 갖는 반도체 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 실리콘기판 상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 상에 형성된 퓨즈용 제1 도전체 패턴와, 상기 제1 도전체 패턴 상에 형성된 제2절연막과 상기 제2 절연막과 상에 상기 제1 도전체 패턴과 평행하고, 상기 제1 도전체 패턴을 중심으로 서로 이웃하게 배치되어 형성된 제2 도전체 패턴과, 상기 제2 도전체 패턴에 의해 노출된 제2 절연막 위에 형성되고 상기 제1 도전체 패턴의 일측면 상부에 위치하도록 형성되는 제3 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 금속 패드와 레이저 퓨즈를 동일한 마스크를 사용하여 오픈시키는 공정을 적용하면서 금속 패드이 과도한 식각 공정에도 레이저 퓨즈, 주변의 필드절연막 및 벌크실리콘을 식각으로부터 보호할 수 있다.

Description

레이저 퓨즈를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제9도는 본 발명에 의한 레이저 퓨즈영역을 갖는 반도체 장치를 나타낸 도면도이다,

제10도는 각각 상기 제9도의 G부위를 확대한 확대도면으로써 식각되는 영역을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다,

제11도는 상기 제10도의 식각영역이 식각된 상태를 설명하기 위하여 나타낸 단면도이다,

제12도는 본 발명에서 실제로 보호막의 실제 패턴에서의 침적 양상을 나타낸 단면도이다.

Claims (16)

1. 실리콘기판 상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 상에 형성된 퓨즈용 제1 도전체 패턴와, 상기 제1 도전체 패턴 상에 형성된 제2 절연막과, 상기 제2 절연막 상에 상기 제1 도전체 패턴과 평행하고, 상기 제1 도전체 패턴을 중심으로 서로 이웃하게 배치되어 형성된 제2 도전체 패턴과, 상기 제2 도전체 패턴에 의해 노출된 제2 절연막 위에 형성되고 상기 제1 도전체 패턴의 일측면 상부에 위치하도록 형성되는 제3 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 도전체 패턴은 폴리실리콘막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막은 산화막이고, 상기 제2 절연막은 산화막과 불순물이 함유된 산화막의 복합막이며, 상기 제3 절연막은 산화막과 질화막의 복함막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제2 도전체 패턴은 알루미늄막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 제3 절연막 또는 질화막의 단일막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 제2 도전체 패턴은 플리팅 노드(Floating node)에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 제2 도전체 패턴은 그라운드 노드(Groundnode)에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 제1 도전체 패턴의 폭이 상부에 형성된 제2 도전체 패턴 사이의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
9. 실리콘 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막 상에 폴리실리콘막 또는 폴리사이드로 레이저 퓨즈용 제1 도전체 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 도전체 패턴이 형성된 기판의 전면에 제2 절연막과 제3 절연막을 형성하는 단계; 상기 제3 절연막 상에 상기 퓨즈용 제1 도전체 패턴을 중심으로 그 상부에 복수의 제2 도전체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전체 패턴이 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
10. 제10항에 있어서, 상기 제1 절연막의 두께가 3000Å 내지 6000Å도 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 제1 도전체 패턴은 폴리실리콘을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 제1 도전체 패턴은 그 두께를 1500Å 내지 3500Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
13. 제10항에 있어서, 상기 제2 절연막은 보로포스포 실리케이트 그레스막(BPSG막)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
14. 제10항에 있어서, 상기 제2 절연막은 3500Å 내지 5500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
15. 제10항에 있어서, 상기 제2 도전체 패턴은 장벽금속층으로 타이타늄을 100Å 내지 400Å정도로 증착하는 단계와, 상기 타이타늄막상에 타이타늄 질화막을 800Å 내지 1000Å을 증착하는 단계와, 상기 타이타늄 질화막 상에 고반사율을 갖는 알루미늄막을 증착시키는 단계와, 상기 알루미늄막 상에 티나늄질화막을 캡핑시티는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
16. 제10항에 있어서, 상기 보호막은 2000Å 내지 4000Å의 산화막과 그 위에 5000Å 내지 7000Å의 두께인 질화막을 형성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.