KR970013085A - 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 - Google Patents
반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970013085A KR970013085A KR1019960029167A KR19960029167A KR970013085A KR 970013085 A KR970013085 A KR 970013085A KR 1019960029167 A KR1019960029167 A KR 1019960029167A KR 19960029167 A KR19960029167 A KR 19960029167A KR 970013085 A KR970013085 A KR 970013085A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- polishing
- pressing
- semiconductor substrate
- polishing pad
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
탄성을 가지는 연마패드에 의하여 반도체 기판을 반도체 기판의 면 내에서 균일하게 연마할 수 있도록 한다.
정반(1)의 평탄한 기판유지부(1a)의 표면에는 탄성을 가지는 연마패드(2)가 접착되어 있다. 연마패드(2)의 중심부로부터 둘레부에 걸치는 제1영역의 윗쪽에는 반도체 기판(3)을 유지하여 회전하는 기판유지헤드(4)가 설치되어 있고, 이 기판유지헤드(4)에 의하여 반도체 기판(3)은 회전하면서 연마패드(2)의 제1 영역에 눌려 접촉된다. 연마제(5)는 연마제 공급관(6)으로부터 소정량씩 연마패드(2) 상에 방울져 떨어진다. 정반(1)에서의 중심부로부터 둘레부에 걸치는 제2영역의 윗쪽에는 연마패드(2)를 가압하는 패드가압수단(7)이 설치되어 있으며, 이 패드가압수단(7)은 원반형상의 패드가압판(8A과 이 패드가압판(8A)을 유지하는 회전축(9)으로 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 관한 반도체 기판 연마장치의 개략사시도.
Claims (21)
- 평면운동을 하는 평탄면을 가지는 정반과, 상기 정반의 상기 평탄면상에 재치된 탄성을 가지는 연마패드와, 연마해야할 반도체 기판을 유지하여 상기 반도체 기판을 상기 연마패드의 원형상의 제1영역으로 회전시키면서 누르는 기판유지수단과, 상기 연마패드의 위에 연마제를 공급하는 연마제 공급수단과, 상기 연마패드의 제2영역을 눌러서 상기 연마패드를 탄성변형시키는 패드가압부를 가지는 패드가압수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 평면운동은 회전운동인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는 매끄러운 누름면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는 수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는 원형상의 누름면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는 둥근 고리형상의 누름면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 평면운동은 회전운동이고, 상기 패드가압부는 누름면의 중심과 상기 제1영역의 중심은 상기 정반 회전운동의 회전중심을 중심으로 하는 동심원상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제7항에 있어서, 상기 패드가압부 누름면의 직경은 상기 제1영역의 직경보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는 상기 정반 회전운동의 회전중심으로부터 외측으로 향함에 따라 넓어지는 사다리꼴 형상의 누름면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2영역은, 상기 연마패드의 연마면에서의 상기 제1영역을 제외하는 거의 모든 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부의 누름면에는, 상기 연마제를 상기 연마패드의 연마면에 공급하는 오목형상홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패드가압부는, 상기 정반의 상기 평탄면과 거의 평행한 회전축을 가지는 롤러로 구성되고, 상기 연마패드의 제2영역에 눌려 접촉되어 상기 정반 운동에 따라 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제12항에 있어서, 상기 평면운동을 회전운동이고, 상기 롤러는 상기 롤러 횡단면 각 부위의 반지름의 비가 상기 연마패드에서의 상기 롤러 횡단면의 각 부위가 접하는 부위의 회전중심으로부터의 거리 비와 같은 원뿔대 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제12항에 있어서, 상기 롤러는 원통형상인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제14항에 있어서, 상기 평면운동은 직선운동인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 롤러는 같은 축에 배치된 복수의 롤러부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제2영역은 상기 제2영역 보다도 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 제13항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 상기 롤러는, 상기 연마패드에서의 상기 연마패드와 상기 반도체 기판이 접하는 시간이 상대적으로 적은 영역의 근방을 누르는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마장치.
- 평면운동을 하는 평탄면을 가지는 정반의 상기 평탄면 상에 재치된 탄성을 가지는 연마패드의 위에 연마제를 공급하는 연마제 공급공정과, 반도체 기판을 상기 연마패드의 원형상의 제1영역에 누르면서 상기 반도체 기판을 연마하는 기판연마공정과, 상기 연마패드의 제2영역을 눌러서 상기 제2영역을 탄성변형시키는 패드누름공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
- 제19항에 있어서, 상기 패드누름공정에서 상기 연마패드의 제2영역을 누르는 압압력은, 상기 기판연마공정에서 상기 연마패드의 제1영역을 누르는 압압력과 동등 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
- 제19항에 있어서, 상기 평면운동은 회전운동인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21626295 | 1995-08-24 | ||
JP95-216262 | 1995-08-24 | ||
JP32531995 | 1995-12-14 | ||
JP95-325319 | 1995-12-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970013085A true KR970013085A (ko) | 1997-03-29 |
KR100423770B1 KR100423770B1 (ko) | 2004-06-30 |
Family
ID=26521330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960029167A KR100423770B1 (ko) | 1995-08-24 | 1996-07-19 | 반도체기판의연마방법및그장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5769697A (ko) |
EP (1) | EP0763401B1 (ko) |
KR (1) | KR100423770B1 (ko) |
DE (1) | DE69607547T2 (ko) |
TW (2) | TW334379B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100321551B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2002-01-23 | 가네꼬 히사시 | 반도체 기판의 표면 요철을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 연마 장치 |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW334379B (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Compression mechanism for grinding machine of semiconductor substrate |
KR970018240A (ko) * | 1995-09-08 | 1997-04-30 | 모리시다 요이치 | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 |
JP3672685B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JPH10329011A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 精密研磨装置及び方法 |
US6117778A (en) * | 1998-02-11 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer edge bead removal method and tool |
US6159087A (en) * | 1998-02-11 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | End effector for pad conditioning |
US6221774B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Method for surface treatment of substrates |
WO1999053528A2 (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-21 | Silicon Genesis Corporation | Surface treatment process and system |
US6019665A (en) * | 1998-04-30 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Controlled retention of slurry in chemical mechanical polishing |
US6190243B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US6129610A (en) * | 1998-08-14 | 2000-10-10 | International Business Machines Corporation | Polish pressure modulation in CMP to preferentially polish raised features |
US6439967B2 (en) * | 1998-09-01 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6174221B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, semiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks |
US6220936B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-04-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | In-site roller dresser |
US6176764B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, simiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks |
US6135863A (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of conditioning wafer polishing pads |
US6722963B1 (en) | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
EP1077108B1 (en) * | 1999-08-18 | 2006-12-20 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
US6306008B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization |
US6273796B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface |
KR20010059876A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 구자홍 | 광 기록재생기의 제어 방법 |
US6857942B1 (en) * | 2000-01-11 | 2005-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for pre-conditioning a conditioning disc |
US6722964B2 (en) * | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
US6551176B1 (en) | 2000-10-05 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning disk |
US6725120B2 (en) * | 2001-03-29 | 2004-04-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods with resolution enhancement feature for improving accuracy of conversion of required chemical mechanical polishing pressure to force to be applied by polishing head to wafer |
US6866566B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a contact surface of a processing pad used in processing microelectronic workpieces |
US6652708B2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for conditioning and temperature control of a processing surface |
US7727371B2 (en) * | 2005-10-07 | 2010-06-01 | Caliper Life Sciences, Inc. | Electrode apparatus for use with a microfluidic device |
JP5408789B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-02-05 | エルジー・ケム・リミテッド | フロートガラス研磨システム |
US20100291841A1 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Chien-Min Sung | Methods and Systems for Water Jet Assisted CMP Processing |
JP2011079076A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
US8647172B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping |
US8500515B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-08-06 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts |
US8602842B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-12-10 | Wayne O. Duescher | Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system |
US8647170B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Laser alignment apparatus for rotary spindles |
US8758088B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-06-24 | Wayne O. Duescher | Floating abrading platen configuration |
US8740668B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-06-03 | Wayne O. Duescher | Three-point spindle-supported floating abrasive platen |
US8696405B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-04-15 | Wayne O. Duescher | Pivot-balanced floating platen lapping machine |
US8641476B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-02-04 | Wayne O. Duescher | Coplanar alignment apparatus for rotary spindles |
US8647171B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle floating-platen workpiece loader apparatus |
US8337280B2 (en) | 2010-09-14 | 2012-12-25 | Duescher Wayne O | High speed platen abrading wire-driven rotary workholder |
US8430717B2 (en) | 2010-10-12 | 2013-04-30 | Wayne O. Duescher | Dynamic action abrasive lapping workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
TWI616278B (zh) * | 2015-02-16 | 2018-03-01 | China Grinding Wheel Corp | 化學機械研磨修整器 |
JP6667100B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-03-18 | 株式会社ジェイテクト | ツルア、これを備えたツルーイング装置、研削装置及びツルーイング方法 |
WO2018081712A1 (en) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Commscope Technologies Llc | Connector with capacitive crosstalk compensation |
KR102316563B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2021-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속으로 형성된 상부 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
CN116394151B (zh) * | 2023-03-29 | 2023-12-26 | 江苏山水半导体科技有限公司 | 一种表面具有psg层硅片的化学机械平坦化方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3888053A (en) * | 1973-05-29 | 1975-06-10 | Rca Corp | Method of shaping semiconductor workpiece |
US5257478A (en) * | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
DE69122441T2 (de) * | 1990-06-29 | 1997-04-24 | Nat Semiconductor Corp | Polierscheibe mit eingestellter Schmiegsamkeit |
US5212910A (en) * | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
EP0589433B1 (en) * | 1992-09-24 | 1999-07-28 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
TW338125B (en) * | 1993-02-26 | 1998-08-11 | Hoechst Celanese Corp | Novel matriz resin and its preparation and use in high-temperature stable photoimageable compositions |
JPH0794452A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
US5435772A (en) * | 1993-04-30 | 1995-07-25 | Motorola, Inc. | Method of polishing a semiconductor substrate |
TW367551B (en) * | 1993-06-17 | 1999-08-21 | Freescale Semiconductor Inc | Polishing pad and a process for polishing |
JPH0724708A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-27 | Toshiba Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
US5547417A (en) * | 1994-03-21 | 1996-08-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad |
JPH07297195A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Speedfam Co Ltd | 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置 |
TW334379B (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Compression mechanism for grinding machine of semiconductor substrate |
-
1996
- 1996-06-29 TW TW085108020A patent/TW334379B/zh active
- 1996-06-29 TW TW086109351A patent/TW344695B/zh active
- 1996-07-19 KR KR1019960029167A patent/KR100423770B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-29 EP EP96112215A patent/EP0763401B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-29 DE DE69607547T patent/DE69607547T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-07 US US08/692,065 patent/US5769697A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-04-04 US US08/833,180 patent/US5997385A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-04 US US08/834,513 patent/US5868610A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100321551B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2002-01-23 | 가네꼬 히사시 | 반도체 기판의 표면 요철을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 연마 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5997385A (en) | 1999-12-07 |
TW344695B (en) | 1998-11-11 |
EP0763401B1 (en) | 2000-04-05 |
US5769697A (en) | 1998-06-23 |
US5868610A (en) | 1999-02-09 |
DE69607547D1 (de) | 2000-05-11 |
EP0763401A1 (en) | 1997-03-19 |
DE69607547T2 (de) | 2000-08-10 |
TW334379B (en) | 1998-06-21 |
KR100423770B1 (ko) | 2004-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970013085A (ko) | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 | |
US6648740B2 (en) | Carrier head with a flexible membrane to form multiple chambers | |
US6443823B1 (en) | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
KR940008017A (ko) | 연마 장치 | |
KR100299804B1 (ko) | 워크피스의연마장치및방법 | |
KR100202659B1 (ko) | 반도체웨이퍼의 기계화학적 연마장치 | |
US9199354B2 (en) | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder | |
KR100425937B1 (ko) | 표면가공방법 및 장치 | |
US6143127A (en) | Carrier head with a retaining ring for a chemical mechanical polishing system | |
KR970018240A (ko) | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 | |
US3977130A (en) | Removal-compensating polishing apparatus | |
KR100310879B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마용 이면 패드 | |
TW351690B (en) | Apparatus for grinding wafer | |
US5985090A (en) | Polishing cloth and polishing apparatus having such polishing cloth | |
JPH1177515A (ja) | 平面研磨装置及び研磨装置に用いる研磨布 | |
JPH01268032A (ja) | ウエハ研磨方法および装置 | |
US6379228B2 (en) | Polishing machine having a plurality of abrasive pads | |
JPH10315104A (ja) | 板ガラスの多頭型研磨装置 | |
KR980000777A (ko) | 건식 다이아몬드 연마장치 | |
KR19980084298A (ko) | 화학기계적 연마장치의 연마패드 | |
JPH1058316A (ja) | 半導体基板の研磨装置及び研磨方法 | |
JPH10128658A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP2000263419A (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ製造方法 | |
JPH10128659A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
KR20010002502A (ko) | 화학적 기계적 폴리싱 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |