KR970013019A - 자체세척 이온빔 중화장치 및 그 내부 표면에 달라붙은 오염물질 세척방법 - Google Patents
자체세척 이온빔 중화장치 및 그 내부 표면에 달라붙은 오염물질 세척방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970013019A KR970013019A KR1019960035981A KR19960035981A KR970013019A KR 970013019 A KR970013019 A KR 970013019A KR 1019960035981 A KR1019960035981 A KR 1019960035981A KR 19960035981 A KR19960035981 A KR 19960035981A KR 970013019 A KR970013019 A KR 970013019A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion beam
- cleaning
- contaminants
- self
- neutralizer
- Prior art date
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 title claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims 16
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 title 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 title 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract 14
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims abstract 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
방법 및 장치는 이온빔 주입기(10)의 이온빔 중화(48)장치 및 이온주입장치(18)의 내부표면에 달라붙은 오염 물질을 제거하기 위해 구비된다. 오염물질이 플라즈마 글로우 방전을 사용해서 중화장치 및 주입장치로부터 제거된다.
오염물질이 이온빔(16)을 확장시킴으로써 중화장치로부터 또한 제거된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온빔 중화장치 및 이온주입 체임버를 포함하는 이온빔 주입기를 부분 단면으로 도시한 상면도.
Claims (16)
- 자체세척 이온빔 중화장치(46)에 있어서, 이온빔 주입시스템(10)의 지지체구조(64)로부터 뻗어 있는 오목한 몸체(60)와, 저 에너지 2차 전자를 발생시키기 위해 상기 오목한 몸체(60)의 내부벽에 고 에너지전자를 방출하거나 상기 몸체의 내부에서 플로즈마로부터 저 에너지 전자를 배출하는 전자방출수단(144)과, 상기 오목한 몸체로부터 인접하고 전기적으로 격리된 기다랗고 오목한 몸체(62)와, 상기 몸체 및 상기 기다란 부재로 부터 오염물질을 세척하기 위해 플라즈마 글로우 방전을 발생시키는 세척수단(180, 144, 64, 82, 84, 90, 98)을 구비하는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제1항에 있어서, 상기 세척수단이 반응개스를 상기 중화장치로 공급하는 장치(180)를 포함하는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제2항에 있어서, 제1전기적 바이어스를 상기 몸체 또는 상기 기다란 부재중 하나에 그리고 제2의 높은 전기적 바이어스를 다른 것에 인가하는 바이어싱수단(82, 84, 90, 98)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제3항에 있어서, 상기 세척수단은 상기 전자방출수단(144)을 더 구비하여, 그것이 글로우 방전을 시작하기 위해 동작되는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제4항에 있어서, 상기 세척수단이 중화장치로부터 오염물질을 펌핑하는 펌프(28)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제1항에 있어서, 접지된 지지체 플랜지(64)를 더 구비하여 몸체가 접지된 지지체 플랜지(64)에 연결되고, 그 플랜지가 지지체 구조에 설치되는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 제1항에 있어서, 상기 오목한 몸체(58)로부터 인접하고 전기적으로 격리된 제1개구한정부재(160)와, 상기 제1개구한정부재로부터 인접하고 전기적으로 격리된 제2개구한정부재를 더 구비하며, 거기에서 상기 세척수단이 상기 제1 및 제2개구한정부재를 세척하기 위해 적용되는 것을 특징으로 하는 자체세척 이온빔 중화장치.
- 이온빔 중화장치(46)의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법에 있어서, 서로 전기적으로 격리되는 적어도 2개의 부속품(160, 58, 60, 62)을 갖는 중화장치에 반응개스를 공급하는 단계와, 네가티브 전기 바이어스를 상기 부속품중 적어도 하나에 인가하는 단계와, 거기에 인가된 네가티브 바이어스를 갖지 않는 상기 부속품중 적어도 하나를 접지시키는 단계와, 상기 부속품으로부터 오염물질을 제거하기 위해 중화장치(46)에서 플라즈마 글로우 방전을 발생시키는 단계와, 상기 중화장치로부터 오염물질을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제8항에 있어서, 반응개스가 수소, 불소, 및 산소로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 개스인 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제8항에 있어서, 정상이온 주입압력 이상으로 하기 위해 중화장치의 압력을 조절하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제8항에 있어서, 글로우 방전을 시작하기 위해 전자소스(144)를 제공하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제8항에 있어서, 상기 개스가 오염물질과 반응해서 휘발성 종류의 오염물질을 발생시키고, 상기 휘발성 종류가 중화장치로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제8항에 있어서, 이온을 소스물질로부터 배출시키고 궤적을 따라 진공영역을 통해 빔경로를 이온주입체임버(20)에 횡단시키는 이온빔(16)으로 이온을 형성하는 단계와, 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질과 접촉하는 중화장치(46)에서 이온빔을 확장하는 단계와, 오염물질을 중화장치로부터 제거하는 단계를 부가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제13항에 있어서, 이온빔이 빔 에너지를 조절하고 중화장치의 개구부재(58)를 동작시킴으로써 중화장치에서 확장되는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제14항에 있어서, 이온빔의 에너지가 5 내지 10킬로-전자볼트 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.
- 제13항에 있어서, 소스물질이 휘발성 종류의 오염물질을 형성하기 위해 선택되는 것을 특징으로 하는 이온빔 중화장치의 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/519,708 | 1995-08-28 | ||
US8/519,708 | 1995-08-28 | ||
US08/519,708 US5633506A (en) | 1995-07-17 | 1995-08-28 | Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970013019A true KR970013019A (ko) | 1997-03-29 |
KR100292084B1 KR100292084B1 (ko) | 2001-06-01 |
Family
ID=24069431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960035981A KR100292084B1 (ko) | 1995-08-28 | 1996-08-28 | 자체세척 이온빔 중화장치 및 그 내부표면에 달라붙은 오염물질 세척방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5633506A (ko) |
EP (1) | EP0762469B1 (ko) |
JP (1) | JP4013083B2 (ko) |
KR (1) | KR100292084B1 (ko) |
CN (1) | CN1097301C (ko) |
CA (1) | CA2181076C (ko) |
DE (1) | DE69626732T2 (ko) |
TW (1) | TW317639B (ko) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2325561B (en) * | 1997-05-20 | 2001-10-17 | Applied Materials Inc | Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates |
JP4088362B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2008-05-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入装置のクリーニング方法 |
US6135128A (en) * | 1998-03-27 | 2000-10-24 | Eaton Corporation | Method for in-process cleaning of an ion source |
US5959305A (en) * | 1998-06-19 | 1999-09-28 | Eaton Corporation | Method and apparatus for monitoring charge neutralization operation |
US6259105B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter |
US6221169B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter |
EP1145274A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-10-17 | Philips Electron Optics B.V. | Particle optical apparatus |
JP4820038B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2011-11-24 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
US7838842B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
US6559462B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-05-06 | International Business Machines Corporation | Method to reduce downtime while implanting GeF4 |
US6576909B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-06-10 | International Business Machines Corp. | Ion generation chamber |
US7026611B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-04-11 | Battelle Energy Alliance, Llc | Analytical instruments, ionization sources, and ionization methods |
JP4374487B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-12-02 | 株式会社Sen | イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法 |
US20080073559A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-03-27 | Horsky Thomas N | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
US20080223409A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-18 | Horsky Thomas N | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation |
CN1894763B (zh) * | 2003-12-12 | 2010-12-08 | 山米奎普公司 | 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置 |
US7078710B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-07-18 | International Business Machines Corporation | Ion beam system |
US7078689B1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-07-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Integrated electron beam and contaminant removal system |
US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
US7173260B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-02-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter |
US6992311B1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter |
US20070278417A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-06 | Horsky Thomas N | Ion implantation ion source, system and method |
US8092641B1 (en) * | 2005-08-08 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for removing organic residue from a charged particle beam system |
JP2007225363A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Hitachi Ltd | 磁気試料検査装置 |
JP2010503977A (ja) | 2006-04-26 | 2010-02-04 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体処理システムの洗浄方法 |
US20090014644A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Inficon, Inc. | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring |
WO2009039382A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Semequip. Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
JP2011512015A (ja) | 2008-02-11 | 2011-04-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体処理システムにおけるイオン源の洗浄 |
US8003956B2 (en) * | 2008-10-03 | 2011-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
JP5390330B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2014-01-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置およびそのクリーニング方法 |
US8604418B2 (en) * | 2010-04-06 | 2013-12-10 | Axcelis Technologies, Inc. | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
CN105097460A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种解决离子注入机路径污染的方法 |
US10522330B2 (en) | 2015-06-12 | 2019-12-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ plasma cleaning of process chamber components |
CN105097398A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-25 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
US20170092473A1 (en) * | 2015-09-28 | 2017-03-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ plasma cleaning of process chamber electrostatic elements having varied geometries |
WO2017117053A1 (en) * | 2015-12-27 | 2017-07-06 | Entegris, Inc. | Improving ion implant plasma flood gun (prg) performance by using trace insitu cleaning gas in sputtering gas mixture |
EP3285278A1 (en) * | 2016-08-16 | 2018-02-21 | FEI Company | Magnet used with a plasma cleaner |
US10730082B2 (en) * | 2016-10-26 | 2020-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for differential in situ cleaning |
US10410844B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-09-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | RF clean system for electrostatic elements |
TWI795448B (zh) * | 2017-10-09 | 2023-03-11 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 用於在角能量過濾器區域中穩定或移除射束線組件上所形成之膜的離子植入系統及方法 |
CN111069188B (zh) * | 2018-10-18 | 2021-09-14 | 汉辰科技股份有限公司 | 离子布植机内部的氟化表面的清理 |
TWI843829B (zh) | 2019-03-25 | 2024-06-01 | 日商亞多納富有限公司 | 氣體分析裝置、其控制方法及其控制程序 |
CN113529041B (zh) * | 2021-07-13 | 2023-03-14 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
WO1984003798A1 (en) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reactive ion etching apparatus |
US4665315A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-12 | Control Data Corporation | Method and apparatus for in-situ plasma cleaning of electron beam optical systems |
US4693760A (en) * | 1986-05-12 | 1987-09-15 | Spire Corporation | Ion implanation of titanium workpieces without surface discoloration |
KR900005118B1 (ko) * | 1986-07-14 | 1990-07-19 | 미쓰비시전기주식회사 | 박막 형성장치 |
US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
JPS6410563A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Sumitomo Eaton Nova | Electric charging suppressor of ion implanter |
JP2717822B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1998-02-25 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
US4987933A (en) * | 1989-03-03 | 1991-01-29 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination |
JP3381916B2 (ja) * | 1990-01-04 | 2003-03-04 | マトソン テクノロジー,インコーポレイテッド | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 |
US5466942A (en) * | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
US5164599A (en) * | 1991-07-19 | 1992-11-17 | Eaton Corporation | Ion beam neutralization means generating diffuse secondary emission electron shower |
US5308989A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-03 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter |
EP0648861A1 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus |
US5427621A (en) * | 1993-10-29 | 1995-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method for removing particulate contaminants by magnetic field spiking |
US5554854A (en) * | 1995-07-17 | 1996-09-10 | Eaton Corporation | In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter |
-
1995
- 1995-08-28 US US08/519,708 patent/US5633506A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-11 CA CA002181076A patent/CA2181076C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-16 TW TW085108596A patent/TW317639B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-08-15 EP EP96305963A patent/EP0762469B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-15 DE DE69626732T patent/DE69626732T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-28 KR KR1019960035981A patent/KR100292084B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-28 CN CN96109322A patent/CN1097301C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-28 JP JP22652996A patent/JP4013083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100292084B1 (ko) | 2001-06-01 |
CA2181076C (en) | 2002-06-25 |
EP0762469B1 (en) | 2003-03-19 |
TW317639B (ko) | 1997-10-11 |
DE69626732T2 (de) | 2004-02-05 |
CN1147690A (zh) | 1997-04-16 |
CA2181076A1 (en) | 1997-03-01 |
DE69626732D1 (de) | 2003-04-24 |
CN1097301C (zh) | 2002-12-25 |
US5633506A (en) | 1997-05-27 |
EP0762469A1 (en) | 1997-03-12 |
JP4013083B2 (ja) | 2007-11-28 |
JPH09129172A (ja) | 1997-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970013019A (ko) | 자체세척 이온빔 중화장치 및 그 내부 표면에 달라붙은 오염물질 세척방법 | |
US5818040A (en) | Neutral particle beam irradiation apparatus | |
KR940027108A (ko) | 플라즈마 이머슨 이온 주입 장치 및 방법 | |
WO2006063035A3 (en) | Plasma ion implantation system with axial electrostatic confinement | |
EP0474108A1 (en) | Ion implantation apparatus and method of cleaning the same | |
CA2229170A1 (en) | Laser plasma x-ray source, semiconductor lithography apparatus using the same and a method thereof | |
WO2000008670A3 (en) | Dose monitor for plasma-monitor ion implantation doping system | |
KR910010674A (ko) | 타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 | |
EP0885981A3 (de) | Verfahren und Anlage zum Behandeln von Substraten mittels Ionen aus einer Niedervoltbogenentladung | |
KR19980087173A (ko) | 진공펌프용 이중벽 배기관 구조 | |
KR950004460A (ko) | 제한된 플라즈마 지원 화학 에칭에 유용한 전극 어셈블리 | |
JP2007529877A (ja) | 高電流ガスクラスターイオンビーム処理システムにおけるビーム安定性向上方法及び装置 | |
KR100251517B1 (ko) | 광폭 빔 선속밀도 제어장치 및 방법 | |
US5138169A (en) | Method and apparatus for irradiating low-energy electrons | |
EP0531949A2 (en) | Fast atom beam source | |
JP2006236772A (ja) | 中性粒子ビーム源および中性粒子ビーム処理装置 | |
JP2001148340A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
TWI277121B (en) | Ion implantation system and methods utilizing a downstream gas source | |
US20030234372A1 (en) | Ion source of an ion implantation apparatus | |
KR970073239A (ko) | 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 소재의 표면 개질 방법 및 그 장치(Method for Modifying a Surface of Polymeric Material Using Plasma Source Ion Implantation and Apparatus Therefor) | |
RU2035789C1 (ru) | Способ получения пучка ускоренных частиц в технологической вакуумной камере | |
KR100234902B1 (ko) | 2차전위에 의한 방전을 제거한 플라즈마 처리장치 | |
KR100242995B1 (ko) | 이온 주입장비의 이온 생성장치 | |
JP2654769B2 (ja) | イオン注入装置 | |
KR940006216A (ko) | 드라이에칭법 및 드라이에칭장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140227 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |