KR970003750A - 반도체의 생산 방법 및 그 제조설비 - Google Patents

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Abstract

반도체의 생산방법 및 그 제조설비에 관한 것으로, 검사장치가 커지고 이물검사 시간이 길어진다는 문제점을 해소하기 위해 기판에 대하여 처리를 실행하는 처리장치를 다수 구비하여 구성한 반도체 제조설비로서, 기판상에서 발생하는 이물의 발생 상태를 처리장치중 특정의 처리장치의 내부 또는 처리장치중 다수의 특정의 처리장치의 사이에서 검출하고, 검출한 정보에 따라서 반도체 제조설비의 처리장치의 상태를 감시하면서 기판을 처리하여 반도체를 생산하고, 또한 기판에 대하여 처리를 실행하는 처리장치를 다수 구비하여 구성한 반도체의 제조설비로서, 처리장치중 특정의 처리장치의 내부에서 기판상에 발생하는 이물의 발생상태를 검출하는 특정의 처리장치의 내부에 마련된 검출수단, 검출수단에서 검출한 이물의 발생 상태의 검출 결과에 따라서 반도체의 제조설비의 처리장치의 상태를 감시하는 감시수단을 마련한다.
이것에 의해, 이물의 발생에 의한 대량의 불량품의 발생을 미연에 방지하여 제조효율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체의 생산 방법 및 그 제조설비
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조공정의 양산 개시 및 양산라인의 이물 검사 방법 및 장치의 구성블럭도.

Claims (10)

  1. 기판에 대해서 처리를 실시하기 전에 상기 기판을 광학적으로 검사해서 상기 기판상의 이물의 상태를 검출하고, 이 이물의 상태를 검출한 상기 기판을 기판처리장치에서 처리하고, 이 처리한 기판을 재차 광학적으로 검사해서 상기 기판상의 이물의 상태를 검출하고, 상기 처리전에 검출한 상기 기판상의 이물의 상태와 상기 처리후에 검출한 상기 기판상의 이물의 상태에 따라서 상기 기판처리장치의 이물발생상태를 감시하면서 반도체 장치를 생산하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 생산방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리전의 기판상의 이물의 상태의 검출과 상기 처리후의 기판상의 이물의 상태의 검출을 상기 기판을 처리하는 처리장치의 내부에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 생산방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판처리장치의 이상의 발생상태의 감시를 여러개의 기판처리장치를 구비해서 구성하는 반도체제조설비중의 적어도 1개의 기판처리장치에 있어서 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 생산방법.
  4. 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리수단을 여러개 구비한 반도체장치제조라인에 의해 반도체장치를 생산하는 반도체장치의 생산방법으로서, 상기 여러개의 처리수단중의 적어도 1개의 처리수단에 있어서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 상기 적어도 1개의 처리수단의 처리실과 이 처리실에서 소정의 처리를 실시한 상기 기판을 수납하는 카세트 사이에서 상기 처리실에서 상기 소정의 처리가 실시된 상기 기판상의 이물을 검출하고, 이 검출한 결과에 따라서 상기 반도체제조라인중에서의 이물의 발생상황을 감시하면서 상기 반도체장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 생산방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판상의 이물을 이 이물의 발생위치와 함께 검출하고, 이 검출한 이물의 발생량과 발생위치의 데이타에 따라서 상기 처리실을 관리하면서 상기 반도체장치를 생산하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 생산방법.
  6. 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리수단을 여러개 구비한 반도체장치제조라인에 의해 반도체장치를 생산하는 반도체장치의 생산방법으로서, 상기 여러개의 처리수단중의 적어도 1개의 처리수단에 있어서 처리를 실시한 상기 기판을 상기 적어도 1개의 처리수단에 있어서의 처리다음의 처리를 실시하는 제2처리수단으로 소정의 반송경로를 따라서 반송하는 도중에 상기 기판상의 이물을 이 이물의 발생위치와 함께 검출하고, 이 검출한 이물과 이 이물의 발생위치데이타에 따라서 상기 반도체제조라인을 관리하면서 반도체장치를 생산하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 생산방법.
  7. 기판에 대해서 처리를 실시하기 전에 상기 기판을 광학적으로 검사해서 상기 기판상의 이물의 상태를 검출하는 제1이물검출수단, 이 이물의 상태를 검출한 상기 기판을 처리하는 기판처리장치, 이 처리장치에서 처리한 상기 기판을 광학적으로 검사해서 상기 기판상의 이물의 상태를 검출하는 제2이물검출수단, 상기 제1이물검출수단에 의해 검출한 결과와 상기 제2이물검출수단에 의해 검출하 결과에 따라서 상기 기판처리장치의 이물발생상태를 감시하는 감시수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조설비.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1이물검출수단과 상기 제2이물검출수단을 상기 기판처리장치의 내부에 마련한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조설비.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 감시수단에 의한 상기 기판처리장치의 이상의 발생상태의 감시를 여러개의 기판처리장치를 구비해서 구성하는 반도체장치의 제조설비중의 적어도 1개의 기판처리장치에 있어서 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조설비.
  10. 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판처리수단, 이 처리수단에서 처리한 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판 표면의 소정 영역에 조명광을 비스듬한 방향에서 조사주사하고 그 반사광을 상기 기판에 대해 수직방향에서 수광하는 것에 의해 상기 기판상의 이물과 이 이물의 발생위치를 검출하는 이물검출수단 및 상기 이물검출수단에 의해 검출한 결과에 따라서 상기 기판처리수단의 이물발생상태를 감지하는 감시수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조설비.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR102544673B1 (ko) * 2020-10-29 2023-06-20 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101138041B1 (ko) * 2009-09-30 2012-04-23 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 인라인 기판 검사 장치의 광학 시스템 교정 방법 및 인라인 기판 검사 장치

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