KR960002535A - 반도체장치의 제조방법 및 장치 - Google Patents
반도체장치의 제조방법 및 장치 Download PDFInfo
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Abstract
이송의 시간과 노력을 생략할 수 있고, 부착이물수를 예측할 수 있으며, 진공처리 전반에 사용할 수 있는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
진고의 처리실(11)중에 부유하고 있는 먼지수를 계측하는 먼지계측장치(50)와, 먼지계측장치(50)에서 계측된 먼지수를 처리실(11)중에 부유하고 있는 먼지수와 이처리실(11)에서 치리된 웨이퍼(1)에 부착한 이물수와의 상관관계로 조합하는 것에 의해 처리실(11)중에서 처리되는 웨이퍼(1)의 이물부착수를 예측하는 데이터 처리장치(70)를 구비하고 있다.
계측된 먼지수가 부유먼지수-웨이퍼부착 이물수의 상관관계로 조합되어 처리후의 웨이퍼의 이물부착수가 예측된다. 예측된 값이 기준치 이상인 경우에 처리실이 처리를 중지해서 점검, 청소할 수 있다. 또한, 처리가 끝난 웨이퍼의 다음 공정 이후로의 투입을 정지하는 등이 대책을 신속하게 강구할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예인 감압 CVD 장치를 나타내는 모식도이고,
제5도는 본 발명의 한 실시예인 IC의 제조방법에 포함된 감압 CVD 고정을 나타내는 플로우도이고.
Claims (13)
- 진공실중에서 웨이퍼 처리를 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 진공실중에 부유하고 있는 먼지의 수와, 상기 진공실중에서 처리된 상기 웨이퍼상에 부착된 이물의 수와의 상관관계를 미리 구하는 단계와, 상기 진공실중에 부유하고 있는 실제로 계측된 먼지수를 상기 진공신중의 상기 부유먼지수와 상기 웨이퍼 표면의 부착이물의 수와의 상관관계를 대조하는 단계와를 구비하고, 상기 진공실중에서 처리되는 대상 웨이퍼 상에 부착되는 이물의 수가 예측되게 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼상에 부착되리라고 예측한 이물의 수를 미리 설정된 기준치와 비교하는 단계와, 상기 예측한 이물의 수가 기준치 이상인 경우에는 상기 대상 웨이퍼의 그 이후의 처리를 중지하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼상에 부착되리라고 예측한 이물의 수를 상기 대상 웨이퍼상에 부착되어 실제로 계측된 이물의 수와 비교하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼상에 부착된 이물의 수가 상기 진공실의 및 상기 진공실내의 어느곳에서 계측하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 진공실중에서 웨이퍼의 처리가 행하여지는 반도체장치의 제조장치에서, 상기 진공실중에 부유하고 있는 먼지의 수를 계측하는 먼지계측장치와, 상기 먼지계측장치에 의하여 계측한 먼지수를 상기 진공실중에 부유하고 있는 먼지수와 상기 진공중에서 처리된 상기 웨이퍼에 부착한 이물의 수와의 미리 설정한 상관관계와 대조하므로서, 상기 진공실중에서 처리되는 대상 웨이퍼 상에 부착되는 이물의 수를 예측하는 데이터 처리장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방치.
- 제5항에 있어서, 상기 데이터처리장치는 예측한 상기 대상 웨이퍼상에 부착된 이물의 수를 미리 설정한 기준치와 비교하여, 상기 예측치가 상기 기중치 이상인 경우에는 상기 대상 웨이퍼의 후속 처리를 중지시키는 지령을 발생하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
- 제5항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼상에 부착된 이물의 수를 상기 진공실외와 상기 진공실내에서 어느곳에서 계측하기 위한 이물 계측장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조장치.
- 제7항에 있어서, 상기 데이터처리장치는 상기 대상 웨이퍼상에 부착되리라고 예측한 이물의 수를 상기 대상 웨이퍼상에 부착되어 실제로 계측된 이물의 수와 비교하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방치.
- (a) 반도체집적회로를 제조하기 위해 제1웨이퍼의 적어도 한쪽의 주면에 제1처리를 행하도록 상기 제1웨이퍼를 제1처리실에 도입하는 단계와, (b) 상기 제1처리실의 공기중의 이물을 모니터하는 단계와, (c) 상기 모니터한 결과에 의거하여, 상기 제1처리가 완료한 제1웨이퍼에 제2처리를 행하는지 않는지에 관한 하나의 결정과, 반도체집적회로를 제조하기 위해 제2웨이퍼의 적어도 한쪽의 주면에 상기 제1처리를 행하기 위하여 상기 제2웨이퍼를 상기 제1처리실에 도입하는지 않는지에 관한 다른 또 하나의 결정중 어느 하나의 결정을 행하는 단계를 구비하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 반도체 집적회로장치의 제조방법은, (d) 상기 단계(a)의 이전에, 상기 제1웨이퍼의 상기 하나의 주면상에 부착된 이물을 검출하는 단계와, (e) 상기 단계(a)의 이전의 상기 검출결과에 의거하여, 상기 제1웨이퍼를 상기 제1처리실을 도입하는지 않는지를 결정하는 단계를 더 구비한 반도체 집적회로장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 반도체집적회로장치의 제조방법은, (f) 상기 단계 (a)의 후에 상기 제1웨이퍼의 상기 하나의 주면상에 부착된 이물을 검출하는 단계와, (g) 상기 단계 (a)후의 상기 검출결과에 의거하여, 상기 제1웨이퍼에 상기 제2처리를 받게 하는지 않는지를 결정하는 단계를 더 구비한 반도체 집적회로장치의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 반도체집적회로장치의 제조방법에 있어서, 상기 단계(g)는 부가적으로 상기 공기중의 이물의 상기 모니터결과를 참조하여 행하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 반도체집적회로장치의 제조방법은, (d) 상기 단계 (a)의 이전에 상기 제1웨이퍼의 상기 하나의 주면상의 부착된 이물을 검출하는 단계와, (e) 상기 단계 (a)이전의 상기 검출결과에 의거하여, 상기 제1웨이퍼를 상기 제1처리실에 도입하는지 않는지를 결정하는 단계를 더 구비하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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