KR970003584A - Cleaning Method of Semiconductor Substrate - Google Patents

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KR970003584A
KR970003584A KR1019950019082A KR19950019082A KR970003584A KR 970003584 A KR970003584 A KR 970003584A KR 1019950019082 A KR1019950019082 A KR 1019950019082A KR 19950019082 A KR19950019082 A KR 19950019082A KR 970003584 A KR970003584 A KR 970003584A
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KR1019950019082A
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윤용혁
이병석
정의상
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 오존을 첨가한 황산/과산화수소 혼합액을 이용하여 상기 반도체 기판상의 오염물질을 제거하는 제1단계; 상기 반도체 기판상에 잔존하는 케미칼을 제거하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것으로, 반도체 기판상의 오염물질 제거율을 향상시켜 소자의 전기적 특성 및 제조수율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention includes a first step of removing contaminants on the semiconductor substrate using a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixed solution added with ozone; A method of cleaning a semiconductor substrate, the method comprising: removing a chemical remaining on the semiconductor substrate; and improving the removal rate of contaminants on the semiconductor substrate, thereby improving the electrical characteristics and manufacturing yield of the device. It would be.

Description

반도체 기판의 세정방법Cleaning Method of Semiconductor Substrate

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

Claims (11)

반도체 기판의 세정방법에 있어서, 오존을 첨가한 황산/과산화수소 혼합액을 이용하여 상기 반도체 기판상의 오염물질을 제거하는 제1단계; 상기 반도체 기판상에 잔존하는 케미칼을 제거하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.CLAIMS 1. A method for cleaning a semiconductor substrate, comprising: a first step of removing contaminants on the semiconductor substrate using an ozone-added sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture; And a second step of removing the chemical remaining on the semiconductor substrate. 제1항에 있어서, 상기 제2단계 수행후, 폴리머 및 잔사를 제거하기 위해 상기 반도체 기판의 표면을 일부 식각하는 제3단계 순수를 이용하여 상기 반도체 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 제4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 1, wherein after performing the second step, a third step of partially etching the surface of the semiconductor substrate to remove polymers and residues, and using the pure water to remove chemicals remaining on the semiconductor substrate. Cleaning method of a semiconductor substrate further comprising. 제2항에 있어서, 상기 제4단계는 순수에 오존을 더 첨가하여 상기 반도체 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 2, wherein in the fourth step, ozone is further added to pure water to remove chemicals remaining on the semiconductor substrate. 제1항에 있어서, 상기 제2단계 수행후, 상기 제1단계 및 제2단계를 적어도 한번 더 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 1, wherein after performing the second step, the first and second steps are repeated at least once more. 제4항에 있어서, 상기 제1단계 및 제2단계를 적어도 한번 더 반복 수행한 후, 폴리머 및 잔사를 제거하기 위해 상기 반도체 기판의 표면을 일부 식각하는 제3단계; 순수를 사용하여 상기 반도체 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 제4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 4, further comprising: after performing the first and second steps at least once more, partially etching the surface of the semiconductor substrate to remove polymers and residues; And a fourth step of removing chemical remaining on the semiconductor substrate using pure water. 제5항에 있어서, 상기 제4단계는 순수에 오존을 더 첨가하여 상기 반도체 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.6. The method of claim 5, wherein in the fourth step, ozone is further added to pure water to remove chemicals remaining on the semiconductor substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 황산/과산화수소 혼합액에 첨가되는 오존은 시간경과에 따른 양의 감소를 방지하기 위해 일정하게 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of cleaning a semiconductor substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein ozone added to the sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture is constantly supplied to prevent a decrease in the amount over time. 제3항 또는 제6항에 있어서, 상기 순수에 첨가되는 오존은 시간경과에 따른 양의 감소를 방지하기 위해 일정하게 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of cleaning a semiconductor substrate according to claim 3 or 6, wherein the ozone added to the pure water is constantly supplied to prevent a decrease in the amount over time. 제7항에 있어서, 상기 황산/과산화수소 혼합액의 온도는 100 내지 150℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.8. The method of claim 7, wherein the temperature of the sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture is set to 100 to 150 [deg.] C. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면을 일부 식각하기 위한 식각제는 불산용액 또는 BOE 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method according to any one of claims 2 to 6, wherein the etchant for partially etching the surface of the semiconductor substrate is any one of hydrofluoric acid solution and BOE. 제2항에 있어서, 상기 식각제의 온도는 상온 내지 35℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 2, wherein the temperature of the etchant is set at room temperature to 35 ° C. 4. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499629B1 (en) * 2002-07-16 2005-07-05 주식회사 하이닉스반도체 Manufacturing Method of Semiconductor Device

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