KR960701833A - 아실옥시벤젠술폰산 또는 그 염의 제조법(process for producing acyloxybenzenesulfonic acid or salt thereof) - Google Patents

아실옥시벤젠술폰산 또는 그 염의 제조법(process for producing acyloxybenzenesulfonic acid or salt thereof)

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KR960701833A
KR960701833A KR1019950704322A KR19950704322A KR960701833A KR 960701833 A KR960701833 A KR 960701833A KR 1019950704322 A KR1019950704322 A KR 1019950704322A KR 19950704322 A KR19950704322 A KR 19950704322A KR 960701833 A KR960701833 A KR 960701833A
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가츠히사 이노우에
히로시 단조
고시로 소토야
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도키와 후미가츠
가오 가부시키가이샤
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Abstract

아실옥시벤젠(1)을 술폰화하고, 대응하는 아실옥시벤젠술폰산 또는 그 염을 제조함에 있어서, 첨가제로서 카르복실산 또는 그 에스테르(2), 알킬인산에스테르(3), 폴리 인산(4), 아미드등화합물(6), 탄산에스테르화합물(7), 히드록시화합물(8)에서 선택되는 적어도 1종을 첨가하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조방법.
이 방법에 의해 아실옥시벤젠술폰산을 종래에 비하여 고수율, 고선택성으로 더욱이 양호한 색상으로 또한 염가로 공업적으로 제조할 수 있다.

Description

아실옥시벤젠술폰산 또는 그의 염의 제조법(PROCESS FOR PRODUCING ACYLOXYBENZENESULFONIC ACID OR SALT THEREOF)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (29)

  1. 일반식(1)
    (식중, R1: 총탄소수 1∼35의 할로겐으로 치환되어 있어도 무방하며, 또 에스테르기, 에테르기, 아미드기 또는 페닐렌기가 삽입되어 있어도 무방한 직쇄 또는 분기의 알킬기 또는 알케닐기 또는 페닐기를 나타낸다.
    R2: 탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분기의 알킬기, 메톡시기 또는 에톡시기를 나타낸다.
    n:0∼2의 수로 n=2의 경우는 2개의 R2는 동일하거나 상이하여도 무방하다.)로 표시되는 아실옥시벤젠(1)을 술폰화제로 술폰화하여, 일반식(5)
    (식중, Rl, R2및 n은 상기의 뜻을 나타낸다)로 표시되는 아실옥시벤젠술폰산을 제조함에 있어서, 일반식(2)
    (식중, R3: H 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타낸다.
    R4: 총탄소수 2∼35의 할로겐, 술폰산기, 카르복실기, 수산기 또는 페닐기로 임의로 치환되어 있어도 무방하고, 또 에스테르기, 에테르기, 아미드기 또는 페닐렌기가 삽입되어 있어도 무방한 직쇄 또는 분기의 알킬기 또는 알케닐기 또는 무치환 또는 카르복실기 또는 알킬기로 치환되어 있어도 무방한 페닐기를 나타낸다.)로 표시되는 카르복실산 또는 그 에스테르(2), 일반식(3)
    (식중, R5: 탄소수 1∼22의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 나타낸다.
    R6: 수소원자 또는 탄소수 1∼22의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 나타내며. R5와 동일하거나 상이하여도 무방하다.)로 표시되는 알킬인산에스테르(3), 일반식(4)
    (식중, m은 인산의 평균축합도를 나타내며, 0〈m10의 수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리인산(4), 분자내에 일반식(6)
    (식중, X:산소원자 또는 유황원자를 나타낸다.)로 표시되는 관능기 또는 결합을 가지는 아미드등 화합물(6), 일반식(7)
    로 표시되는 관능기를 가진 탄산에스테르화합물(7) 및 일반식(8)
    -OH (8)
    로 표시되는 히드록실 화합물(8)에서 선택되는 적어도 1중이상의 첨가제를, 단 화합물(6)은 술폰화제를 첨가한후에 화합물(1)에 대하여 (2)에서 (7)을 2.∼200모％, (8)을 1몰％∼100몰％ 첨가하는 것을 특징으로 하는 상기 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  2. 제1항에 있어서, 술폰화제가 SO3인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서 R1이 탄소수 5∼18의 할로겐으로 치환되어 있어도 무방 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  4. 제1항에 있어서, 반응계에 실질적으로 물이 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  5. 제1항에 있어서, 첨가제가, 일반식(2)에 있어서, R3가 H, R4가 총탄소수 5∼35의 할로겐으로 치환되어 있어도 무방하고, 또 에스테르기, 에테르기 또는 아미드기와 삽입되어 있어도 무방한 직쇄 또는 분기의 알킬기인 카르복실산인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  6. 제1항에 있어서, 첨가제가, 일반식(2)에 있어서 R3가 H, R4가 일반식(1)로 표시되는 아실옥시벤젠중의 R1에 동등한 기인 카르복실산인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  7. 제6항에 있어서, 일반식(1)중의 R1및 일반식(2)중의 R4가 탄소수11의 알킬기이며, 일반식(2)중의 R3가 H인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  8. 제1항에 있어서, 첨가제가, 일반식(3)에 있어서 R5가 탄소수 8∼14의 직쇄 또는 분기의 알킬기, R6가 수소원자인 알킬인산에스테르인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  9. 제1항에 있어서, 첨가제가 일반식(4)로 표시되는 폴리인산이며, 그 수분량이 일반식(1)으로 표시되는 아실옥시벤젠에 대하여 5몰％ 이하인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  10. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 술폰화제에 의한 술폰화를 박막식 술폰화 장치를 사용하여 행하고, 상기 일반식(2)로 표시되는 카르복실산 또는 그 에스테르, 일반식(3)으로 표시되는 알킬인산에스테르 및 상기 일반식(4)로 표시되는 폴리인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종이상의 첨가제의 적어도 일부를 상기 술폰화 처리후에 첨가하고, 숙성하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  11. 제10항에 있어서, 술폰화 처리후에 첨가하는 첨가제의 양이 일반식(1)으로 표시되는 아실옥시벤젠에 대하여 2.5∼200몰％인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  12. 제1항에 있어서, 첨가제(2), (3) 및 (4)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  13. 제12항에 있어서, 식(1)의 R1은 1에서 21의 탄소를 가지며, 식(2)의 R4는 총탄소수 2∼21의 할로겐, 카르복실기, 수산기 또는 페닐기로 임의로 치환되어 있어도 무방하며, 또, 에스테르기, 에테르기, 아미드기 또는 페닐렌기가 삽입되어 있어도 무방한 직쇄 또는 분기의 알킬기 또는 알케닐기, 또는 무치환 또는 카르복실기 또는 알킬기로 치환되어 있어도 무방한 페닐기를 나타내는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  14. 제1항에 있어서, 첨가제(6), (7) 및 (8)로 이루어지는 군으로부더 선택된 적어도 1종을 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  15. 제1항에 있어서, 첨가제(2), (6) 및 (8)로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  16. 제1항에 있어서, 첨가제(2)를 술폰화제를 첨가한 후에 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  17. 제1항에 있어서, 첨가제(6)를 술폰화제를 첨가한 후에 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  18. 제17항에 있어서, 첨가제(6)는 요소화합물, 아미드화합물 또는 이미드화합물인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  19. 제1항에 있어서, 첨가제(8)를 술폰화전에 첨가하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  20. 제1항에 있어서, 첨가제(8)가 일반식(9) 또는 (10)
    (각 식중, R2:탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분기의 저급알킬기, 또는 메톡시기, 에톡시기를 나타낸다.
    n:0∼2의 정수를 나타내며, n=2의 경우는 2개의 R2는 동일하거나 상이하여도 무방하다.
    M:수소원자, 알칼리금속, 알칼리토류금속, 암모늄, 치환암모늄 또는 4급 암모늄을 나타낸다.)로 표시되는 페놀 또는 치환페놀인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조방법.
  21. 제1항에 있어서, 첨가제(8)의 R2과 n이 식(1)의 그것들과 동일한 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  22. 제21항에 있어서, 박막식 술폰화 장치를 사용하여 술폰화를 행하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  23. 제1항에 있어서, 2종 이상의 첨가제를 병용하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  24. 제1항에 있어서, (2), (6) 및 (8)에서 선택된 2종 이상의 첨가제를 병용하는 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  25. 제1항에 있어서, 화합물(6)은 비환상모노아미드화합물, 폴리아미드화합물, 환상아미드화합물, 비환상이미드화합물, 폴리이미드화합물, 환상이미드화합물, 비환상모노요소화합물, 폴리요소화합물, 환상요소화합물, 비환상모노티오아미 드화합물, 폴리티오아미드화합물, 환상티오아미드화합물, 비환상티오이미드화합물, 환상티오이미드화합물, 티오요소화합물에서 선택된 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  26. 제1항에 있어서, 화합물(8)은 탄소수 1에서 36의 직쇄 또는 분기된 1가 알코올 또는 2가에서 6가의 다가 알코올인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  27. 제1항에 있어서, 화합물(6)은 아세트아미드, 호박산아미드, N,N′-디아세틸에틸렌디아민, N, N′,N″-트리아세틸 디에틸렌 트리아민, 테트라아세틸글리콜우릴, 요소, 에틸렌요소, 호박산이미드, 프탈산이미드에서 선택된 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  28. 제1항에 있어서, 화합물(8)은 페놀 및 페놀술폰산인 것을 특징으로 하는 아실옥시벤젠술폰산의 제조법.
  29. 제1항에서 얻은, 아실옥시벤젠술폰산을 중화하여 그 술폰산염을 제조하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950704322A 1994-02-10 1995-01-20 아실옥시벤젠술폰산 또는 그 염의 제조법 KR0184295B1 (ko)

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