KR960700515A

KR960700515A - 필드 방사 장치(field-effect emitter device)

Info

Publication number: KR960700515A
Application number: KR1019950702953A
Authority: KR
Inventors: 레오니드 다니로비치 카르포브
Original assignee: 레오니드 다니로비치 카르포브
Priority date: 1993-01-19
Filing date: 1993-12-15
Publication date: 1996-01-20
Also published as: KR100307384B1; US6023126A; EP0681311A1; US5965971A; WO1994017546A1; EP0681311B1; JPH08510588A; EP0681311A4; CA2154245A1; DE69331709D1

Abstract

필드-방사장치는 절연물질로 이루어지는 기판상에 위치하는 양극과 음극의 형태를 취한다. 이 양극은 양극을 향하여 면하는 음극의 에지의 레벨이하인 레벨에 위치한다.

Description

필드 방사 장치(FIELD-EFFECT EMITTER DEVICE)

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따라, 필드방사장치의 가장 간단한 실시예를 도시한 도.

Claims

절연물질의 기판(3)상에 놓인 양극(1)과 음극(2)을 포함하는 필드-방사 장치에 있어서, 양극(1)은 양극(1)으로 향하여 면하는 음극(2)의 에지의 레벨이하의 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제1항에 있어서, 절연물질의 제1층은 양극(1)과 음극(2) 사이에 놓이며 관통 왼도우(6)가 상기 층(5)에 만들어지며, 반면에 양극(1)으로 향하여 면하는 음극(2)의 에지는 에미터로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 필드 방사장치.
제2항에 있어서, 절연층(5)에 만들어지는 윈도우(6)는 기하학적 크기에서 음극(2)에 만들어진 윈도우(6)를 초과하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제2항과 제3항에 있어서, 양극(1)의 표면은 윈도우(6)의 영역에 위치하는 가이드(7)인 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 에미터(4)로서의 역할을 하는 음극(2)의 에지는 톱니인 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제5항에 있어서, 음극(2)의 에지의 인접한 톱니(8)는 갭에 의하여 분리되는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제5항과 제6항에 있어서, 음극(2)의 에지의 각각의 톱니(8)는 부하저항기(9)를 통하여 자체 음극(2)에 접속되는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 음극(2)의 물질과 함께 형성하는 물질의 층(10)인 쇼트키 장벽은 에미터(4)로써 역할을 하는 그 에지의 밀접한 인저부에서 음극(2)의 표면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제2항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 전류전도 물질의 제1층(11)은 양극(1) 주변의 기판(3)과 절연층(5)사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제9항에 있어서, 양극(1)에 밀접하게 위치하는 전류전도 물질의 제1층(11)이 에지는 에미터(4)를 향하여 구부러지는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제8항에 있어서, 절연물질의 제2층(13)은 윈도우(6)의 영역에서 음극(2)의 표면에 인가되고, 전류전도물질의 제2층(14)은 상기 층(13)상에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제11항에 있어서, 윈도우(6)의 영역에 위치하는 전류전도 물질의 제2층(14)이 에지(15)는 에미터(4)를 향하여 구부러지는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제9항과 제10항에 있어서, 절연물질의 제2층(13)은 윈도우(6)의 영역에서 음극(2)의 표면에 인가되고 전류전도물질의 제2층(14)은 상기 층(13)상에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제13항에 있어서, 고 제2방사율을 가지는 물질의 제1층(16)이 양극(1)의 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제14항에 있어서, 인광물질층(17)은 윈도우(6)의 영역에서의 전류전도물질의 제2층(14)의 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제14항에 있어서, 고 제2-방사율을 가지는 물질의 제2층(17′)은 전류전도 물질의 제2층(14)의 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제13, 15 및 16항에 있어서, 전류전도 물질의 제2층(14)의 에지(15)는 에미터(4)를 향하여 구부러지는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제1항 내지 13항과 제17항중 어느 한 항에 있어서, 인광물질충(18)은 양극(1)의 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제18항에 있어서,윈도우(6)의 영역에서의 양극(1)과 기판(3)은 광학적으로 투명한 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제18항에 있어서, 고 발광 반사율을 가지는 물질의 층(20)은 윈도우(6)의 영역에서의 양극(1)이 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제1항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서, 음전기 친화도를 가지는 물질의 층(l9)이 에미터(4)로서 역할을 하는 음극(2)의 에지에 인가되는 것을 특징으로 하는 필드-방사장치.
제2항 내지 제21항중 어느 한 항에 있어서, 윈도우(6)의 영역에서의 기판(3)은 리세스를 가지고, 양극(1)은 상기 리세스에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제2항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서 고온 음극은 윈도우(6)의 인접 부근에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제1항 내지 제13항과 제17항중 어느 한 항에 있어서, 윈도우(6)의 영역에서의 양극(1)은 도전형태가 다른 적어도 2개의 반도체층(21,22)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제2항 내지 제24항중 어느 한 항에 있어서, 양극(1) 및 음극(2)은 절연층(5)에 의하여 상호 교차하며 분리되는 리본과 같은 형상을 하며, 윈도우(6)는 상기 리본의 교차위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제8항 내지 제25항중 어느 한 항에 있어서, 쇼트키 장벽을 형성하는 물질의 층(10)은 양극(1)의 리본에 평행하게 위치하는 리본과 같은 형상인 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제25항에 있어서, 전류전도물질의 층(11,14)은 양극(1)의 리본의 적어도 한 측면상에 위치하는 리본과 같은 형상인 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제25항 내지 제27항중 어느 한 항에 있어서, 서로에 병렬로 배열된 리본으로 이루어지는 복수의 양극(1) 및 서로에 대하여 병렬로 정렬되는 리본으로 이루어지며 어레이를 형성하기 위하여 양극(1)의 리본과 상호교차하는 복수의 음극(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제28항에 있어서, 동일한 리본형의 음극(2)에 속하는 윈도우의 위치에서의 양극(1)의 표면이 발광 방사의 칼라로 인광물질층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제28항에 있어서, 필라멘트 형태의 고온 음극이 어레이 표면상에 제공되며 상기 필라멘트들은 서로에 대하여 평행하고 양극(1)을 따라서 배치되는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.
제30항에 있어서, 리본형의 양극(1)과 리본형의 음극(2)의 주변을 따라서 위치하는 필드 방사 전자스위치(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드방사장치.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.