KR960039333A - 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960039333A KR960039333A KR1019950008266A KR19950008266A KR960039333A KR 960039333 A KR960039333 A KR 960039333A KR 1019950008266 A KR1019950008266 A KR 1019950008266A KR 19950008266 A KR19950008266 A KR 19950008266A KR 960039333 A KR960039333 A KR 960039333A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capacitor
- charge storage
- storage electrode
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로 특히, 캐패시터 전극의 평면 면적을 증대하여 대용량을 실현하여 대규모화에 적합한 반도체 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로 기존의 트랜치를 구비하여 전하 저장 전극을 형성하는 반도체 캐패시터에 상기 전하 저장 전극을 이루기 위한 식각 공정후, 상기 전하 저장 전극의 측단에 접한 상기 기판 또는 도전체부를 습식 식각하는 공정을 추가로 실시하여 전극의 표면적을 증대시켜 DRAM의 캐패시터 용량을 확보할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 소자의 전하 저장 전극의 제조 방법을 보인 단면도.
Claims (2)
- 기판 또는 도전체의 소정영역에 트랜치를 형성하고, 소정두께의 폴리 실리콘을 형성한 다음, 다른 소정영역을 식각 공정에 의해 제거하여 캐패시터의 전하 저장 전극을 이루는 반도체 소자의 캐패시터의 형성방법에 있어서, 상기 전하 저장 전극을 이루기 위한 식각 공정후, 상기 전하 저장 전극의 측단에 접한 상기 기판 또는 도전체부를 습식 식각하여 상기 전하 저장 전극의 하부가 노출될 정도로 식각되도록 함으로써 전하 저장 전극의 표면적을 증대시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식 식각을 진행하는 단계 이전에 상기 전하 저장 전극의 측단에 접한 기판 또는 도전체부를 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008266A KR960039333A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008266A KR960039333A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039333A true KR960039333A (ko) | 1996-11-25 |
Family
ID=66553417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008266A KR960039333A (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039333A (ko) |
-
1995
- 1995-04-10 KR KR1019950008266A patent/KR960039333A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940010400A (ko) | 캐패시터의 저장전극 제조방법 | |
| KR910010751A (ko) | Dram 셀용 커패시터 | |
| KR910006977A (ko) | 분리병합형 홈의 구조를 갖는 d램 셀과 그 제조방법 | |
| KR950021597A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960039333A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970077665A (ko) | 커패시터 제조 방법 | |
| KR970003963A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR960005846A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950007106A (ko) | 디램(dram)셀 커패시터 제조방법 | |
| KR970003978A (ko) | 디램(dram) 셀의 캐패시터의 형성 방법 | |
| KR970053994A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970054009A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR980006321A (ko) | 디램 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR920007070A (ko) | 자기정열 매몰 콘택트를 이용한 디램 셀의 제조방법 | |
| KR920008924A (ko) | 메모리 셀 제조방법 | |
| KR910010511A (ko) | 폴리 실리콘 측벽 전극을 갖는 스택 구조의 d램셀과 그 제조방법 | |
| KR970003954A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970024179A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR940012605A (ko) | 전하 저장 전극 형성방법 | |
| KR970024190A (ko) | 이중 스페이서를 이용한 반도체장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043155A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 | |
| KR970024321A (ko) | 반도체장치의 캐패시터 제조방법(Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device) | |
| KR970030807A (ko) | 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR940016828A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960002844A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |