KR960039207A - Method for manufacturing gate electrode of semiconductor device - Google Patents

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KR960039207A
KR960039207A KR1019950007784A KR19950007784A KR960039207A KR 960039207 A KR960039207 A KR 960039207A KR 1019950007784 A KR1019950007784 A KR 1019950007784A KR 19950007784 A KR19950007784 A KR 19950007784A KR 960039207 A KR960039207 A KR 960039207A
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gate electrode
semiconductor device
oxide film
silicide
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KR1019950007784A
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오영균
박영택
김의식
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 게이트 전극의 구성을 달리 하여 소자의 차단 전압의 변형을 방지할 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 폴리실리콘으로 구성된 게이트 전극은 전도성을 강화하기 위한 실리사이드막을 증착하여 폴리사이드 게이트 전극을 구성시 공정중 진행되는 열공정에 의하여 도펀트의 재분포등과 같은 불순물 확산이 일어나므로 소자의 특성을 좌우하는 문턱전압이 변하게 되었기 때문에 본 발명은 폴리실리콘층과 실리사이드막 사이에 SiN을 개제하여 도펀트의 확산을 방지할 수 있어 일정한 문턱전압을 얻어 소자의 생산성 향상을 기할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a gate electrode of a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a gate electrode of a semiconductor device that can prevent the deformation of the blocking voltage of the device by changing the configuration of the gate electrode, the conventional polysilicon The gate electrode is composed of a silicide film to enhance conductivity, and when a polyside gate electrode is formed, impurity diffusion such as redistribution of dopant occurs by thermal process in the process, and thus a threshold voltage that determines the characteristics of the device is increased. Since the present invention has been changed, the present invention can prevent the diffusion of dopants by interposing SiN between the polysilicon layer and the silicide layer to obtain a constant threshold voltage, thereby improving the productivity of the device.

Description

반도체 소자의 게이트 전극 제조방법Method for manufacturing gate electrode of semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 전극 제조 공정을 나타낸 요부 단면도.2 and 3 are cross-sectional views of principal parts showing a gate electrode manufacturing process of a semiconductor device according to the present invention.

Claims (10)

반도체 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하고, 도핑된 폴리실리콘과 실리사이드막으로 적층된 게이트 전극 제조방법에 있어서, 상기 도핑된 폴리실리콘막과 실리사이드막 사이에 SiN막을 개재하고, 상기 실리사이드막 상부에 산화막을 형성하고, 상기 게이트 절연막과 도핑된 폴리실리콘막과 실리사이드막 및 산화막을 패턴화한 다음, 상기 최상부의 산화막을 제거하고, 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.In the gate electrode manufacturing method of forming a gate insulating film on the semiconductor substrate, and laminated with a doped polysilicon and a silicide film, an SiN film is interposed between the doped polysilicon film and the silicide film, and an oxide film is formed on the silicide film. And patterning the gate insulating film, the doped polysilicon film, the silicide film, and the oxide film, and then removing the top oxide film and performing heat treatment. 제1항에 있어서, 상기 SiN막은 ECR 플라즈마에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the SiN film is deposited by an ECR plasma. 제1항에 있어서, 상기 SiN막은 LPCVD에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the SiN film is deposited by LPCVD. 제1항에 있어서, 상기 SiN막은 PENP에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the SiN film is deposited by PENP. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 SiN막의 두게는 25 내지 40Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of manufacturing a gate electrode of a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of said SiN film is about 25 to 40 microns. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 열산화에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하느 반도체 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the oxide film is formed by thermal oxidation. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 LPCVD에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the oxide film is formed by LPCVD. 제1항, 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 산화막 형성단계와 상기 게이트 절연막과 도핑된 폴리실리콘막과 실리사이드막 및 산화막을 패턴화하는 단계 사이에 상기 산화막을 900℃ N2분위기에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the oxide film is annealed in a 900 ° C. N 2 atmosphere between the oxide film formation step and patterning the doped polysilicon film, the silicide film, and the oxide film. A gate electrode manufacturing method of a semiconductor device, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 열 처리는 H2플라즈마에 의해 어닐링하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the heat treatment is annealed by H 2 plasma. 제1항에 있어서, 상기 열 처리는 400℃ H2분위기에서 어닐링 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the heat treatment is annealed in a 400 ° C. H 2 atmosphere. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486229B1 (en) * 1998-02-02 2005-08-05 삼성전자주식회사 Method for tisix silicide gate transistor forming using hydrogen anneal
KR100564420B1 (en) * 1998-12-31 2006-07-06 주식회사 하이닉스반도체 Gate electrode ion implantation method

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