KR960036153A - 강유전체 캐패시터용 피지티(pzt) 박막 및 이의 제조방법 - Google Patents

강유전체 캐패시터용 피지티(pzt) 박막 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 강유전체 캐패시터 피지티(PZT) 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 상기 PZT 박막은 PZT 강유전체에 억셉터 원소와 도너 원소가 도핑된 것으로 이루어진 것으로, PZT 박막의 우수한 강유전체 특성을 유지한 채 이의 내구성을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다. 한편, 본 발명의 강유전체 캐패시터용 PZT 박막의 제조방법은 PZT 강유전체에 억셉터 원소와 도너 원소를 동시에 도핑시키는 것으로 이루어진다.

Description

강유전체 캐패시터용 피지터(PZT) 박막 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 졸-겔 용액공정을 이용한 순수한 PZT 또는 도핑된 PZT의 제조 공정도, 제 2도는 PZT 도핑용 도펀트 용액의 제조 공정도, 제 3도는 순수한 PZT 박막과 도핑된 PZT 박막의 내구성을 나타낸 그래프, 제 4(가)~(라)도는 각각 순수한 PZT, 및 Nb 4몰% 도핑된 PZT, Sc 2몰% 도핑된 PZT, 및 Sc 1몰% 및 Nb 1몰% 도핑된 PZT의 이력곡선을 나타낸 도면.

Claims (26)

  1. PZT 강유전체에 도너 원소와 억셉터 원소가 도핑된 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소의 도핑총량은 PZT 강유전체에 대해 약 0.1 내지 8몰%인 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소는 Nb 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 억셉터 원소는 Sc, Mg 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 4몰%의 Nb와 약 0.1 내지 약 4몰%의 Sc로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 4몰%의 Ta와 약 0.1 내지 약 4몰%의 Sc로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Nb와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Mg로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Ta와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Mg로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Nb와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Zn으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Ta와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Zn으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  11. PZT 강유전체에 Sc원소가 단독으로 도핑된 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 Sc 원소의 도핑량은 PZT 강유전체에 대해 약 0.1내지 약 5몰%인 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막.
  13. PZT 강유전체에 도너 원소와 억셉터 원소를 동시에 도핑시키는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소 억셉터 원소의 도핑총량은 PZT 강유전체에 대해 약 0.1 내지 8몰%인 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소는 Nb 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 억셉터 원소는 Sc, Mg 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 4몰%의 Nb와 약 0.1 내지 약 4몰%의 Sc로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  18. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 4몰%의 Ta와 약 0.1 내지 약 4몰%의 Sc로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  19. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Nb와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Mg로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  20. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Ta와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Mg로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  21. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Nb와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Zn으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  22. 제 13항에 있어서, 상기 도너 원소와 억셉터 원소는 각각 약 0.1 내지 약 5몰%의 Ta와 약 0.05 내지 약 2.5몰%의 Zn으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  23. PZT 강유전체에 Sc 원소를 단독으로 도핑시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 Sc 원소의 도핑량은 PZT 강유전체에 대해 약 0.1 내지 약 5몰%인 것을 특징으로 하는 강유전체 케패시터용 PZT 박막의 제조방법.
  25. 제 1항내지 제 10항중 어느 한 항의 PZT 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 강유전체 캐패시터.
  26. 제 11항내지 제 12항중 어느 한 항의 PZT 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 소자용 강유전체 캐패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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