KR960026490A - 반도체 패키지용 몰드 금형장치 및 그 성형방법 - Google Patents

반도체 패키지용 몰드 금형장치 및 그 성형방법 Download PDF

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KR960026490A
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지용 몰드 금형장치 및 그 성형방법에 관한 것으로, 특히 반도체 패키지의 몰딩공정에서 성형되는 패키지의 보이드를 제거하고 충진효율을 증가시키기 위하여, 반도체 패키지 몰드금형의 캐비티에 2개 또는 3개의 게이트를 형성하여 각 게이트로부터 에어벤트까지 동일한 주입거리로 몰딩컴파운드를 주입시켜 몰딩컴파운드의 충진도를 거의동일하게 하므로써 에어벤트주변에 존재하는 블리스터나 보이드를 현저하게 줄이고, 또한, 2개 또는 3개의 게이트의 형성으로 몰딩컴파운드가 동일한 압력으로 주입되기 때문에 다이패드에 몰딩컴파운드의 압력이 동일하게 받도록 하여 다이패드의 기울어짐을 해결한 것이 특징이다.

Description

반도체 패키지용 몰드 금형장치 및 그 성형방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 제1실시예로 도시한 몰드금형, 제5도는 본 발명에 따른 제2실시예로 도시한 몰드금형, 제6도는 본 발명에 따른 제3실시예로 도시한 몰드금형.

Claims (10)

  1. 반도체 패키지의 몰딩을 위한 몰딩공정에서 하나의 컬로부터 각 런너를 거쳐 게이트를 통해 몰딩컴파운드가 개개의 캐비티로 주입되거나, 또는 하나의 컬로부터 각 게이트를 통해 몰딩컴파운드가 캐비티로 주입되는 반도체 패키지 몰드금형에 있어서, 상기 다수의 캐비티(102)에 형성한 다수의 제1,2게이트(103a)(103b)와; 상기 다수의 제1,2게이트(103a)(103b)에 몰딩컴파운드가 유입되는 다수의 제1,2컴파운드유입구(106a)(106b)와; 상기 다수의 제1,2컴파운드유입구(106a)(106b)로 몰딩컴파운드를 주입하는 다수의 제1,2펠렛안착부(100a)(100b)를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다수의 제1,2펠렛안착부(100a)(100b)는 각각의 런너(101)로 연결하고, 런너(101)상에는 컬브릿지(105)를 형성하며, 컬브릿지(105)에는 에어를 방출하는 에어벤트(104)를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  3. 다수의 캐비티가 형성된 반도체 패키지 몰드금형에 있어서, 상기 다수의 캐비티(102)에 형성한 다수의 제1,2,3게이트(203a∼203c)와; 상기 다수의 제1,2,3게이트(203a∼203c)에 몰딩컴파운드가 유입되는 다수의 제1,2,3컴파운드유입구(206a∼206c)와; 상기 다수의 제1,2,3컴파운드유입구(206a∼206c)로 몰딩컴파운드를 주입하는 다수의 제1,2,3펠렛안착부(200a∼200c)를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1컴파운드유입구(206a)는 그 폭길이가(d)가 제2,3,컴파운드유입구(206b)(206c)의폭길이(e,f)보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  5. 제3항 또는 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1컴파운드유입구(206a)는 상기 제1펠렛안착부(200a)와, 제1게이트(203a)와의 거리(a)를 제2,3컴파운드유입구(206b)(206c)의 제2,3펠렛안착부(200b)(200c)와, 제2,3게이트(203b)(203c)와의 거리(b,c)보다 짧게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  6. 제3항 또는 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1펠렛안착부(200a)는 제2,3펠렛안착부(200b)(200c)보다 크게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 다수의 제1,2,3,펠렛안착부(200a∼200c)는 각각의 런너(201)로 연결하고, 런너(201)상에서는 컬브릿지(205)를 형성하며, 컬브릿지(205)에는 에어를 방출하는 에어벤트(204)를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰드 금형장치.
  8. 제1,2펠렛안착부(100a)(100b)에서 캐비티(102)의 제1,2게이트(103a)(103b)의 몰드컴파운드가 동일한 압력하에서 유입되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 성형방법.
  9. 제1,2,3펠렛안착부(100a∼100c)에서 캐비티(202)의 제1,2,3게이트(203a∼203c)로 몰드 컴파운드가 동일한 압력하에서 유입되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 성형방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1게이트(203a)는 제1게이트(203a)로의 몰드컴파운드의 유입시간과 양이 상기 제2,3게이트(203b)(203C)로의 몰드컴파운드의 유입시간과 양보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 성형방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035637A 1994-12-21 1994-12-21 반도체 패키지용 몰드 금형장치 및 그 성형방법 KR0143021B1 (ko)

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