KR960022718A - 폴리아릴렌 티오에테르의 표면 산화방법 - Google Patents

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쉑켄바흐 헬무트
쉴라이허 안드레아스
폰 아이슈몬트 외르그
프랑크 게오르그
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지몬, 루츠
훽스트 아크티엔게젤샤프트
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Abstract

폴리아릴렌 티오에테르의 표면 산화방법에서, 산화시킬 물질의 표면을 오존-함유 또는 액체와 접촉시킨다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 물질은 항공기 구조물, 자동차 구조물 및 화학기기 구조물에 사용될 수 있다.

Description

폴리아릴렌 티오에테르의 표면 산화방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 산화시킬 물질의 표면을 오존 함유 기체 스트림 또는 오존이 용해된 액체와 접촉시킴을 포함하여, 폴리아릴렌 티오에테르를 표면 산화시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 오존/산소 또는 오존/공기 혼합물이 사용되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 오존을 물 또는 아세트산에 용해시키는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 오존 농도가 1 내지 200g/m2인 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 폴리아릴렌 티오에테르의 황 브릿지를 설폭사이드 및/또는 설폰으로 산화시키는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 티오에테르 그룹을 함유하는 일반식(I)의 반복 단위를 갖는 직쇄 및/또는 측쇄 폴리아릴렌 시스템을 사용하는 방법.
    -[(Ar1)n-X]m-[(Ar2)i-Y]j-[(Ar3)k-Z]l-[(Ar4)oW]p- (I)
    상기식에서, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, 탄소수 6 내지 18의 아릴렌 시스템이고, W, X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 동일하거나 상이하며, -SO2-, -S-, -SO-, -CO-, -CO2- 및 탄소수 1 내지 6, 바람직하게는 1 내지 4의 알킬렌 및 알킬리덴 그룹으로부터 선택되는 2가 결합그룹이고, n, m, i, j, k, l, o 및 p는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4의 정수이고, 이의 합은 2 이상이어야 한다.
  7. 제6항에서, 폴리페닐렌 설파이드가 사용되는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, GPC에 의해 측정한 폴리아릴렌 티오에테르의 평균 분자량이 4,000 내지 200,000, 바람직하게는 10,000 내지 150,000, 특히 25,000 내지 100,000인 방법.
  9. 항공기 및 자동자 구조물 및 화학 기기 구조물에 사용하기 위한 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 따르는 방법에 의해 제조한 물질의 용도.
    ※ 참고사항 :최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950049105A 1994-12-14 1995-12-13 폴리아릴렌 티오에테르의 표면 산화방법 KR960022718A (ko)

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