KR960017511A - 옥시탄화규소의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
탄소 함량을 넓은 범위에 걸쳐 용이하게 조절할 수 있게하는 옥시탄화규소의 제조방법이 기술되어 있다. 당해 방법은 각각의 분자내에 R1R2 2SiO1/2및 R1 2SiO3/2로부터 선택되는 2개 이상의 단위를 포함하는 오가노폴리실록산(여기서, R1은 C2-C10의 알케닐 라디칼이고, R2는 독립적으로 1가 유기 라디칼을 나타내는데 알케닐 라디칼은 제외된다) 및 각각의 분자내에 2개 이상의 SiH 단위를 포함하는 오가노폴리실록산을 백금 촉매의 존재하에 300℃ 이하의 온도에서 경화시킴을 포함한다. 이어서, 불활성 대기 중에서 600 내지 1,500℃에서 가열한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (7)
- 각각의 분자내에 2개 이상의 SiH 단위를 포함하는 제1오가노폴리실록산(Ⅰ); 각각의 분자내에 2개 이상의 일반식 R1R2 2SiO1/2의 단위를 포함하는 오가노폴리실록산(A), 각각의 분자내에 2개 이상의 일반식 R1SiO3/2의 단위를 포함하는 오가노폴리실록산(여기서, R1은 C2-C10의 알케닐 라디칼이고, R2는 독립적으로 1가 유기 라디칼을 나타내는데, 알케닐 라디칼은 제외된다)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1개 이상의 오가노폴리실록산을 포함하는 제2오가노폴리실록산(Ⅱ) 및 백금 촉매(Ⅲ)를 혼합하여 경화성 조성물을 생성시키고, 300℃ 이하의 온도에서 경화성 조성물을 경화시키고, 경화 생성물을 불활성 대기하에 600 내지 1,500℃에서 가열시킴을 포함하여, 옥시탄화규소를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 제2오가노폴리실록산이 R2가 독립적으로 1가 유기 라디칼을 나타내나 알케닐 라디칼은 제외되는 R2 3SiO1/2,R2 2SiO2/2,R2SiO3/2및 SiO4/2로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1개 이상의 단위를 추가로 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 각각의 분자내에 2개 이상의 SiH단위를 포함하는 제1오가노폴리실록산이, R3이 독립적으로 1가 유기 라디칼을 나타내는 HR3 2SiO1/2, HR3SiO2/2및 HSiO3/2로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 제1항에 있어서, 제1오가노폴리실록산이, R3이 독립적으로 1가 유기 라디칼을 나타내는 R3 3SiO1/2, R3 2SiO2/2,R3SiO3/2및 SiO4/2로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1개 이상의 단위를 추가로 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 옥시탄화규소의 탄소/규소 몰 비가 0.6 내지 5.0인 방법.
- 제1항에 있어서, 경화성 조성물이 경화 지연제를 추가로 함유하는 방법.
- 제1항에 있어서, R1이 알릴 또는 헥세닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, R2가 독립적으로 메틸 및 페닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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