KR960004309A - 비스페놀a의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메르캅토기함유탄화수소기를 가진 유기고분자실록산 및 산의 존재하에, 페놀과 아세톤을 반응시켜, 비스테놀A를 고전화율,고선택율로 제조하며, 특히, 메르캅토기함유탄화수소기를 가진 유기고분자실록산 및 산이, 유기고분자실록산속에 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산을 가진 것이 바람직한 것을 특징으로 한다.

Description

비스테놀A의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 메르캅토기함유탄화수소기를 가진 유기고분자실록산 및 산의 존재하에, 페놀과 아세톤을 반응시키는 것을 특징으로 하는 비스테놀A의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 메르캅토기함유탄화수소기를 가진 유기고분자실록산 및 산이, 유기고분자실록산속에 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산인 것을 특징으로 하는 비스테놀A의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 술폰산기가, 방향족 술폰산기인 것을 특징으로 하는 비스테놀A의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 술폰산기가, 알킬술폰산기인 것을 특징으로 하는 비스테놀A의 제조방법.
  5. 제1항,2항,3항 또는 4항에 있어서, 메르캅토기함유탄화수소기가, 메르캅토메틸기, 2-메르캅토에틸기, 3-메르캅토-n-프로필기, p-메르캅토페닐기 및 p-메르캅토메틸페닐기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 메르캅토기함유탄화수소기인 것을 특징으로 하는 비스페놀A의 제조방법.
  6. 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시키를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종을 가수분해서 얻게되는 유기고분자실록산을 술폰화처리에 의해 상기 탄화수소기(R1)를 술폰화하고, 술폰산기를 가진 유기고분자실록산으로 한 후, 일반식 : XnSi(R2)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R2은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해하므로서 얻게되는, 것을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산.
  7. 제6항에 있어서, 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시기를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종이, 이 화합물외에 일반식 : SiX4(식중, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종을 함유하는 것임을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산.
  8. 실리카겔을 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시키를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해하므로서 얻게되는 것을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산한 후, 또 일반식 : XnSi(R2)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R2은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해하므로서 얻게되는, 것을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산.
  9. 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시기를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종의 가수분해해서 얻게되는 유기고분자실록산을 술폰화처리에 의해 상기 탄화수소기(R1)를 술폰산화하고, 술폰산기를 가진 유기고분자 실록산으로 한 후, 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R2은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해하므로서 얻게되는, 것을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시키를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종이 이 화합물외에 일반식 : SiX4(식중, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, Si는 규소원자이다.)로 표시되는 실란란화합물의 적어도 1종을 함유하는 것임을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산 제조방법.
  11. 실리카겔을 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, n은 1이상 3이하의 정수이며, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R1은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기, 탄소수 6이상 20이하의 방향족기를 가진 탄화수소기, 적어도 1개의 할로겐원자를 가진 탄소수 1이상 15이하의 알킬기, 적어도 1개의 탄소, 탄소불포화결합을 가진 탄소수 2이상 15이하의 올레핀성의 탄화수소기 및 적어도 1개의 에폭시키를 가진 탄소수 2이상 15이하의 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해해서 얻게되는 유기고분자실록산을 술폰화처리에 의해 술폰산기를 가진 유기고분자실록산으로 한 후, 또 일반식 : XnSi(R1)4-n(식중, X는 염소원자, 브롬원자, 요드원자 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이며, R2은 메르캅토기(SH기)를 적어도 1개 가진 탄소수 1이상 20이하의 탄화수소기이며, Si는 규소원자를 표시함.)로 표시되는 실란화합물의 적어도 1종에 의해 실릴화하고, 이어서 가수분해하므로서 얻게되는, 것을 특징으로 하는 메르캅토기함유탄화수소기 및 술폰산기를 가진 유기고분자실록산 제조방법.
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