KR960002516A - 광리소그래피용 광학 부재 및 광학 부재의 평가 방법 - Google Patents

광리소그래피용 광학 부재 및 광학 부재의 평가 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광학 부재의 굴절률의 균일성을 평가하는 방법에 있어서, 광학 부재의 굴절률 분포를 측정하고, 측정된 굴절률 분포를 파워 요소를 보정하기 전이나 후에 광측 방향으로 회전 대칭 요소 및 비회전 대칭 요소로 분리하여 회전 대칭 요소를 추가로 2차/4차 요소 보정하는 것으로 이루어진다. 이러한 포괄적인 평가를 수행하는 데에 있어서, 광리소그래피 광학 부재는 미세하게 인식될 수 있으며, 섬세한 노광-전송 패턴(예를 들어, 0.3㎛ 이하의 선폭)이 제공된다.

Description

광리소그래피용 광학 부재 및 광학 부재의 평가 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11도는 본 발명에 따른 리소그래피 실리카 유리의 제조 공정을 도시한 개략도,
제12도는 본 발명에 따르는 광학 부재를 사용하여 제조한 투영 렌즈 시스템을 사용하는 리소그래피 장치를 도시한 개략도.

Claims (14)

  1. 광학 부재의 파선 수차를 측정하는 제1단계; 및 제1단계에서 측정된 파선 수차를 광축 방향과 회전 대칭 요소 및 비회전 대칭 요소로 분리하는 제2단계로 이루어지며, 광학 부재의 굴절률의 균일성을 평가하는 것을 특징으로 하는 광학 부재의 평가 방법.
  2. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 비회전 대칭 요소의 이승평균평방근치가 시험광의 파장의 0.004배 이하임을 특징으로 하는 광학 부재.
  3. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 비회전 대칭 요소의 이승평균평방근치가 시험광의 파장의 0.040배 이하인 광학 부재로 이루어짐을 특징으로 하는 광리소그래피 장치.
  4. 광학 부재의 파선 수차를 측정하는 제1단계; 제1단계에서 측정된 파선 수차를 광축 방향에서 회전 대칭 요소 및 비회전 대칭 요소로 분리하는 제2단계; 및 회전 대칭 요소의 2차 및 4차 요소를 제거하기 위하여 보정을 수행하는 제3단계로 이루어지며, 광학 부재의 굴절률이 균일성을 평가하는 것을 특징으로 하는 광학 부재의 평가 방법.
  5. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 회전 대칭 요소로부터 2차 및 4차 요소를 제거한 후의 이승평균평방근치가 시험광의 파장의 0.005배 이하임을 특징으로 하는 광학 부재.
  6. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 회전 대칭 요소로부터 2차 및 4차 요소를 제거한 후의 이승평균평방근치가 시험광의 파장의 0.005배 이하인 광학 부재로 이루어짐을 특징으로 하는 광리소그래피 장치.
  7. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 파워 요소를 제거한 후에 회전 대칭 요소로부터 2차 및 4차 요소를 제거하기 위한 보정에서 사용하는 2차/4차 보정 곡선의 PV값이 시험광의 파장의 0.024배 이하임을 특징으로 하는 광학 부재.
  8. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 파워 요소를 제거한 후에 회전 대칭 요소로부터 2차 및 4차 요소를 제거하기 위한 보정에서 사용하는 2차/4차 보정 곡선의 PV값이 시험광의 파장의 0.024배 이하인 광학 부재로 이루어짐을 특징으로 하는 광리소그래피 장치.
  9. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 2차 요소를 제거하기 위해 보정하고 광축 방향에서 비회전 대칭 요소를 분할한 후에 광축에서 회전 대칭 요소가 회전 대칭 중심으로 부터의 반경 방향에 반경의 약 70% 위치에서 최고값을 가짐을 특징으로 하는 광학 부재.
  10. 기저 물질로부터 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재를 파선 수차의 광축 방향의 2차 요소를 제거하기 위한 보정을 하고 광축 방향의 비회전 대칭 요소를 분리한 후에 광축 방향에서 회전 대칭 요소를 갖는 모양으로 절단하는 단계로 이루어지며, 이 때에 회전 대칭 요소는 회전 대칭 중심으로부터 반경 방향에서 반경의 약 70%인 위치에서 최고값을 가짐을 특징으로 하는 광학 부재 제조 방법.
  11. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 2차 요소를 제거하기위한 보정하고 광축 방향에서 비회전 대칭 요소를 분할한 후에 광축 방향에서 회전 대칭 요소를 갖는 광학부재로 이루어지며, 여기에서, 회전 대칭 요소가 회전 대칭 중심으로부터의 반경 방향에 반경의 약 70%인 위치에서 최고값을 갖는 짐을 특징으로 하는 광리소그래피 장치.
  12. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 2차 요소를 제거하기 위한 보정하고 광축 방향의 비회전 대칭 요소를 분리한 후에 광축 방향에서 회전 대칭 요소가 회전 대칭 중심을 포함하는 3개의 최고값을 가짐을 특징으로 하는 광학 부재.
  13. 기저 물질로부터 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재를 파선 수차의 광축 방향에서 2차 요소를 제거하기 위해 보정하고 광축 방향에서 비회전 대칭 요소를 분리한 후에 광축 방향에서 회전 대칭 요소를 갖는 모양으로 절단하는 단계로 이루어지며, 이 때에 회전 대칭 요소는 회전 대칭 중심을 포함하는 3개의 최고값을 가짐을 특징으로 하여 광학 부재를 제조하는 방법.
  14. 400nm 이하의 파장을 갖는 빛에 대한 광학 부재로서, 파선 수차의 광축 방향에서 2차 요소를 제거하기 위해 보정하고 광축 방향에서 비회전 대칭 요소를 분리한 후에 광축 방향에서 회전 대칭 요소를 갖는 광학 부재로 이루어지며, 여기에서 회전 대칭 요소가 회전 대칭의 중심을 포함하는 3개의 최고값을 가짐을 특징으로 하는 광리소그래피 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3315658B2 (ja) * 1998-12-28 2002-08-19 キヤノン株式会社 投影装置および露光装置
US6373552B1 (en) 1999-01-20 2002-04-16 Asm Lithography B.V. Optical correction plate, and its application in a lithographic projection apparatus
JP4626117B2 (ja) * 1999-07-05 2011-02-02 株式会社ニコン 石英ガラス部材の製造方法
US6710930B2 (en) 1999-12-01 2004-03-23 Nikon Corporation Illumination optical system and method of making exposure apparatus
US20040042094A1 (en) * 2000-12-28 2004-03-04 Tomoyuki Matsuyama Projection optical system and production method therefor, exposure system and production method therefor, and production method for microdevice
WO2002098290A2 (en) * 2001-04-18 2002-12-12 Bausch & Lomb Incorporated Objective measurement of eye refraction
EP1413870A4 (en) * 2001-07-05 2006-11-15 Nikon Corp OPTICAL ELEMENT FOR OPTICAL LITHOGRAPHY, AND RELATIVE EVALUATION METHOD
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
US20030131626A1 (en) * 2001-10-08 2003-07-17 Schott Glas Arrangement for improving the homogeneity of the refractive index of quartz glass objects
WO2003102529A1 (fr) * 2002-06-04 2003-12-11 Nikon Corporation Procede de mesure de l'homogeneite de l'indice de refraction d'un element optique
US7245361B2 (en) 2002-06-04 2007-07-17 Nikon Corporation Method for evaluating refractive index homogeneity of optical member
CN101002128A (zh) 2004-09-13 2007-07-18 尼康股份有限公司 投影光学系统及其制造方法、曝光装置及曝光方法
JP5294804B2 (ja) * 2008-10-31 2013-09-18 三菱電機株式会社 光学調整装置
KR101336399B1 (ko) * 2009-11-19 2013-12-04 캐논 가부시끼가이샤 계측 장치, 가공 방법 및 컴퓨터 판독가능한 저장 매체
DE102013226668A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Kalibrieren einer Wellenfronterzeugungseinrichtung
CN107003113B (zh) * 2014-12-16 2018-10-30 富士胶片株式会社 形状测定装置及形状测定方法
FR3062476B1 (fr) * 2017-01-27 2020-12-25 Imagine Optic Methode d'evaluation de la qualite de la mesure d'un front d'onde et systemes mettant en œuvre une telle methode

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4696569A (en) * 1985-04-11 1987-09-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of measuring spherical aberration and apparatus therefor
US5234742A (en) * 1989-03-03 1993-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
ATE116448T1 (de) * 1989-06-09 1995-01-15 Heraeus Quarzglas Optische teile und rohlinge aus synthetischem siliziumdioxidglas und verfahren zu ihrer herstellung.
US5410428A (en) * 1990-10-30 1995-04-25 Shin-Etsu Quartz Products Co. Ltd. Optical member made of high-purity and transparent synthetic silica glass and method for production thereof or blank thereof
KR0165695B1 (ko) * 1991-06-29 1998-12-15 아이하라 테루히코 엑시머레이저용 합성석영유리 광학부재 및 그의 제조방법
US5157555A (en) * 1991-12-04 1992-10-20 General Electric Company Apparatus for adjustable correction of spherical aberration
US5326729A (en) * 1992-02-07 1994-07-05 Asahi Glass Company Ltd. Transparent quartz glass and process for its production
JPH06134723A (ja) 1992-10-27 1994-05-17 Onoda Cement Co Ltd 脱水成形プレスの脱水盤装置
US5702495A (en) * 1993-02-10 1997-12-30 Nikon Corporation Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production
US5696038A (en) * 1995-09-12 1997-12-09 Corning Incorporated Boule oscillation patterns in methods of producing fused silica glass

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Publication number Publication date
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DE69511781D1 (de) 1999-10-07
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US6181469B1 (en) 2001-01-30

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