KR960001187A - 다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법 - Google Patents

다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960001187A
KR960001187A KR1019950015783A KR19950015783A KR960001187A KR 960001187 A KR960001187 A KR 960001187A KR 1019950015783 A KR1019950015783 A KR 1019950015783A KR 19950015783 A KR19950015783 A KR 19950015783A KR 960001187 A KR960001187 A KR 960001187A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diamond
filament
sheet
substrate
substrates
Prior art date
Application number
KR1019950015783A
Other languages
English (en)
Inventor
리챠드 안토니 토마스
로렌스 스피로 클리포드
풀턴 플리쳐 제임스
Original Assignee
제이 엘. 채스킨
제네랄 일렉트릭 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이 엘. 채스킨, 제네랄 일렉트릭 캄파니 filed Critical 제이 엘. 채스킨
Publication of KR960001187A publication Critical patent/KR960001187A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • C23C16/27Diamond only
    • C23C16/271Diamond only using hot filaments
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 하나이상의 다이아몬드 기재의 에지부에 의해 형성되어진, 바람직하게는 V자형으로 형성된 리세스내에 접착층을 형성하는 다이아몬드 모자이크(Diamond mosaics)에 관한 것이다. 용착물은 활성화된 필라멘트이며, 상기 필라멘트는 용착된 다이아몬드를 수납하는 표면으로부터 1mm 이하의 거리를 유지하도록 상기 기재에 대해 이동한다.

Description

다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 하나 이상의 다이아몬드 기재의 에지부에 의해 형성된 리세스내에 화학증착법에 의해 다이아몬드 접착층을 용착하는 단계를 포함하는 모자이크를 생성하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 화학증착법은 수소와 탄화수소 가스 혼합물의 고온 필라메트 활성화에 의해서 실행되는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 필라멘트와 상기 다이아몬드가 용착되어질 기재 사이의 거리는 1mm 이하로 유지되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기재는 다결정 다이아몬드인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 적어도 2개의 기재가 사용되는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기재는 동축으로 배열되어 있으며, 상기 기재의 다이아몬드-수납 에지부는 V자형으로 경사지게 하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기재는 서로에 대해 수직이며, 기재 표면에 대해 수직인 다이아몬드-수납 에지부를 갖는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기재는 히트 싱크에 인접하게 하는 방법.
  9. 다이아몬드의 화학증착법에 의해 결합된 다이아몬드 시이트를 생산하기 위한 방법에 있어서: 각각의 시이트의 에지부는 상기 필라멘트로부터 약 1mm 까지의 거리에서 적어도 하나의 필라멘트와 대향하며, V자형 에지부 형상으로 결합되어질 적어도 두 개의 다이아몬드를 위치설정하는 단계와; 약 1800 내지 2500℃의 온도 범위에서 상기 필라멘트를 가열하는 단계와; 대기압보다 낮은 압력으로 상기 시이트를 유지하고, 상기 필라멘트와 시이트가 접촉하도록, 상기 시이트가 수소와 탄화수소가스의 혼합물을 통과함으로써 상기 시이트의 에지부상에 다이아몬드 접착층을 형성하는 단계와; 상기 필라멘트와 상기 시이트상에 형성된 다이아몬드 사이에 약 1mm까지의 거리가 유지되도록 상기 시이트를 상기 필라멘트에 대해 이동시키는 단계를 포함하는 방법.
  10. 하나 이상의 다이아몬드 기재의 에지부에 의해서 형성된 리세스내에 용착된 다이아몬드 접착층을 포함하는 다이아몬드 모자이크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015783A 1994-06-15 1995-06-14 다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법 KR960001187A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26043494A 1994-06-15 1994-06-15
US08/260,434 1994-06-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960001187A true KR960001187A (ko) 1996-01-25

Family

ID=22989148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950015783A KR960001187A (ko) 1994-06-15 1995-06-14 다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0687747A1 (ko)
JP (1) JPH08104582A (ko)
KR (1) KR960001187A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4849691B2 (ja) 2008-12-25 2012-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 大面積ダイヤモンド結晶基板及びその製造方法
CN117779205B (zh) * 2024-01-22 2024-09-20 上海征世科技股份有限公司 一种提升金刚石拼接处质量的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5182093A (en) * 1990-01-08 1993-01-26 Celestech, Inc. Diamond deposition cell
US5314570A (en) * 1990-07-18 1994-05-24 Sumitomo Electric Industries Ltd. Process and apparatus for the production of diamond
WO1993023204A1 (en) * 1992-05-15 1993-11-25 Tempo Technology Corporation Diamond compact
US5474021A (en) * 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase

Also Published As

Publication number Publication date
EP0687747A1 (en) 1995-12-20
JPH08104582A (ja) 1996-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930013199A (ko) 편평한 화학증착(cvd) 다이아몬드막의 제조방법
KR880003403A (ko) 화학적 기상 성장법과 그장치
CA2577304A1 (en) Atmospheric pressure chemical vapor deposition
KR950021343A (ko) 정전척크 부착 세라믹 히터
KR910015717A (ko) Cvd다이아몬드 공작물 및 그 제조법
KR950032730A (ko) 다이아몬드 화학 증착 장치 및 방법
KR900006474A (ko) 플라즈마 가공방법 및 이의 생성물
KR910016056A (ko) 반도체의 단결정 에피택셜 성장용의 다결정성 cvd 다이아몬드 기판
AU2328399A (en) Apparatus and method for depositing a semiconductor material
DE59005103D1 (de) Gasdichte Randdichtung und Verfahren zu deren Herstellung.
KR970706960A (ko) 유리 피복 방법 및 이에 의해 피복된 유리(Glass Coating Method and Glass Coated Thereby)
DE69801987D1 (de) Suszeptor ausführungen für siliziumkarbid-dünnschichten
JPS644343A (en) Manufacture of abrasion-resistant polycarbonate article and manufactured article
ATE320318T1 (de) Verfahren zur abscheidung von materialien
KR930013198A (ko) 열응력에 의해 유도된 균열이 거의 없는 화학증착(cvd) 다이아몬드 막의 제조방법
KR940703936A (ko) 초경질막 피복부재 및 그 제조방법(superhard film-coated member and method of manufacturing the same)
WO2005087983A3 (en) Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys
KR890016219A (ko) 다이야몬드 성장 방법
KR980006024A (ko) 더미 웨이퍼
TW430882B (en) Plasma film forming method
AT400041B (de) Hartmetall-substrat mit diamantschicht hoher haftfestigkeit
KR960001187A (ko) 다이아몬드 모자이크 및 그것을 생산하기 위한 방법
CN102534562A (zh) 基座、化学气相沉积设备和基板加热方法
FR2633642B1 (fr) Procede de realisation d'un film protecteur sur un substrat a base de magnesium, application a la protection des alliages de magnesium, substrats obtenus
KR890015655A (ko) 티타늄 카바이드 및 티타늄 니트라이드의 복합물층으로 피복된 그래파이트 경납땜용 고정구(fixture)

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid