KR960000707B1 - 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 - Google Patents

플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960000707B1
KR960000707B1 KR1019930014051A KR930014051A KR960000707B1 KR 960000707 B1 KR960000707 B1 KR 960000707B1 KR 1019930014051 A KR1019930014051 A KR 1019930014051A KR 930014051 A KR930014051 A KR 930014051A KR 960000707 B1 KR960000707 B1 KR 960000707B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing
wall
package
plastic solid
state image
Prior art date
Application number
KR1019930014051A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950004508A (ko
Inventor
허기록
Original Assignee
금성일렉트론주식회사
문정환
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 금성일렉트론주식회사, 문정환 filed Critical 금성일렉트론주식회사
Priority to KR1019930014051A priority Critical patent/KR960000707B1/ko
Publication of KR950004508A publication Critical patent/KR950004508A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960000707B1 publication Critical patent/KR960000707B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법
제1도는 일반적인 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 구조를 보인 종단면도.
제2도는 종래 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 제조공정 플로우챠트.
제3도는 본 발명에 의한 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 제조공정 플로우챠트.
제4도는 본 발명에 의한 패키지 제조공정의 중요공정을 나타낸 것으로 웨이퍼 상태의 각 소자위에 피알 태턴이 형성된 상태를 보인 평면도.
제5도는 본 발명의 패키지 제조방법에 의한 제조된 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 소자 1a : 수광영역부
1b : 본드패드 2 : 리드프레임
5' : 벽체 10 : 웨이퍼
본 발명은 플라스틱 고체촬상소자 패키지(plastic CCD packge)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 생산성을 향상시킬 수도 있도록 한 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법에 관한 것이다.
종래에도 세라믹 타입의 고체촬상소자 패키지가 안고 있는 여러 문제점 즉, 제조공정상의 복잡성, 제조원가의 상승 및 제조공정시간이 매우 길다는 등의 여러 문제점을 해소하기 위하며 트랜스퍼 몰딩하여 구성한 플라스틱 고체촬상소자 패키지가 알려지고 있었다.
그러나, 상기한 바와같은 종래의 플라스틱 고체촬상소자 패키지에 있어서도 생산성 측면에서는 충분히 고려되고 있지 않았다.
부연하면, 종래의 플라스틱 고체촬상소자 패키지는 제1도에 도시한 바와같이, 반도체소자(1)와. 상기 소자(1)가 탑재되는 패들(2a) 및 상기 소자(1)에 와이어 본딩되는 인/아웃리드(2b)(2c)를 가지는 리드프레임(2)과 상기 소자(1)의 전기적인 접속경로를 이루는 금속와이어(3)와, 상기 소자(1)의 상부에 탑재되는 빛집속용 글래스리드(4)와, 그 글래스리드(4)를 고정시킴과 아울러 소자(1)와의 간격을 유지시키기는 절연필름벽(5)과, 상기 소자(1)를 포함하는 일정면적으로 에워싸도록 에폭시 수지로 성형되는 패키지 몸체(6)로 구성되어 있는바, 여기서 상기 소자(1)에 글래스리드(4)을 부착하기 위한 절연필름벽(5)을 형성함에 있어서, 소잉(Sawing) 공정후 개개로 분리된 소자(1)에 형성함으로써 생산성이 떨어진다는 문제점이 있었다.
종래의 고체촬상소자 패키지 제조방법은 다음과 같다.
제2도에 도시한 공정 플로우챠트에서 보는 바와같이, 먼저, 웨이퍼 상태의 각 소자를 개개로 분리하는 소잉공정을 행하고, 다음으로는 분리된 각각의 소자를 리드프레임과 접착제를 공급하여 그 리드프레임의 패들위에 반도체 소자를 부착 고정하는 다이본딩 공정을 수행한다.
이후 절연필름을 공급하여 반도체 소자의 수광영역부 주위에 절연필름을 라미네이션 함으로써 절연필름벽을 형성한후, 이 절연필름벽의 상부에 글래스리드를 부착고정하는 공정을 진행한다.
이후에는 일반적인 플라스틱 패키지 공정에 따라 와이어 본딩공정, 몰딩공정 및 트림/포밍 공정을 행함으로써 제1도에 도시한 바와같은 플라스틱 고체촬상소자 패키지를 제조하게 되는 것이다.
그리나, 상기한 바와같은 종래 방법에 의하면, 소잉된 개개의 소자위에 개개의 절연필름을 라미네이션 해야 하고, 규정된 폭(약 30μm)으로의 절연필름 가공의 어려움등으로 인하여 생산성이 현저히 떨어진다는 문제점이 있었으며, 또, 별도의 절연필름 가공용 툴(Tool)을 필요로 한다는 단점이 있었다.
이와같은 점을 감안하여 창안한 본 발명의 목적은 웨이퍼 상태의 각 소자위에 글래스리드 탑재를 위한 피알벽을 일괄적으로 형성함으로써 생산성 향상에 기여토록 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼 상태의 각 소자의 수광영역부 주위에 글래스리드 탑재를 위한 소정높이의 벽체를 마스크를 이용하여 일괄적으로 형성한후, 개개의 소자로 분리하는 소잉공정, 다이본딩공정, 글래스리드 어태치공정, 와이어본딩공정, 몰딩공정 및 트림/포밍 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 제조방법이 제공된다.
상기 벽체형성은 웨이퍼 위에 벽체형성 패턴이 형성된 마스크를 탑재하여 벽체형성 재질을 라미네이션한후 포토 및 디벨로프 공정을 진행하여 형성한다.
상기 벽체형성 재질은 포토레지스트 또는 접착력을 갖고 있는 패시베이션 재질(Si3N4)이 사용된다.
상기 글래스리드 어태치 공정은 열압착 본딩 방식으로 밀착시키는 것을 특징으로 하고 있다.
이와같이 된 본 발명의 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법은 마스크를 이용하여 웨이퍼 상태에서 각각의 소자에 글래스리드 탑재를 위한 벽체를 일괄적으로 형성하여 주므로 종래 개개의 소자위에 필름벽을 형성하는 기술에 비해 생산성이 현저하게 높아진다는 효과가 있고, 또 팹공정(FAB Rrocess) 기술을 이용하여 보다 신뢰성 있는 벽체를 형성할 수 있으므로 일드(Yield) 향상 및 코스트 절감의 효과도 기대할 수 있다.
이하, 상기한 바와같은 본 발명에 의한 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 제조방법을 첨부한 제3도의 공정 플로우차트를 참조하여 설명한다.
도시한 바와같이 본 발명의 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법은 웨이퍼 상태의 각 소자의 수광영역부 주위에 글래스리드 탑재를 위한 소정높이의 벽체를 마스크를 이용하여 일괄적으로 형성한후, 일반적인 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조공정, 즉 웨이퍼상태의 각 소자를 개개로 분리하는 소잉공정, 분리된 소자를 리드프레임의 패들위에 부착공정하는 다이본딩공정, 본딩된 소자의 벽체위에 글래스리드를 부착하는 글래스 리드어태치 공정, 이와같이 된 소자의 리드프레임의 인너리드를 금속와이어로 연결하여 신호 전달체계를 구성하는 와이어본딩공정, 상기 소자를 포함하는 일정면적을 에폭시 수지로 성형하여 패키지 몸체를 형상하는 몰딩공정 및 리드프레임의 타이바 및 댐바를 절단함과 아울러 아웃리드를 소정형태로 절곡 형성한 트림/포밍 공정을 진행하는 것을 특징으로 하고 있다. .
즉, 본 발명은 웨이퍼 상태에서 글래스리드 탑재를 위한 벽체를 각각의 소자에일괄적으로 형성함으로써 종래 소잉후 개개로 분리된 소자에 개개의 절연필름을 부착하는 기술에 비해 생산성을 현저하게 높일 수 있도록 한 것으로, 상기 벽체를 형성함에 있어서는 웨이퍼 위에 벽체형성 패턴이 형성된 마스크를 탑재하여 벽체형성 재질을 라미네이션한 후, 포토 및 디벨로프 공정을 진행하여 형성한다.
여기서, 상기 벽체형성재질로는 포토레지스트(PR)를 사용할 수 있고, 또는 접착력을 가지는 패시베이션 재질, 예컨대 Si3N4등과 같은 재질을 사용하여 벽체를 형성할 수 있는바, 이와같은 경우에는 글래스리디의 밀착력이 증대되므로 보다 신뢰성이 있는 패키지의 제작이 가능하게 된다.
또한, 상기 글래스리드 어태치 공정은 열압착 본딩방식으로 밀착시키는 것을 특징으로 하고 있다.
첨부한 제4도는 웨이퍼(10)상태의 각 소자(1)의 수광영역부(1a)와 본드패드 1b ; 사이에 글래스리드 탑재를 위한 벽체(5')를 일괄적으로 형성한 상태를 보인 평면도를 나타낸 것이다.
또한 제5도는 본 발명의 제조방법에 의해 제조완료된 플라스틱 고체촬상소자 패키지의 종단면도로서 도시한 바와같이, 종래 패키지의 구조과 동일한 구조로 되어 있다.
따라서, 여기서는 그 구조에 대한 상세한 설명은 생략하고, 도면에서는 이해를 돕기 위하여 종래와 동일한 부호를 부여 하였다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이, 본 발명에 의한 플라스틱 고체찰상소자 패키지 제조방법은 마스크를 이용하여 웨이퍼 상태에서 각각의 소자에 글래스리드 탑재를 위한 벽체를 일괄적으로 형성하여 주므로 종래 소잉된 개개의 소자위에 절연필름벽을 형성하여 주는 기술에 비해 생산성을 현저하게 높일 수 있다는 효과가 있고, 또 팹공정(FAB Process) 기술을 이용하여 보다 신뢰성있는 벽체를 형성할 수 있으므로 일드(Yield) 향상 및 코스트(Cost) 절감의 효과도 기대할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼 상태의 각 소자의 수광영역부 주위에 글래스리드 탑재를 위한 소정높이의 벽체를 마스크를 이용하여 일괄적으로 형성한 후, 개개의 소자로 분리하는 소잉공정, 다이본딩공정, 글래스리디 어태치 공정, 와이어본딩 공정, 몰딩공정 및 트림/포밍 공정을 진행함을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 벽체 형성은 웨이퍼위에 벽체형성 패턴이 형성된 마스크를 탑재하여 벽체형성 재질을 라미레이션한 후, 포토 및 디벨로프 공정을 진행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 벽체형성 재질로는 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 벽체형성재질로는 접착력이 있는 패시베이션 재질(Si3N4)을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 글래스리드 어태치 공정은 열압착 본딩방식으로 밀착시키는 것을 특징으로 하는 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법.
KR1019930014051A 1993-07-23 1993-07-23 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 KR960000707B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930014051A KR960000707B1 (ko) 1993-07-23 1993-07-23 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930014051A KR960000707B1 (ko) 1993-07-23 1993-07-23 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004508A KR950004508A (ko) 1995-02-18
KR960000707B1 true KR960000707B1 (ko) 1996-01-11

Family

ID=19359922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930014051A KR960000707B1 (ko) 1993-07-23 1993-07-23 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960000707B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR950004508A (ko) 1995-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5622873A (en) Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window
KR960009089B1 (ko) 패키지 성형용 금형 및 그 금형을 이용한 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 및 패키지
KR100604190B1 (ko) 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼, 광학장치용 모듈,고체촬상장치의 제조방법, 및 광학장치용 모듈의 제조방법
US6384472B1 (en) Leadless image sensor package structure and method for making the same
KR0148733B1 (ko) 고체 촬상 소자용 패키지 및 그 제조방법
JP2843464B2 (ja) 固体撮像装置
US7728412B2 (en) Semiconductor device having plurality of leads
US20050146057A1 (en) Micro lead frame package having transparent encapsulant
JPH0724287B2 (ja) 光透過用窓を有する半導体装置とその製造方法
EP1473777B1 (en) Solid-state imaging device and method for producing the same
US20050156301A1 (en) Method of packaging an optical sensor
KR0141952B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPH0653462A (ja) 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法
KR960000707B1 (ko) 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법
JP2003254988A (ja) 力学量センサおよびその製造方法
CN211507610U (zh) 芯片模组
US20020048851A1 (en) Process for making a semiconductor package
JPH11354764A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH06342816A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム
KR100820913B1 (ko) 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈
JPH0750384A (ja) マルチチップ半導体装置およびその製造方法
KR100253267B1 (ko) 리드 온 칩(loc)패키지 제조방법
JPH0521833A (ja) 光結合装置
JPH0410445A (ja) 固体撮像素子の製造方法
KR940008328B1 (ko) 필름 타입 반도체 패키지(F-PAC : Film-Type Package) 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041230

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee