KR950032012A - 실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950032012A
KR950032012A KR1019950011751A KR19950011751A KR950032012A KR 950032012 A KR950032012 A KR 950032012A KR 1019950011751 A KR1019950011751 A KR 1019950011751A KR 19950011751 A KR19950011751 A KR 19950011751A KR 950032012 A KR950032012 A KR 950032012A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
silica glass
fused silica
generally flat
layer
Prior art date
Application number
KR1019950011751A
Other languages
English (en)
Inventor
히로시 모기
히로시 다무라
요시히로 구보따
Original Assignee
가네까와 지히로
신에쓰가가꾸고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네까와 지히로, 신에쓰가가꾸고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 가네까와 지히로
Publication of KR950032012A publication Critical patent/KR950032012A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5022Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00241Physical properties of the materials not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00336Materials with a smooth surface, e.g. obtained by using glass-surfaced moulds

Abstract

반조체 장치의 제조공정에 사용되는 세라믹 히터, 정전 척등의 기판으로서 적절한 개선된 세라믹 기판이 제안된다. 본 발명의 세라믹 기판은 세라믹 판과 세라믹 판의 적어도 한쪽 표면상에 형성된 합성 융합 실리카 유리의 코팅층으로 구성되어 있는 일체형이며 전반적으로 편평한 표면을 가져서 본 발명의 실리카 유리 코팅 세라믹 기판은 표면으로부터 탈립하는 세라믹 입자 분말로의 오염 및 세라믹 표면상의 미세 구멍내에 침착되는 오염물로의 오염 위험이 없다. 본 발명의 실리카 유리 코팅 세라믹기판은; (a)세라믹 판의 표면을 연마하여 미세한 구멍은 있으나 전반적으로 편평한 세라믹 판을 형성하고; (b)기화성 규소 화합물의 불꽃 가수분해에 의해 형성된 실리카 미립을 전반적으로 편평한 표면에 침착시켜서 표면을 피복하고 구멍을 실리카 입자로 충진하고; (c)침착된 실리카 미립의 층을 유리화하여 투명한 융합 실리카 유리층을 형성하고; (d)유리화된 실리카 유리층의 표면을 표면조도 Ra가 0.3㎛이하이도록 연마함으로써 제조된다.

Description

실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 세라믹 판의 양표면에 융합 실리카 유리의 코팅층을 갖는 본 발명의 융합 실리카 유리 코팅 세라믹 기판의 단면도이다. 제2도는 세라믹 판의 양쪽 표면에 융합 실리카 유리의 코팅층을 갖고 있으며, 각각이 연마되어 부분적으로 기판 표면이 노출되어 있는 본 발명의 융합 실리카 유리 코팅 세라믹 기판의 단면도이다.

Claims (5)

  1. (a)전반적으로 편평한 표면을 가지며, 표면상에 구멍이 있는, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 질화붕소, 질화 규소, 사이알론, 및 질화 알루미늄과 질화 붕소의 콤포지트로 구성된 군으로부터 선택된 세라믹 물질로부터 제조된 세라믹 판; 및 (b)전반적으로 편평한 세라믹 핀의 적어도 한쪽 표면을 피복하고 표면상의 구멍을 충진하며, 표면 조도 Ra는 0.3㎛ 이하인 합성 융합 실리카 유리의 코팅층을 포함하는 일체형의 융합 실리카 유리 코팅 세라믹 기판.
  2. 제1항에 있어서, 합성 융합 실리카 유리의 코팅층이 0.1내지1000㎛ 의 두께를 갖는 융합 실리카 코팅세라믹 기판.
  3. (a)질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 사이알론, 및 질화 알루미늄과 질화 붕소의 콤포지트로 구성된 군으로부터 선택된 세라믹 물질 판의 적어도 한쪽 표면을 전반적으로 편평하나 구멍이 있는 표면으로 연마하고;(b)산수소 불꽃중에서 기화성 규소 화합물을 불꽃 가수분해하여 제조된 실리카 미립을 전반적으로 편평한 세라믹 판의 표면에 침착시켜서 세라믹 판상 표면의 구멍을 실리카 미립으로 충진하고;(c)세라믹 판의 표면에 침착되어 있으며 구멍을 충진하는 실리카 입자를 가열하여 유리화시켜서 세라믹 판과 일체인 융합 실리카 유리의 층을 형성하고;(d)융합 실리카 유리층의 표면을 표면 조도Ra가 0.3㎛이하이도록 연마하는 것으로 구성되는 융합 실리카 유리 코팅 세라믹 기판의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 단계(c)의 가열온도가1200 내지 1600℃인 융합 실리카 유리코팅 세라믹 기판의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 단계(d)에서 융합 실리카 유리 층의 표면 염마가 세라믹 물질 판의 표면이 적어도 부분적으로 노출되도록 수행되는 융합 실리카 유리 코팅 세라믹 기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950011751A 1994-05-13 1995-05-12 실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법 KR950032012A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6099653A JPH07304133A (ja) 1994-05-13 1994-05-13 セラミックス基板およびその製造方法
JP94-99653 1994-05-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950032012A true KR950032012A (ko) 1995-12-20

Family

ID=14253020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950011751A KR950032012A (ko) 1994-05-13 1995-05-12 실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH07304133A (ko)
KR (1) KR950032012A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60324625D1 (de) * 2002-04-04 2008-12-24 Tosoh Corp Thermisch-gespritzte Quarzglasteile und Herstellungsverfahren
KR100974102B1 (ko) * 2005-08-19 2010-08-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조, 탑재대 구조의 제조 방법 및 열처리 장치
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07304133A (ja) 1995-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100549818C (zh) 用于特殊微型光刻的基片
US4794048A (en) Ceramic coated metal substrates for electronic applications
EP1188716A4 (en) FINE PARTICLES, DISPERSE FINE PARTICLE SOIL, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND COATED SUBSTRATE
WO2002092872A3 (en) Honeycomb structure thermal barrier coating
KR20030069186A (ko) 자정작용 표면을 갖는 기판과 그 제조 방법 및 용도
KR100363546B1 (ko) 기재의피복방법
JP2001058865A5 (ko)
KR0141907B1 (ko) 액정표시(lcd)디바이스용 유리판넬의 제조방법
CN107848868A (zh) 用于玻璃塑形模具的涂层及包括所述涂层的模具
EP0310043A3 (en) Oxidation resistant, high temperature thermal cycling resistant coating on silicon-based substrates and process for the production thereof
US5405676A (en) Film forming process
KR970077471A (ko) 오염물 격납층을 구비한 기질 지지 척 및 그 제작 방법
CN103098223A (zh) 散射覆材的颗粒掺杂方法
KR950032012A (ko) 실리카 유리 코팅 세라믹 기판 및 이의 제조방법
ES2159091T3 (es) Paneles de vidrio con rugosidad incrementada y procedimiento de fabricacion.
KR20050106168A (ko) 방열시트
US4307181A (en) Masking agent for the deposition of a material and method for such a deposition using this masking agent
US5178727A (en) Ceramic membrane device and a method of producing the same
CZ281021B6 (cs) Způsob vytváření tenké vrstvy
JP2018123011A (ja) 無機多孔質シートの製造方法
JPH10269938A (ja) ディスプレイパネル用の材料基板
JP2934008B2 (ja) 屈折率分布型レンズの製造方法
JPH08313748A (ja) 酸化物ガラス膜製造装置
JPH06140133A (ja) 複層セラミックスヒーター
PL327565A1 (en) Method of obtaining a decorative pattern on a transparent substrate and transparent substrate bearing such decorative pattern

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid