KR950024382A - 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자 - Google Patents

수지-밀봉 레이저 다이오드 소자 Download PDF

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요이치 신도
히로미 모지카와
타다시 우메가키
사토루 나가노
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나까사도 요시히꼬
후지덴끼 가부시기가이샤
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Abstract

수지-밀봉 레이저 다이오드 소자에 있어서, 레이저 다이오드 칩(10)의 전방 광 방출 단면(9)위의 밀봉수지(30)가 레이저 빔에 의해 열화되는 것을 방지하기 위하여, 열경화성 고무형 유기 실리콘 수지층이 활성층(4)의 확산표면 위에서 최소 50㎛의 두께로 전방 광 방출 단면(9)에 형성된다. 레이저 다이오드 칩(10)의 후방 광 방출 단면측에서, 광 다이오드(73) 위의 고무형 유기 실리콘 수지층은 후자의 광흡수면(73a)에 대하여 밖으로 만곡된다. 더우기, 레이저 빔의 파 필드 패턴(FFP)이 불규칙하게 되는 것을 방지하기 위해서, 적어도 광 방출 단면(9)위의 단면 보호막의 표면은 본질적으로 실리콘 이산화물을 함유한다.

Description

수지-밀봉 레이저 다이오드 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자의 일실시예를 도시하는 사시도.
제2도는 제1도에 도시된 소자의 부분절개 사시도.
제3도는 제1도에 도시된 소자의 단면도.

Claims (9)

  1. 화성층(4)으로부터의 레이저빔이 전방 및 후방으로 방출되는 전방 및 후방 광방출단면(9)을 가진 레이저 다이오드칩(10) ; 상기 광방촐단면(9)을 보호하는 단면 보호막(20b) ; 지지 접착기면(2)을 통해 상기 칩(10)을 지지하는 리드 프레임(72) ; 외기로부더 상기 칩(10)을 밀봉적으로 절연하는 밀봉수지(30) ; 및 상기 광방출단면(9) 근처의 상기 밀봉수지(30)가 상기 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해, 상기 레이저빔의 파장밴드에의 흡수계수가 낮은 실리콘 수지인 단면파괴방지층(20)으로 구성된 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자에 있어서, 상기 유기 실리콘 수지가 고무와 유사하고 본질적으로 디메틸 폴리실록산을 함유하는 것을 특징으로 하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단면보호막(20b)이 적어도 상기 유기 실리콘 수지와의 접촉면에는 본질적으로 실리콘 이산화물을 함유하는 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고무형 유기 실리콘 수지가 열경화성 수지인 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단면 파괴 방지층(20)이 상기 칩(10)의 상기 활성층(4)의 팽창 표면위에서 상기 전방 광 방출단면(9)에서 최소 50㎛의 두께를 가진 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 레이저 다이오드 칩(10)의 상기 지지 접착기면(2)이 상기 레이저 다이오드(10)의 상기 활성층(4)의 표면과 평행하고, 상기 후방 광방출단면을 통해 방출되는 레이저빔을 모니터 하는 광다이오드(73)의 광흡수면(73a)을 가진 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 단면 파괴 방지층(20)이 상기 광 다이오드(73)의 상기 광흡수면(73a)에 대하여 밖으로 만곡되는 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전방 광방출 단면(9)이 상기 지지 접착기면(2)의 단면과 동일평면에 위치할 수 있도록 상기 칩(10)을 상기 지지 접착기면(2)에 고정하는 상기 리드프레임(72)위에 상기 레이저 다이오드 칩(10)이 장착되는 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 칩(10)의 상기 전방 광방출 단면(9)을 통해 방출된 레이저 빔이 본질적으로 상기 리드 프레임(72)에 의해 막히지 않을 정도로 상기 리드 프레임(72)의 단부로부터 전방으로 이동되는 상기 리드 프레임(72)위에 상기 레이저 다이오드 칩(10)이 장착되는 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 리드 프레임(72)애 장착된 상기 레이저 다이오드 칩(10)의 위치가 다음의 표현식에 의해 정의되며 ;
    0 〈X〈L cot (θv/2)
    여기에서 X는 상기 레이저 다이오드 칩(10)과 상기 리드 프레임(72) 사이의 거리이고, L은 상기 리드프레임(72)과 상기 활성층(4) 사이의 거리이며, θv는 레이저 빔(10la)의 수직방출 방향에서 절반 최대 전폭각인 것을 특징으로하는 수지-밀봉 레이저 다이오드 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JP6065810A JPH07321407A (ja) 1993-04-05 1994-04-04 樹脂封止形レーザーダイオード装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026245A (ko) * 1998-10-19 2000-05-15 윤종용 도선테

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19823691A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-02 Siemens Ag Gehäuseanordnung für Lasermodul
DE19964228B4 (de) 1998-09-08 2008-11-13 Fujitsu Ltd., Kawasaki Verfahren zur Herstellung eines Reflexionsfilms und Herstellung optischer Vorrichtungen die einen Reflexionsfilm verwenden
KR100542336B1 (ko) * 2000-07-17 2006-01-11 산요덴키가부시키가이샤 반도체 레이저장치
US7120178B2 (en) * 2002-06-15 2006-10-10 Intel Corporation Chip carrier apparatus and method
JP3947495B2 (ja) * 2003-06-02 2007-07-18 ローム株式会社 モールド型半導体レーザ
DE102005009613A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-07 Laservision Gmbh Laserschutzmaterial und Laserschutzeinrichtung hergestellt unter Verwendung einer solchen Materialschicht
US8362432B2 (en) * 2009-02-06 2013-01-29 Hydro-Photon, Inc. Optical liquid sensor
JP2011151310A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 窒化物系半導体発光素子、および、窒化物系半導体発光素子をパッケージに搭載した発光素子
JP6021307B2 (ja) 2011-09-06 2016-11-09 キヤノン株式会社 半導体レーザの劣化兆候検出装置及び半導体レーザの劣化兆候検出方法
DE102012025869B4 (de) 2012-09-27 2024-05-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil
DE102012217652B4 (de) * 2012-09-27 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil
US9300112B2 (en) 2013-12-18 2016-03-29 Lumentum Operations Llc Packaged laser diode and method of packaging a laser diode
US10644479B1 (en) * 2019-02-23 2020-05-05 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
JP7090572B2 (ja) 2019-03-08 2022-06-24 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、及び分析装置
US10903618B2 (en) * 2019-03-20 2021-01-26 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing edge-emitting laser diodes and testing apparatus having the same
DE102020118159A1 (de) 2020-07-09 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laservorrichtung
CN113972554A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 上海禾赛科技有限公司 激光器封装结构、激光器芯片的封装方法及激光雷达
EP4241349A1 (en) * 2020-11-04 2023-09-13 Excelitas Canada Inc. Semiconductor side emitting laser on board package and method forming same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60217687A (ja) 1984-04-13 1985-10-31 Hitachi Ltd 発光電子装置
EP0366472B1 (en) * 1988-10-28 1994-01-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus
JPH02125688A (ja) 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
JPH02125687A (ja) 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
US5140384A (en) 1990-06-14 1992-08-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device mounted on a stem
EP0484887B1 (en) * 1990-11-07 1996-04-03 Fuji Electric Co., Ltd. Laser diode device having a protective layer on its light-emitting end face
JPH053377A (ja) 1990-11-07 1993-01-08 Fuji Electric Co Ltd レーザーダイオード
JP2985452B2 (ja) * 1991-10-11 1999-11-29 富士電機株式会社 半導体レーザー装置およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026245A (ko) * 1998-10-19 2000-05-15 윤종용 도선테

Also Published As

Publication number Publication date
US6784511B1 (en) 2004-08-31
EP0664586A1 (en) 1995-07-26

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